【选型】SiC MOSFET的性能优劣对比

2017-02-09 世强 龙行天下

随着电力电子的发展,SiC作为一种宽禁带半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。这些特性决定了以SiC为衬底的Mosfet管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强,同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点,是高频高压场合功率密度提高和效率提高的关键。

目前常见的SiC Mosfet以CREE公司和R公司为主,这里以CREE和R公司的1200V/20A MOSFET为例,列举了CREE公司与R公司的SiC Mosfet管的部分电气参数以及相关测试波形,来突出相关的优劣势。


表1:C2M0080120DSCH2080KE主要参数对比


通过表格性能对比,可以看出,C2M0080120D在三个方面优于SCH2080KE。
1)极其低的导通电阻RDS(ON),导致了极其优越的正向压降和导通损耗,更能适应高温环境下工作;
2)SiC Mosfet管具有Si Mosfet管的输入特性,即相当低的栅极电荷,导致性能卓越的切换速率;
3)更禁带宽度材料,在相同结温下通流能力更强。


C2M0080120D和SCH2080KE相关测试波形对比如下图所示。


图2:C2M0080120D和SCH2080KE效率测试对比


图3:C2M0080120D和SCH2080KE温度测试对比


通过测试性能对比,可以看出,C2M0080120D明显优于SCH2080KE。
1)在驱动电压18V、2V,开关频率为100kHz的情况下,在相同规格情况下C2M0080120D带来的效率提升明显优于SCH2080KE。
2)在同等条件下工作,相同规格的C2M0080120D的温升明显低于SCH2080KE。


想了解更多的关于CREE的产品信息和采购信息请联系世强。

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  • 无悔 Lv5 . 技术专家 09:35:14
    资料不错
  • 西安石头哥 Lv5 . 技术专家 2018-12-10
    这牛逼啊
  • 建志小马哥 Lv5 . 技术专家 2018-12-10
    学习了
  • 杉杉 Lv3 . 高级工程师 2018-12-10
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  • 一哇卡 Lv3 . 高级工程师 2018-12-08
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  • feiwithout Lv3 . 高级工程师 2018-12-07
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  • 小军o Lv4 . 资深工程师 2018-12-07
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  • 无源小王子 Lv5 . 技术专家 2018-12-07
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  • 用户64492501 Lv5 . 技术专家 2018-12-07
    学习了谢谢
  • 用户19345632 Lv5 . 技术专家 2018-12-06
    厉害
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