【元件】 使用EPC新款50V GaN FET设计更高功率密度的USB-C PD应用，尺寸仅为1.8 mm²
EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET，尺寸仅为1.5mm x 1.2mm，为USB-C PD应用提供了更高的功率密度。
加利福尼亚州埃尔塞贡多—2024年6月—EPC是增强型氮化镓(GaN) 功率FET和IC的全球领导者，推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。该GaN FET专为满足高功率USB-C设备的不断发展需求而设计，包括消费电子、车载充电和电动出行设备。
主要特性和优势
高效率：新的50V GaN FET具有超低导通电阻，仅为8.5mΩ，大大减少了功率损耗并提高了整体效率。
高效率：其小巧的尺寸非常适合空间受限的应用，使得电源适配器和充电器更加小巧高效。
快速开关：GaN技术实现了更快的开关速度，提高了功率密度并减少了被动元件的尺寸，使得设计更加紧凑和轻便。
“随着USB-C PD的普及，高效、紧凑、高性能的电源解决方案至关重要。我们的新GaN FET满足这些需求，提供可靠高效的解决方案，提升性能，”EPC CEO兼联合创始人Alex Lidow说道。
行业影响
随着USB-C PD的采用不断增加，对能够提供更高效率和性能的电源组件需求日益增长，同时还需减小尺寸和热量产生。EPC的新GaN FET旨在满足这种需求，提供比传统硅基FET更优越的替代方案。
开发板
EPC90155开发板是一个半桥，采用EPC2057 GaN FET。其设计最大工作电压为40V，最大输出电流为10A。该板旨在简化电源系统设计师的评估过程，加快其产品的上市时间。这个2” x 2”（50.8mm x 50.8mm）的板子设计为优化开关性能，并包含所有关键组件，便于评估。
关于宜普电源转换公司
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动出行、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。eGaN®是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。详情请浏览我们的网站和观看优酷。
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