【元件】 使用EPC新款50V GaN FET设计更高功率密度的USB-C PD应用,尺寸仅为1.8 mm²

2024-06-26 EPC
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EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET,尺寸仅为1.5mm x 1.2mm,为USB-C PD应用提供了更高的功率密度。


加利福尼亚州埃尔塞贡多—2024年6月—EPC是增强型氮化镓(GaN) 功率FET和IC的全球领导者,推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。该GaN FET专为满足高功率USB-C设备的不断发展需求而设计,包括消费电子、车载充电和电动出行设备。


主要特性和优势

高效率:新的50V GaN FET具有超低导通电阻,仅为8.5mΩ,大大减少了功率损耗并提高了整体效率。

高效率:其小巧的尺寸非常适合空间受限的应用,使得电源适配器和充电器更加小巧高效。

快速开关:GaN技术实现了更快的开关速度,提高了功率密度并减少了被动元件的尺寸,使得设计更加紧凑和轻便。

“随着USB-C PD的普及,高效、紧凑、高性能的电源解决方案至关重要。我们的新GaN FET满足这些需求,提供可靠高效的解决方案,提升性能,”EPC CEO兼联合创始人Alex Lidow说道。


行业影响


随着USB-C PD的采用不断增加,对能够提供更高效率和性能的电源组件需求日益增长,同时还需减小尺寸和热量产生。EPC的新GaN FET旨在满足这种需求,提供比传统硅基FET更优越的替代方案。


开发板

EPC90155开发板是一个半桥,采用EPC2057 GaN FET。其设计最大工作电压为40V,最大输出电流为10A。该板旨在简化电源系统设计师的评估过程,加快其产品的上市时间。这个2” x 2”(50.8mm x 50.8mm)的板子设计为优化开关性能,并包含所有关键组件,便于评估。


关于宜普电源转换公司

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动出行、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。eGaN®是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。详情请浏览我们的网站和观看优酷。

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  • zwjiang Lv9. 科学家 2024-07-02
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