【IC】舜铭新发布高性能铁电存储器SF25C20-M，具有262144x8bit的配置，待机功耗低至1μA以下

时间： 2024-12-04 来源：舜铭存储公众号 发布者：无锡舜铭存储科技有限公司

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舜铭存储欣然推出全新高性能铁电存储器 SF25C20-M，该产品使用舜铭存储首创的新型铁电技术，采用上海积塔半导体的0.11微米CMOS逻辑工艺平台，通过设计，器件，材料，和工艺架构等方面的持续创新，在待机功耗以及读写次数等性能参数上获得显著提升。SF25C20-M待机功耗低至1μA以下，读写次数达到10¹¹(-40℃~85℃)，可为电力、仪表，工业控制、车载及可穿戴设备等应用场景提供高可靠性及低功耗的存储解决方案。

产品概述

SF25C20-M铁电存储器具有262144x8bit的配置，通过新型铁电工艺与硅栅CMOS技术结合构建非易失性存储单元，无需电池即可保持数据，并实现快速读写，无需写等待时间。

产品亮点

读写次数（R/W endurance）：10¹¹@-40℃~85℃。

工作电压: 1.8V~3.6V。

超低待机功耗：1μA。

性能描述

容量：2Mbit

接口类型：SPI接口

工作电压：1.8~3.6V

工作频率：25MHz

待机功耗：1μA@Standby/RT

耐久度：10¹¹次读/写

工作温度范围：-40℃~85℃

数据保持：10年@85°C

封装：sop8 150mil/208mil

关于舜铭

无锡舜铭存储科技有限公司总部位于美丽的无锡市新吴区太湖湖畔，是一家有着领先新型存储技术的高新技术企业。公司以技术为先导，发明专利申请110多项，实用新型5件，获得授权56项。舜铭存储实现了第一颗国产铁电存储器的量产，也是全球首家新型铁电存储器产品的供应商，目前产品已有销售客户超过百家。

FRAM广泛应用于打印机耗材领域，电力仪表、工业电脑、产业设备等工业领域，医疗设备及RFID电子标签等医疗领域，汽车ADAS等车载领域。近些年来，还被广泛应用于物联网，智能穿戴，工业机器人，无人机，光模块通信中。

公司基于新型铁电存储（FRAM）工艺，结合公司全球领先的技术和材料优势，将持续扩大产品的应用领域，逐步发展成为全球领先的存储芯片供应商，为客户提供性价比最优的存储解决方案。

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本文由玉鹤甘茗转载自舜铭存储公众号，原文标题为:【新产品发布】舜铭高性能铁电存储器SF25C20-M，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

【产品】舜铭存储 SF25C20系列铁电随机存储器

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

系列型号： SF25C20-NWH-IT; SF25C20-MSH-IR; SF25C20-NWH-IR

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SF25C20-NWH-IR PCBLib&SCHLib&IntLib

2024/1/3 - CAD模型库

舜铭存储 - SF25C20-NWH-IT,SF25C20-NWH-IR

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舜铭存储SPI FRAM选型表

选型表 - 舜铭存储舜铭存储SPI FRAM选型表，工作频率25Mhz，工作温度-40 to 85°C/-25 to 60°C，工作电压2.7-3.6V，容量32Kbit、64Kbit、128Kbit、256Kbit、512Kbit、1Mbit、2Mbit

产品型号	品类	工作温度	工作频率	封装类型	工作电压	容量
SF25C20	SPI FRAM	-40 to 85°C	25Mhz	SOP8	2.7-3.6V	2Mbit

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【视频】从工控、储能、车载TBOX等市场介绍舜铭存储的FRAM产品及应用

商品及供应商介绍舜铭存储作为全球领先的新型铁电存储器龙头企业，采用HIGH-K材料量产FRAM芯片，实现110nm工艺量产，是全球第一家量产铁电存储芯片的公司。公司产品得到广泛认可，销售额超过千万级别。舜铭存储通过材料技术创新和存储器架构创新，解决了传统铁电存储器的成本、密度和产线污染问题。产品形式包括铁电存储模块、铁电存储颗粒等，应用于打印耗材、智能楼宇控制、车载TBOX、工业控制等领域，市场前景巨大。

舜铭存储 - EEPROM,故障估计机,FRAM,存储器,铁电存储器,存储芯片,SRAM,FLASH,SF25C128,SF25C20,PCS,逆变器,电力设备,工业控制,车载TBOX,编码器,BMS,工控,伺服,打印耗材,智能楼宇控制,储能

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awinic(艾为)逻辑门&电平转换器选型表

选型表 - awinic 艾为电子提供逻辑器件与电平转换/电压转换器选型，通道数1-8，VCCA 1.08-5 V、VCCB 1.65-5.5 V双向自动方向检测，速率24-140 Mbps，静态功耗低至1 µA，封装覆盖SOT23-5/353、DFN、QFN、TSSOP-8/14/20等，工作温度-40~125℃，支持开漏/推挽、Auto方向，另供AUP/LVC/AVC系列逻辑门、缓冲器、AND/OR，一站式满足手机、穿戴、车载、工业多电压域接口兼容需求。

Data Rate (Max) (Mbps)

Temperature

Package (mm)

Support

Transmission Direction

AW39102STR

Voltage level translators

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【产品】非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器MR48V256C，随机读/写周期时间最小为150ns

2018-10-17 - 新产品罗姆推出了MR48V256C高性能FERAM存储器产品，MR48V256C是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM）。该器件与SRAM不同的是，其具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。采用28引脚塑料TSOPI封装，可以有效减小PCB的面积。

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awinic(艾为)前端检测控制器选型表

选型表 - awinic 艾为电子提供前端检测控制器/触控检测SoC选型，1-12通道可选，14 bit ADC+11-12 bit DAC，内置1-2048倍增益PGA，Arm M0+或精简架构，I²C/UART接口，16路INTN/GPIO，带低功耗模式与看门狗，封装覆盖WLCSP、QFN、FCQFN，工作温度-40~105℃，适用于触控按键、滑条、旋钮、接近感应、车载中控、工业面板等前端检测场景，一站式满足高灵敏度、多通道、小尺寸设计需求。

WLCSP 2.325X2.665-42B

-40℃~85℃

Watch Dog

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【产品】支持I2C通信协议，待机功耗低至10μA，存储容量为64K的铁电随机存储器MR44V064B

2018-10-09 - 新产品罗姆推出了MR44V064B高性能FERAM存储器产品，MR44V064B是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性8,192字节x8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用双线串行接口（I2C总线）访问MR44V064B。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。

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【产品】支持SPI通信协议，存储容量2M的铁电随机存储器，数据可保存10年

2018-10-05 - 新产品罗姆推出了MR45V200A高性能FERAM存储器产品，MR45V200A是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性262144字 x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用串行外设接口（SPI）访问。读/写容差高达1012个周期/位，长达10年的数据保存时效保障该产品能够充分胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。

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【产品】ROHM推出非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器MR45V256A，使用SPI进行通讯！

2018-09-15 - 新产品罗姆推出了MR45V256A高性能FERAM存储器产品，MR45V256A是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用串行外设接口（SPI）访问。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。

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【产品】罗姆非易失性8,192字节x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM）MR44V064！数据保留时间长达10年！

2018-09-12 - 新产品罗姆推出了MR44V064A高性能FERAM存储器产品，MR44V064A是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性8,192字节x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用双线串行接口（I2C总线）访问MR44V064A。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。

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1、存储器：舜铭存储 SF25C32 2、时差测量：瑞盟科技 MS1022 3、门电路缓冲器：安森美 NC7WZU04P6X 4、八通数模转换：瑞盟科技 MS5268 5、门电路缓冲器：安森美 NC7WZU04P6X（需要国产替代，购买整晶圆）这几款看您们代理，是否可以买整晶圆呢？国产的。第5也需要替代，买晶圆，过裸芯都可以。另外STM32U575XX，这个也要国内替代，买整晶圆。这款MCu，Adc是1个14位，1个12位，可以用3个及以上的Adc替代。

2025-05-26 - 技术问答

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重磅捷报！舜铭存储凭 FRAM 硬核技术，斩获 2025VENTURE50 新芽 50 殊荣

2025-12-08 - 原厂动态 2025年12月4日，由清科控股、投资界联合发起的创投圈“风向标”——2025 VENTURE50榜单正式揭晓！作为国内首家实现国产FRAM（铁电存储器）量产、全球唯一新型FRAM供应商，无锡舜铭存储科技有限公司凭借在FRAM赛道的突破性技术与强劲成长潜力，成功入选“新芽50”榜单，以硬核实力印证国产存储芯片的创新价值与发展前景。

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舜铭存储荣获省级“潜在独角兽”认定，以自主创新引领存储产业新质未来

2025-09-25 - 原厂动态近日，从江苏省新质生产力促进中心传来重磅喜讯：无锡舜铭存储科技有限公司凭借其在新型存储领域的央端技术实力、高速成长潜力和卓越的创新能力，成功入围“江苏省潜在独角兽企业“榜单。这一权威认定，不仅是对舜铭存储过往成绩的高度肯定，更是对其作为新质生产力代表、驱动未来产业升级的深切期许。

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新型FRAM可用于AI硬件加速器的新型高速缓存

2024-09-20 - 技术探讨人工智能（AI）应用中，新型存储器相关的研究正在不断深入，在AI加速器等方向有很多顶尖研究团队。最近美国佐治亚理工大学的Shimeng Yu教授团队在2024年1月的顶级期刊-自然-自然综述杂志上面，介绍了用于人工智能硬件加速器的新兴高速存储器的最新进展。其中对于铁电存储器技术在该方面的应用也进行了重点的讨论。本文中舜铭存储来与大家分享该期刊论文中的重点内容。

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