出货量最多的基于SiC的 Vincotech IGBT功率模块

2018-06-30 VINCOTECH

Vincotech推出的基于SiC的功率模块是设计师选用碳化硅组件的首选产品,可提高效率并实现更紧凑的设计。Vincotech公司是现如今基于碳化硅驱动的IGBT功率模块出货量最多的厂商,因此该公司知道什么时候选择哪种SiC组件最适合客户的应用,而何时另一种选项是更明智的选择。以下是该公司发布的这些功率模块优点的简要总结。


负责构建更好设备和应用的工程师需要的是能够提高效率和性能的功率模块,但他们同时也需要缩小组件尺寸的紧凑型解决方案。Vincotech基于碳化硅的IGBT功率模块可用于充电站、太阳能逆变器和不间断电源等应用。这些模块不仅可以提供更好的开关性能,他们还使客户能够设计出更小、更轻的系统。Vincotech是选择使用碳化硅驱动功率模块的专家,具有丰富的经验,已经为客户提供了20多年的创意。该公司与多个获得认证的供应商密切合作,为其SiC MOSFET和碳化硅二极管提供高性能。



图1 Vincotech基于SiC的功率模块的优势




Vincotech基于SiC的IGBT功率模块简介:

1. fastPACK 0 SiC系列SiC IGBT功率模块

该系列功率模块具有极低的导通电阻,RDSon最低仅为17mΩ,能够实现非常高的系统效率。同时,fastPACK 0 SiC还具有高频率特性,开关频率高达400KHz,用于高频系统中,可明显减少产品整体体积。fastPACK 0 SiC采用了高速SiC MOSFET技术,实现了高开关频率,增加了功率密度,非常适合用于硬开关和软开关应用中。


2. flowANPC 1 split  IGBT功率模块

flowANPC 1 split系列 IGBT功率模块的击穿电压高达2400V,即使在高压条件下仍能正常工作,不会失去其可靠性。其芯片电流额定值为150A,采用了紧凑型、低杂散电感的flow 1封装。flowANPC 1 split系列采用SiC MOSFET替代了IGBT,能够明显地减少开关损耗,提高响应速度,同时降低产热,实现散热部件的小型化。另外,SiC MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下也有较好的驱动能力,从而也可以实现被动器件的小型化。


3. flow3xBOOST 0 SiC SiC IGBT功率模块


flow3xBOOST 0 SiC是SiC MOSFET开关的最新版本,不需要进行电导率调制,便能够以高频器件结构的MOSFET实现高耐压和低阻抗。该系列功率模块的耐压值高达1200V,工作电流35A和20A可选;其具有极低的导通阻抗,RDSon最低仅为40mΩ,可有效提高系统效率。flow3xBOOST 0 SiC将高效率的SiC MOSFET技术和来自半导体领导厂商(Rohm、CREE)的肖特二极管相结合,具有高频率特性,开关频率可以大于100KHZ,用于高频系统中,可明显减少产品整体体积。


主要优势:

·更高的效率

·更高的开关频率

·卓越的功率密度

·更小、更轻的电感器

·更紧凑的设计


典型应用:

·电动汽车充电器

·太阳能逆变器

·不间断电源


Vincotech最新 SiC IGBT功率模块产品一览:



系列

代表型号

电压

电流

应用

特征

fastPACK 0 SiC

10-PC094PB017ME02-L620F36Y

900V

140A

EV充电器

高效率,高开关频率

 

flowANPC 1 split

10-PG12NAB008MR02-LC59F36T ,10-PG12NAC008MR02-LC69F36T

 

2400V

 

150A

 

太阳能

太阳能三级串式逆变器,非常紧凑,高效率

 

flowBOOST 1 dual SiC

 

10-FY12B2A040MR02-L387L63

 

1200V

 

30A

 

太阳能和UPS

高频率,高效率(采用SiC MOSFET的双升压拓扑)

 

flow3xBOOST 0 SiC

 

10-PZ123BA040MR01-M909L68Y

 

1200V

 

20A

 

太阳能和UPS

高频率,高效率,紧凑型(带全SiC的三重升压结构)


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