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2020-08-06 世强

作为全球200家顶级品牌授权代理商、领先的硬创服务平台,世强为您提供全球顶尖厂牌、品类丰富的功率器件选型,供货稳定!所有产品可以提供免费样品,100%保证原厂正品,同时保证提供最具竞争力的代理商价格。

 

厂牌包括:罗姆,英诺赛科,Vincotech(威科),力特,新电元、瑞萨、扬杰科技、EPC、UnitedSiC、Kyocera(京瓷)、中央半导体、Diotec(德欧泰克)、CALY、Silicon Labs 、PANJIT、无锡紫光微、泰科天润、硕凯电子、丽正国际、高特、美浦森、基本半导体、中电国基南方、派恩杰、辰达行、安邦半导体、固锝、矽航、飞仕得、电安科技

品类涵盖:IGBTIPMSi MOS、SiC、GaN FETFRD整流桥

 

限时有奖下载活动:下载文中任意“活动资料”,即有机会赢取华为手表和便携风扇,活动详情见文末。

活动时间 :2020年8月6日-9月7日     

活动已结束,中奖名单如下:



主要产品介绍

● IGBT:利用ROHM的沟槽栅、薄晶圆技术实现了低VCE(sat)、低开关损耗的IGBT产品。目前有第二代和第三代产品,第三代IGBT整体损耗更低,效率更高,元器件温度更低。涵盖650V/1200V、4A-50A多个规格,主流封装,有车规级(AEC-Q101)产品。大量应用于车载压缩机,电机市场,电源市场,空调冰箱等。

● IPM:ROHM的IPM(Intelligent Power Module)是将最适合IGBT器件的驱动电路、保护功能一体化封装的产品。产品包含600V、10A-30A的各个功率等级。具有集成度高、低饱和电压、效率高的优势。

● 碳化硅: 罗姆在SiC功率元器件和模块的开发领域处于领先地位,有自己晶圆厂,SiC市场份额居全球第二。产品包括SiC肖特基势垒二极管(SBD)、SiC MOSFET、全SiC功率模块(内置SiC SBD和SiC MOSFET)以及高热阻功率模块。目前已经是第四代产品面市,其产品覆盖650V/1200V/1700V多个功率段,封装齐全,已成功应用在电动汽车,太阳能,电源等多个领域。

● 超级结MOS:额定电压为600~800V的功率MOSFET产品采用了超级结技术。通过采用这项技术,实现了高速开关和低导通电阻的性能,可以降低应用的损失。罗姆备有低噪声规格、高速开关规格2种产品。 

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► 活动资料:ROHM(罗姆)功率元器件选型表

 


 

● 单管GaN FET:最小尺寸1x1mm,WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装,配合驱动IC使用

● 半桥GaN FET:上下管晶圆级集成,体积小,更易于PCB布板,具有更小的功率环路寄生电感

● GaN IC:驱动IC和GaN FET晶圆级集成,易于PCB布板,具有更快驱动速度,更小驱动环路寄生电感

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 活动资料:英诺赛科(Innoscience)公司及产品介绍

 


威科大多数模块都能够提供三菱和英飞凌两种晶圆,能很大程度降低供应链风险。

● IGBT M7主要电气特性:低VCEsat电压等级,低开关损耗,更好的dv/dt可控性。

● PIM模块:功率集成模块,集成了整流逆变刹车。主打三菱M7晶圆,封装多样,除了威科独有的flow 0/1/2/90封装,也有兼容EASY和MINISKIIP的封装。电压等级包括650V和1200V,电流从4A-150A均有覆盖。主要应用在低功率的变频伺服上。

● 六管模块:电压等级600V-900V,电流覆盖4A-200A,主打三菱M7晶圆,多种封装可选。可应用于四象限变频,风电变桨变频等。

● 半桥模块:650V和1200V电压可选,50A-690A电流范围,主打VINco E3封装(兼容ECONO),采用了新型SLC技术和M7晶圆,损耗更低。主要应用于UPS,光伏,储能等中功率市场。

● 三电平模块:650V-1500V电压可选,15A-1800A电流范围,主打英飞凌H5/S5晶圆,有I型和T型两种,广泛应用于光伏,电能质量,UPS等市场。

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► 活动资料:Vincotech(威科) 功率模块(IGBT模块)选型指南

 


● 开关型晶闸管: 使用固态开关控制电流,常用于家用电器、电动工具和户外设备的电路保护,提供各种通孔型和表面贴装型安装选择。

● 碳化硅肖特基分立二极管: 正温度系数可确保安全运行,并轻松并联;最高运行结温为175 °C;卓越的浪涌性能;极为迅速、不受温度影响的切换行为;相比硅双极二极管,切换损耗显著减少。

● 碳化硅MOSFET:专为高频、高效应用优化;极低栅极电荷和输出电容;低栅极电阻,适用于高频开关;在各种温度条件下保持常闭状态;超低导通电阻;符合RoHS标准、无铅、不含卤素

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► 活动资料:

Littelfuse(力特) IGBT模块选型指南

Littelfuse(力特) 开关型晶闸管选型指南

 

 

● 快恢复二极管:200-1200V电压,0.8-60A电流输出,规格齐全。

● MOSFET:100%使用di/dt雪崩测试进行筛选。

● 功率模块:多合一,小封装,带刹车的整流模块及多功能驱动模块。

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► 活动资料:Shindengen(新电元)功率器件选型指南



● IGBT:凭借电源转换器领域设计低损耗IGBT的专业知识,瑞萨电子优化了第八代IGBT,在过程结构中采用独特的沟槽栅配置,相较于以往的IGBT产品,具有更快的转换性能,同时,还通过降低饱和电压减少了传导损耗,第八代 G8H系列IGBT的六款产品分别为650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、40 A和75 A。瑞萨也为带内置二极管的1,250V IGBT实现了业界首款TO-247 plus封装,它为系统制造商提供了更大的电路配置灵活性。 

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► 活动资料:Renesas(瑞萨电子)IGBT产品介绍

 

 


● 单路eGaN FET:BGA封装,业界尺寸最小。

● 半桥eGaN FET:低功耗高效率,内含36个PN结,超低的导通电阻(RDS(ON))。

● 同步启动的双路eGaN FET:高可靠性,800万器件小时应力测试无失效。

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► 活动资料:EPC(宜普)硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南


 

● 碳化硅场效应晶体管(SiC FETs):全球独有的Cascode结构,业界最低的RDS(on),驱动电压0-12V,最大承受电压±25V,内置低压MOS,可在不改变驱动电路设计基础上直接替换硅的超结MOS

● 碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFETs):工作电压650V~1700V,具有零待机功耗,在应对重复的雪崩和短路时具有非常强大的能力,是大型反激式AC-DC应用市场的理想选择

● 碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diodes):业界领先的Qrr,工作电压650V~1700V,全部产品都通过AEC-Q101认证

► 点击了解UnitedSiC(联合碳化硅)新品、现货样品

► 活动资料:UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南

 

 

● 整流桥模块:超低Vf达1.29V;电流80-700A,电压最高1800V;标准国际主流2in1、6in1封装。

● 高可靠MOSFET模块:2in1模块封装;电压75-250V,电流75-400A。

● 肖特基二极管SBD:覆盖各类别二极管;各种标准封装;超低热阻性能低至1.5℃/W。

● 快恢复二极管FRD:高稳定Trr特性;软恢复功能;部分产品工作温度可扩展到-55℃~175℃;最大电流达到100A;通过AEC-Q101汽车级认证。 

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► 活动资料:Kyocera(京瓷)整流、快恢复、肖特基二极管选型指南

 

 

● 整流器:超快恢复5ns,高电流400A,高反向电压1600V,耐高温250℃

● 场效应管:快速切换,高电流12A,低导通电阻30mΩ 

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► 活动资料:

Central Semiconductor(中央半导体) 整流器选型指南

Central Semiconductor(中央半导体)场效应管(MOSFETs)选型指南

 


 

● 单相桥式整流器:正向浪涌电流高,漏电流低,重量小;采用独立式或散热片组装;外壳材料通过UL94V-0,RoHS,REACH,WEEE和ELV认证 

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► 活动资料:Diotec(德欧泰克)晶体管/小信号二极管/HV/DIAC/CLD/分流稳压器选型指南

 


 

● SIC限流装置(CLD):爬电能力强;低电流饱和度;击穿电压达1200V。

● SiC肖特基二极管:高电流浪涌能力;最大工作温度175℃;0反向恢复时间。 

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 活动资料:

CALY SiC肖特基二极管选型指南

CALY SiC限流装置(CLD)选型指南



 

Silicon labs芯科科技的隔离栅极驱动器采用专有的0.25μm CMOS工艺,介电强度可达500 V /μm,配合专利高频OOK调制技术,让隔离器产品具有更快的时间响应特性和更好的抗噪声抗扰能力。

● SI827X驱动系列:为SiC/GaN驱动而生,CMTI 可达200kV/µs,最大1ns抖动。

● SI828X驱动系列:4A IGBT驱动电流,自带Miller钳位,去饱和检测, 故障反馈, 欠压保护。

● SI823X驱动系列:一个封装内两个完全隔离的驱动器,0.5 A 和4.0 A 电流驱动能力,瞬态抑制 >45 kV/µs。

● SI8261驱动系列:PIN-PIN替换单通道光耦驱动器,多个 UVLO等级可选,模拟LED输入,输入侧不需要独立供电电源。

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► 活动资料:Silicon Labs驱动隔离器选型指南

 


● 肖特基二极管:电流(0.1A-60A),电压(20V-200V) ,全系列大小功率产品

● 整流二极管:全系列普通,快速(Trr<500nS),极快(Trr<150nS),超快(Trr<35nS)以及FRED ,涵盖不同应用领域和频率,其中FRED制程功率二极管具有软恢复功能,广泛应用于太阳能逆变器,电力电源,新能源汽车,直流充电模块,OBC等产品。

● 稳压二极管:0.15W-5W,全系列稳压二极管,各种电压,封装,精度规格齐全,近5000个规格可供选择。

● MOSFET:低压(20V-40V),中压(50V-200V),高压(400V-900V)全电压范围小讯号与功率MOSFET产品,涵盖SOT,DFN,TO等主流贴片与插件封装,广泛应用于计算机周边,马达驱动,汽车电子,电子烟等应用领域。

PANJIT 上述产品超过80%通过车规等级(AEC-Q101)

► 点击了解PANJIT(强茂)厂牌介绍、新品、现货样品

 活动资料:PANJIT(强茂)SiC肖特基二极管/整流器/MOSFET/保护组件快速选型表

 


 

● 整流器件:包括整流桥、整流二极管、快恢复二极管、超高效整流二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、光伏二极管;多种封装,可匹配Low VF、Low IR和高结温产品;4寸和6寸两座晶圆FAB厂,具备自主晶圆设计和供应能力

● 功率模块:包括整流模块、晶闸管模块、快恢复模块、肖特基模块、IGBT模块;自主晶圆设计能力及规模化制造能力保证稳定供货;更优的浪涌电流能力以及雪崩能力;更低的通态压降以及漏电流,降低开关损耗;更低的热阻设计,良好的高温特性,绝缘型及非绝缘型模块封装,适合多应用领域

● MOSFET:包括中低压MOSFET(VDSS:20V-150V)和高压MOSFET(VDSS:500V-900V); 自主晶圆设计能力,多种外形封装,中低压MOSFET 8英寸、高压MOSFET 6英寸;中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺,高压MOSFET采用平面工艺;超低内阻的芯片设计

● 车规级器件:所有产品符合AECQ101标准;可提供PPAP体系资料;通过了IATF16949和ISO9001认证 

► 点击了解扬杰科技(YANGJIE)厂牌介绍、新品、现货样品

 活动资料:

扬杰科技(YANGJIE)MOSFET(中低压/高压)选型指南

扬杰科技(YANGJIE)整流器件(整流桥/二极管)选型指南

扬杰科技(YANGJIE)功率模块(IGBT模块/整流模块/晶闸管模块/肖特基模块/快恢复模块)选型指南

扬杰科技(YANGJIE)车规产品选型指南

 


 

● 超结功率MOSFET:基于电荷平衡的器件结构,导通电阻低至43mΩ,电压500V-1200V,电流1A-47A, 封装TO-220/TO-247/TO-251/TO-252/TO-262等。

● Multi-EPI超结MOSFET:采用多层外延工艺,较低的Ron和Qg,带ESD/FRD,EMI性能更优,产品有600V/650V/700V/730V系列。

● 沟槽式MOSFET:电压20V-150V,电流1A-180A,封装TO-220,TO-263,TO-252, DFN等。

● SGT MOSFTE:双沟槽栅工艺,电压60V/100V,电流8A-180A,Ron低至2.5mΩ。

● VD MOSFET:电压40V-1000V,电流0.3A-190A,Ron低至3.5mΩ,可过4K雷击。

● IGBT:600V/1200V,40A,工作温度:-50-150℃,封装TO-247/TO264/TO-3PN。

● IGTO:VDRM 4500V,ITGQM 4000A,ITSM 25KA,带过流保护。

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► 活动资料:

无锡紫光微(UNIGROUP)半导体功率器件(半导体场效应管/MOSFET/晶体管/IGBT/IGTO)选型指南



 

● 碳化硅肖特基二极管特性:

·650V-3300V的工作电压,正温度系数可确保安全运行,最高运行结温为175℃

·10倍的浪涌电流能力

·极短的反向恢复时间(基本为零);反向恢复电荷量(Qrr)小,可降低开关损耗

·可在高频率下工作,通过提高频率可减少储能元件体积约1/2(根据工作频率而定),有助于设备小型化和降低整体成本 

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► 活动资料:泰科天润(GPT)SiC碳化硅肖特基二极管选型指南

 


 

● 瞬态抑制二极管(TVS):响应速度为<1ps级,击穿电压有从6.8V~550V, 钳制电压比较准确,误差±5%。

● 陶瓷放电管(GDT):脉冲通流容量(峰值电流)0.5kA~20kA;双向对称;电容值小于1pF。

● 静电保护器件(ESD):反应速度小于1ns,电容值低(0.05pF),体积小(0201)、封装多样化,漏电流小于1uA,电压值最低可到2.5V

● 压敏电阻(MOV/TMOV):通流量大(达80kA),封装种类齐全。

● 半导体放电管(TSS):双向对称;响应速度<1ns级;击穿电压一致性好。

● 玻璃放电管(SPG):最大放电电流最大达3KA;电路具有双向对称特性;极间电容值小至0.8pF;响应速度小于1ns。

● 自恢复保险丝(PPTC):允许工作电流0.05至14A,额定电压最高600V。 

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► 活动资料:硕凯电子(Socay)电路保护器件(GDT/TVS/ESD/TSS/MOV/MLV/PPTC/SPG)选型指南

 


● 桥式整流器 (Bridge Rectifiers) : 规格齐全,从标准(60HZ),快速(150ns~500ns),超快速 (35ns、50ns),到肖特基系列,电压涵盖范围20V~1600V,电流范围0.5A~60A

● 齐纳稳压管(Zener) : 包装齐全(SMD/ Through hole);稳压误差选择多样2%/5%/10%;稳压范围1.8V~330V

● MOSFET: 全系列产品涵盖低压(below 60V),中压(below 200V),高压( 600V~650V~1200V),低导通阻抗(RDS on),可减少切换损失,提升效率

● 碳化硅肖特基(SiC Schottky): 绝缘破坏电场强度为Si的10倍,能隙为Si的3倍;产品可承受偏压(650V~1700V);nS级特快恢复时间;顺向导通电流(3~40A) 

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 活动资料:丽正国际整流器/二极管/晶体管/MOSFET选型指南

 


 

● ESD防护器件:符合IEC61000-4-2 ESD Contact±8KV, Air ±15KV标准; 符合IEC61000-4-4 FET 40A, 5/50ns标准; 符合IEC61000-4-5 Lightning 24A, 8/20us标准;多工作电压段供选择:2.5V-36V; 可提供单路、双路、四路、五路及六路保护产品;·  超低电容,最低电容达0.2pF;  超低反向漏电流,最低反向漏电流1nA; 全线采用微型贴片封装外形,最小外形为DFN0603(0.6*0.3*0.3mm);全线产品符合RoHS、无卤、Reach标准。

● 极快恢复二极管:极低反向恢复时间:trr<25ns; 极高结温:Tj=175 ℃ ;超低反向漏电流;IR<10uA; 超低正向电压,最低可达1.3V;多工作电压段供选择:400/600/1200V;可提供贴片和直插封装外形;全线产品符合RoHS、Reach标准。

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► 活动资料:

高特(GoalTop)极快恢复二极管(Hyper Fast Recovery Diode)

高特(GoalTop)ESD防护器件/二极管/整流器选型指南



 

● 高压MOSFET(VDMOS):电压200-900V;TO-220/TO-247/TO-251/TO-252/TO-262等封装;融合仙童制程和工艺;同种规格产品在EMI表现高6DB左右,抗冲击表现高10%。

● 碳化硅二极管(SiC DIODE):电压650-1200 V,电流2-40A ;TO-252/TO220/TO247等封装;符合车规AEC-Q101标准;VF值低至1.35 V,650V系列反向耐压达到850V以上,1200V系列反向耐压达到1600 V以上。

● 超结MOSFET(SJMOS):电压500V/600V/650V/800V,电流5A-76A;TO-220/TO-247/TO-251/TO-252/TO-262等封装;使用多层外延工艺,同等型号和条件下,EAS、EMI和稳定性更好;导通电阻低至42mΩ。 

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► 活动资料:

美浦森(Maplesemi)VD MOSFET/Super-JMOS/SIC Diode选型指南

美浦森(Maplesemi)高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南

 

 

● 碳化硅MOSFET:电压规格1200V;短路耐受时间可达6us;导通电阻Rds(on):18~160mΩ;栅极开启电压Vth≥2.9V

● 碳化硅肖特基二极管(SiC JBS):电压规格650V-1700V;电流2A~40A;反向漏电低至uA,比传统碳化硅二极管低三个数量级;抗浪涌电流能力超过8倍额定电流 

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► 活动资料:基本半导体(BASiC) SiC碳化硅功率器件选型指南

 


 

SiC MOSFET产品特性:

● 650V~1700V的工作电压,17mΩ~1000mΩ的导通电阻

● 低开关损耗,低导通电阻,大幅度提高电气设备的效率 

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► 活动资料:中电国基南方SiC电力电子器件选型指南

 


 

碳化硅SBD

●  核心参数正向压降小VF可达1.29V,达国外最新产品标准.

●  650V 6A 8A 10A 封装:TO220-2

●  650V 20A 封装:TO220-F

碳化硅MOS

●  1200V/ 25mΩ 80 mΩ 120 mΩ,1700V/3Ω,650V40 mΩ

●  原胞(pitch)尺寸在3.2~6um,比导通可达2.8mΩ,与国际领先水平比肩

●  HDFM品质因数可达1.29,跟同业客户相比,整体损耗更小,效率更高 

氮化镓

●  独有的兼容驱动控制技术,氮化镓栅极驱动电压适用范围扩张到0V~12V

●  频率特性提高100%, 芯片面积小10%, 综合损耗低70%

●  相对传统硅基的Coolmos方案,在60Hz和200Hz效率上有明显的提升 

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 活动资料: 派恩杰(PN Junction)公司简介

 


 

●  整流二极管:包含全系列普通,快恢复(Trr:150/250/500nS),高效率(Trr:50/75nS),超快恢(Trr:35nS)产品,涵盖不同应用领域和频率

●  稳压二极管:0.3W-3W,全系列稳压二极管;各种电压,封装,精度规格齐全

●  整流桥:正向电流(0.5A-50A),电压(50V-1000V);肖特基整流桥,正向电流(1A-5A),电压(40V-200V)

●  肖特基二极管:电流(0.1A-60A),电压(20V-200V) ,全系列大小功率产品

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► 活动资料:辰达行(Microdiode)二极管/整流桥/MOSFET/稳压IC选型指南


 

 

安邦半导体(ANBON)是一家面向工业和汽车市场的高质量功率半导体制造商,拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,搭配洞察市场趋势的观察力,不断推出符合市场需求的薄型化封装。产品包括二极管(TVS、肖特基、快恢复、整流桥)、MOSFET等。

●  MOSFET:电压覆盖到20V至200V;主营贴片封装,采用沟槽工艺,自主设计晶圆;产品采用8寸芯片,具有低阻抗、大电流的特性。

●  TVS(瞬态电压抑制管):覆盖市场多种主流贴片封装;工作电压可满足5V~440V;瞬间功率可满足200W~30KW。

●  肖特基二极管:工作电流可满足1A~40A,工作电压可满足40V~200V;提供多种主流封装;提供LowVF、UltraLowVF以及MBR系列产品;采用Trench工艺,超低VF值,损耗低。

●  SiC二极管:覆盖650V~1200V的工作电压,2A~40A的工作电流,封装齐全。 

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► 活动资料:安邦(ANBON)公司简介

 


 

●  整流器件:品类齐全,封装多样,包括整流桥全系列(电流1A-50A,电压100V~1000V),全系列整流二极管,快恢复二极管(Trr<500ns),高效整流二极管(Trr<150ns),超快恢复二极管(Trr<35ns),高压整流二极管(电流0.25A~2A,电压1000V~2000V);封装包括塑封直插,玻璃封装、塑封贴片、TO系列、PQFN等

●  肖特基二极管:包含电流(0.2A~40A)、电压(20V~200V)全系列大小功率产品 

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► 活动资料:固锝(Good-Ark)二极管&整流桥&ESD静电保护器件&N沟道/P沟道MOSFET选型指南

 


 

MOSFET特性:

●  包括中低压MOSFET(VDSS:20V-150V)和高压MOSFET(VDSS:500V-900V)

●  自主晶圆设计,多种外形封装;中低压MOSFET为8英寸晶圆,高压MOSFET 为6英寸晶圆

●  中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺,高压MOSFET则采用平面工艺

●  超低内阻的芯片设计 

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► 活动资料:矽航(XI HANG)ESD/EOS防护器件、稳压/TVS/肖特基二极管、低/高压MOSFET选型指南

 


 

飞仕得(Firstack),致力于智能IGBT驱动器、功率STACK的研发和销售,为客户提供完整、高品质的功率模组整体解决方案。Firstack基于数字控制的“深度定制驱动器”,针对不同工况优化IGBT驱动配置,扩展模组使用工况边界,提升模块利用率与可靠性,以满足客户多样化需求。产品大规模应用于新能源、舰船推进、电力系统、大功率牵引等诸多严苛的领域。

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► 活动资料:飞仕得(Firstack)通用品选型指南

 


 

●  方形贴片保险丝:电压最高可达250V,最大电流可达100A,最大分段能力为1000A@80VDC。全系列产品均已通过UL认证。

●  陶瓷贴片保险丝:电压最高可达72V,电流最大可达40A, 全系列产品均已通过AEC-Q200认证。

●  圆筒形保险丝:电压最高可达1000V,电流最大可达63A,

●  瞬态二极管TVS:提供了从200W到30000W的宽功率浪涌保护方案,产品可用在汽车电子、工业,通讯、新能源等领域。

●  TPA Discrete (ESD):提供低容高能高性能TVS保护阵列,产品包含不同容值,多种封装,硅基TVS可为电路提供很低的嵌位电压和无衰减的保护次数

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电安科技自恢复保险丝PPTC选型指南

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参与流程                        

1.点击“活动资料”区任意一本资料,并完成下载                        

2.完成下载,即成功参与活动;在“我的活动”中可查看是否参与成功(系统延时<30分钟)                    

3.活动结束后,由软件自动抽奖                        

4.抽奖结果会在结束当周的周五,在行业热门处中奖文章公布                        

5.中奖用户会收到领奖提醒短信                                   

                      

活动时间                        

2020年8月6日-9月7日                        

          

奖品设置   


¥1288 华为运动手表*1名                                       ¥50 SOLOVE 随身便携小风扇*5名

                                                                                            

活动说明                        

 ·9月11日公布中奖名单,届时请留意中奖文章公示                        

 ·名单公布后2周未按说明领取奖品的用户,则视为自动放弃                        

 ·线下抽奖由软件自动完成,过程公平公正,结果公开透明                        

 ·关于活动有任何疑问可以点击下方相关服务中的提问按钮进行提问                          

 ·礼品如有质量问题,请在签收后7天之内,联系客服:400-830-1766                            
                       

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  • 世小强 Lv4 2020-08-10
    在下载资料了解新厂牌、新产品的同时大家有什么想要的活动奖品呢。满足以下条件的: 1.终极大奖:1500-2000元;幸运奖:50元 2.实用;在办公室常用,或者经常携带 3.不仅你喜欢,你的同事也喜欢 均可评论推荐,下一次的活动就可能看到你推荐的奖品。
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