EPC发布第十一阶段可靠性测试报告,失效性测试显示氮化镓器件稳定性比硅功率MOSFET器件更具优势

2020-04-08 EPC

EPC公司发布"第十一阶段可靠性测试报告",与工程师分享受测器件如何实现优越的现场可靠性的策略 - 在广阔测试条件下,采用失效性测试器件(test-to-fail)的反复测试方法,从而知道如何构建更稳固的产品以达到应用所需,例如面向全自动驾驶车辆的激光雷达、LTE通信基站、汽车的车头灯及卫星等应用。


失效性测试器件的方法是比较数据表上所列出的器件限制值和应用中产品的性能,从而知道器件的极限。最重要的是,可以知道器件固有的失效机理,从而找出失效的根本原因。如果知道器件在工作一段时间后的性能、温度、电气或机械应力情况,工程师就可以知道该产品在一般工作条件下的实际安全工作寿命。


这个报告包含七个部分,每个部分描述各种不同的失效机理。

第一部分:影响eGaN®器件的栅极的固有失效机理

第二部分:动态导通电阻的固有机理

第三部分:安全工作区域(SOA)

第四部分:在短路情况下测试器件至失效

第五部分:采用专有的测试方法,长期置器件于激光雷达脉冲应力条件下,测试及分析器件的可靠性

第六部分:机械力的应力测试

第七部分:器件的现场可靠性


宜普电源转换公司的首席执行官兼共同创办人Alex Lidow博士说:“氮化镓(eGaN)器件实现量产已经超过十年。这些器件在实验室测试及在客户的量产产品和应用中,都展示出非常高的可靠性。我们的第十一阶段可靠性测试报告旨在继续实践我们的承诺 -- 与工程师分享我们在这十年间所累积的数百万个器件-小时的测试经验及五代技术的知识。这些可靠性测试让我们进一步了解氮化镓器件在广阔的应力测试条件下的性能。”


Lidow博士继续说,“可靠性测试的结果表明,氮化镓器件是非常稳定及可靠的,其技术改进的步伐,会进一步加快。EPC公司致力于开发符合非常严谨可靠性标准的氮化镓器件并与功率转换业界分享研究所得的结果。”


宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供货商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路,其目标应用包括直流- 直流转换器、 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达(LiDAR) 及 D类音讯放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。


EPC(宜普)eGaN® FET可靠性测试:第11阶段测试报告 详情>>>


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