【产品】专为WCDMA基站而生的80W LDMOS FET
英飞凌半导体公司推出了一款完美适用于2110 - 2170MHz频段WCDMA基站应用的大功率LDMOS FET，型号为PTAC210802FC。其工作电压为28V，功率增益达17dB（典型值），输出功率可达80W。
PTAC210802FC采用英飞凌先进的LDMOS制造工艺，漏极效率为43%，有效降低了功耗，确保了在基站应用中的低耗电量，节约了开销和成本。该款LDMOS FET选取了热增强型无耳法兰封装，可快速散发产生的热量，使其具有出色的散热性能和可靠性。PTAC210802FC具有较高的效率同时避免了额外热量的产生，有利于增加产品的寿命，减少后期维护的成本。此外，为了保证信噪比，其邻道功率抑制比达-31dBc，避免了非线性因素引起的失真。
PTAC210802FC采用非对称设计，具有良好的CW性能。在测试中，供电电压28V，频率2170MHz条件下，输出功率（P3dB）可达75W，漏极效率达48%，增益为14dB。并且在28V、80W（CW）输出功率条件下，能够处理10：1的电压驻波比。
PTAC210802FC主要特性：
• 工作频率范围：2110-2170MHz
• 增益：17dB（典型值）
• 输出功率：80W
• 漏极效率：43%（典型值）
• 邻道功率抑制比：-31dBc
• 热增强型无耳法兰封装
• 工作电压：28V
PTAC210802FC主要应用：
• WCDMA基站
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