【产品】采用高密度单元设计的100V/6A N沟道增强型MOSFET RM6N100S4V,可实现超低RDS(ON)

2019-11-08 丽正国际

丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。

RM6N100S4V是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广泛适用于多种应用。


在TA=25°C时,RM6N100S4V可以承受的漏源电压最大额定值为100V,栅源电压最大额定值为±20V,漏极连续电流最大额定值为6A,漏极脉冲电流最大额定值为24A,最大功率耗散为3W,工作结温和储存温度范围为-55~150℃,结至环境热阻典型值为41.7℃/W。

 

产品特性
•VDS =100V,ID =6A 

   RDS(ON) <140mΩ @ VGS=10V 

•高密度单元设计,可实现超低RDS(ON)

•完全表征雪崩电压和电流

•优良的封装,良好的散热性能

 

应用领域

• 功率开关应用

•硬开关和高频电路

•不间断电源

•无卤素应用

• P/N后缀V表示AEC-Q101认证

 

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