PI深耕SiC MOSFET技术,推出适合汽车应用的SiC-MOSFET门极驱动器IC SIC118XKQ

2019-11-12 Power Integrations

由于汽车产业正在寻求加速从内燃机向电动汽车(EV)的转变,碳化硅(SiC)基功率解决方案的采用正在整个汽车市场实现快速地增长。碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,正在抢占先进电子材料的制高点。


在2019年11月8日举办的“第七届(上海)新能源汽车电驱动与BMS技术研讨会” 上,多家知名企业到场演讲,分享产品方案及各项技术难题。Power Integrations的区域大功率市场应用工程师王强的演讲题目是《汽车应用领域基于SCALE-iDriver™的碳化硅开关器件驱动方案》,他为现场观众介绍了在汽车环境中,SiC器件的驱动电路面临的挑战和一个基于FluxLink™技术的驱动解决方案;他还讲解了一种高级有源钳位技术,该技术确保了SiC器件可以在关断时刻,其电压尖峰得到有效控制,不需要牺牲转换效率。


王强首先介绍了PI公司深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域,其碳化硅(SiC)MOSFET技术开启了减小尺寸和重量的大门,降低了电源系统的损耗。SCALE-iDriver产品系列采用FluxLink™技术,可设计出外围元件数非常少且性能安全的高性价比逆变器,确保功能安全、封装尺寸更小和效率更高。因具有更高的开关频率,SiC模块的应用范围不断扩大,适合电动汽车牵引变流器的门极驱动器。


他接着介绍了适合汽车应用的SiC-MOSFET门极驱动器IC SIC118XKQ。该SiC门极驱动器IC采用Power Integrations的高速FluxLink™通信技术,可大幅增强绝缘性能。FluxLink是一项革新性的信号传输技术,它可取代光耦器和电容性或硅基方案,显著提高可靠性并提供1200V加强绝缘。SCALE-iDriver器件还集成了多项对系统至关重要的保护特性,例如退饱和监控和电流检测读出、原方和副方欠压保护(UVLO)以及高级有源钳位(AAC)。此外,保护电路还可以在 2µs 内提供安全关断,满足SiC器件的快速保护需求。SIC118XKQ SiC-MOSFET门极驱动器IC还具有较强的外部磁场抗扰性能,其封装可提供≥9.5 mm的爬电距离和安全间隙,并且所采用的材料达到了IEC60112标准的最高CTI级 ——CTI 600。SIC118XKQ可在125°C结温下提供8A驱动,因此可在不使用推动级的情况下支持输出功率在数百千瓦以内的SiC-MOSFET逆变器设计。它的开关频率高达150kHz,可支持多种应用。

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  • WT20030220 Lv5. 技术专家 2019-12-05
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  • 用户83123110 Lv3. 高级工程师 2019-12-04
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  • EEric Lv5. 技术专家 2019-12-04
  • 加一 Lv6. 高级专家 2019-12-04
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  • wmaxy86 Lv4. 资深工程师 2019-12-03
    不错,保护检测是SIC驱动的难点。
  • 虹姐 Lv4. 资深工程师 2019-12-03
    学习了
  • 一片锦绣 Lv7. 资深专家 2019-12-01
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  • Lv4. 资深工程师 2019-11-29
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  • 一片锦绣 Lv7. 资深专家 2019-11-28
    谢谢分享
  • 134******99 Lv7. 资深专家 2019-11-27
    学习一下!!!
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