【产品】耐压达900V SiC MOSFET，可抑制雪崩击穿
全球领先的化合物半导体材料、功率器件产品的供应商WOLFSPEED公司（原Cree Power）推出了C3M系列的最新产品SiC MOSFET CPM3-0900-0065B/CPM3-0900-0010A。其耐压值均为900V，最大额定电流分别为36A与196A，可工作在55~175℃的温度条件下。相较于其他同类产品，CPM3-0900-0065B与CPM3-0900-0010A具有更广的工作温度范围和更大的工作电流，大幅降低了对电路设计的要求，可广泛应用于太阳能电源逆变器、汽车电池充电器、高压DC/DC转换器和开关电源等领域。
CPM3-0900-0065B与CPM3-0900-0010A的源漏开态电阻分别为65mΩ与10mΩ，这使其具有较低的损耗而不需要额外的散热设计。CPM3-0900-0065B的开关延时为25ns，其输入寄生电容与输出寄生电容分别为660pF与60pF； CPM3-0900-0010A的开关延时为108ns，输入输出电容分别为4500pF与350pF，这可以大幅提高系统的开关频率与功率密度。
基于Wolfspeed的C3M SiC MOSFET技术，CPM3-0900-0065B与CPM3-0900-0010A可以通过并行连接获得更高的工作电流，或者通过串行连接获得更大的耐压值。与传统的Si基功率MOSFET相比，由于内置了一个反向恢复电荷（Qrr）较低的高速二极管，CPM3-0900-0065B与CPM3-0900-0010A不需要再反向并联额外的二极管。此外，与传统的Si基IGBT相比，C3M SiC MOSFET技术在抑制雪崩击穿方面有着优异的表现。
由于以上优势，CPM3-0900-0065B与CPM3-0900-0010A可以使电路获得更高的开关频率与功率密度，降低电路的尺寸与重量，削减整体系统的成本。
CPM3-0900-0065B与CPM3-0900-0010A的产品特性：
• 最大额定耐压值900V；
• 最大额定电流值：
--CPM3-0900-0065B：38A
--CPM3-0900-0010A：196A
• 低反向恢复电荷的高速二极管：
--CPM3-0900-0065B：16nC
--CPM3-0900-0010A：1700nC
• 低输出电容和串联电阻
• 高开关速度和低开关损耗
• 易于并行与驱动
• 高雪崩击穿可靠性
CPM3-0900-0065B与CPM3-0900-0010A的产品优势：
• 更低的开关损耗
• 更低的散热需求
• 更高的系统效率
• 更大的功率密度
• 更快的开关频率
CPM3-0900-0065B与CPM3-0900-0010A的应用范围：
• 太阳能电源逆变器
• 汽车电池充电器
• 高压DC/DC转换器
• 具有开关模式的供电电源
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