【产品】-30V/-32A P沟道增强型MOSFET RM35P30DN,采用DFN 3x3封装

2019-11-08 丽正国际

RM35P30DN丽正国际推出的一款采用DFN 3x3封装的P沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,适用于负载开关或PWM应用。


在TA=25°C时,RM35P30DN可以承受的漏源电压最大额定值为-30V,栅源电压最大额定值为±25V,漏极连续电流最大额定值为-32A,漏极脉冲电流最大额定值为-65A,最大功率耗散为29W,结温和储存温度范围为-55~150℃,结壳热阻典型值为4.32℃/W。


产品特性
 
   •VDS =-30V,ID =-32A 

       RDS(ON) <32mΩ @ VGS=-4.5V

       RDS(ON) <20mΩ @ VGS=-10V

     •高功率和优秀的电流处理能力

     •无铅产品

     •表面贴装

     •无卤素


应用领域

    •PWM应用

     •负载开关

    •电源管理


 


 

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  • 加一 Lv6. 高级专家 2019-11-09
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