【动态】世强联手EPC,合力布局国内GaN功率器件市场

2017-07-07 世强

近日,国内著名半导体分销商--世强宣布与基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商EPC(宜普电源转换公司)签约合作,作为EPC中国区代理,销售其全线产品。


据悉,EPC(宜普电源转换公司)为首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司,其目标应用包括直流-直流转换器、无线充电,自动驾驶、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达(LiDAR)及D类音频放大器等,GaN器件在速度,损耗,效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。


通过增强型氮化镓技术,不仅可以提高电源效率,还可以实现提升生活的全新应用,如无线充电、汽车自动驾驶、高速移动通信、低成本卫星以及医疗护理应用等。


关于此次合作,世强市场总监表示,“EPC利用氮化镓技术不断改革、持续前进的企业精神与世强及世强元件电商一直以来,致力于将全球最新的技术带入中国,并与推动中国企业科技创新的理念一致。中国第一支光学鼠标,第一支光纤通信设备,都是我们第一个带给中国企业的。而GaN技术,正在改变我们的生活方式,可以使我们各种电源的效率提升,体积缩小、做到高功率密度,同时也能在航空航天,医疗健康,汽车无人驾驶等领域带来新的技术和应用。所以,我们也希望通过与EPC的合作,双方可以合力布局国内GaN功率器件市场,为中国企业科技创新,做出更多的贡献。”



世强作为全球先进的元件分销商,目前已经代理了如SILICON LABS、RENESAS、ROGERS、MELEXIS、EPSON等四十余家欧、美、日著名半导体企业的产品,特别是2016年1月,上线了线上服务平台--世强元件电商,更是利用互联网进一步为中国数万企业提供技术支持、元件供应等创新服务,获得了业界一致好评。


未来两家企业强强联合,必将为广大中国企业,提供更多优质的产品与创新服务,以满足企业多元化的需求。

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33 W Class 4 Wireless Power Demo Kit. EPC8010,EPC2038,EPC2019演示板,EPC8010,EPC2038,EPC2019

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6.78 MHz, 33 W, ZVS Class-D Wireless Power Amplifier. EPC8010,EPC2038,EPC2019开发工具,EPC8010,EPC2038,EPC2019

EPC8010、EPC2038、EPC2019

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6.78 MHz, ZVS Class-D Wireless Power Amplifier. EPC2108,EPC2036开发工具,EPC2108,EPC2036

EPC2108、EPC2036

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48 V Buck Converter. EPC2001C,EPC2021开发工具,EPC2001C,EPC2021

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Half Bridge with Gate Drive. EPC8010开发工具,EPC8010

EPC8010

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"Half Bridge with Gate Drivefor EPC2106". EPC2106开发工具,EPC2106

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Development Board Demo board: Class 3, Rezence compatible, ZVS Class-D wireless power transfer system. EPC2108,EPC2036开发工具,EPC2108,EPC2036

EPC2108、EPC2036

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EPC8010

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6.78 MHz, 10W, 5 V Regulated Wireless Power Receiver. EPC2019开发工具,EPC2019

EPC2019

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200 V Half-bridge with Gate Drive. EPC2045开发工具,EPC2045

EPC2045

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100 V Half-bridge with Gate Drive. EPC2046开发工具,EPC2046

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"Enhancement Mode Power Transistor,Single"

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"Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge With Integrated Synchronous Bootstrap,Dual with Sync Boot'"

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"Enhancement Mode Power Transistor with Integrated Reverse Gate Clamp Diode,Single with Gate Diode'"

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"Enhancement Mode Power Transistor,Single"

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200 V eGaN? FET, 100mohm @ 5V

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150 V?eGaN? FET, 7 m? @ 5V

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200 V eGaN? FET, 10 m? @ 5V

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80 V eGaN? FET, 3.2 m? @ 5V

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Enhancement Mode Power Transistor 100 V 4 m?

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60 V eGaN? FET, 2mohm @ 5V

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"Enhancement-Mode GaN PowerTransistor Half-Bridge"

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"Enhancement-Mode GaN PowerTransistor Half-Bridge"

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"Enhancement-Mode GaN PowerTransistor Half-Bridge"

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Enhancement Mode Power Transistor

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80 V eGaN? FET, 2.5mohm @ 5V

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100 V eGaN? FET, 3.2mohm @ 5V

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200 V, 10 A Integrated Gate Driver eGaN IC.包装待定

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Dual 150 V, 5 A Integrated Gate Drivers eGaN IC

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