【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET,集成高速二极管

2017-07-28 Shindengen(世强编辑整理)

P5F50HP2F是新电元推出的一款N沟道功率MOSFET,其漏极-源极额定电压500V,漏极持续电流(DC)最大5A,源极持续电流(DC)最大5A,可满足大功率电路的设计需求。该款MOSFET具有高开关速度,其导通延时时间典型值为9ns,上升时间典型值为11ns,关断延时典型值为35ns,可以很好地满足高频开关电路设计需求。


N沟道功率MOSFET P5F50HP2F的零栅极电压漏电流最大为100uA,栅极-源极漏电流最大为±10uA,有效确保器件在运行过程中具有低损耗。同时P5F50HP2F具有低导通电阻,其漏极-源极动态导通阻抗典型值为1.38Ω,可使MOSFET在电路中自身损耗更低。此外,P5F50HP2F的总栅极电荷典型值为10.5nC,不仅可使器件更好满足高速电路设计,同时具有更低损耗。


P5F50HP2F内部集成高速源极-漏极二极管,反向恢复时间典型值为70ns,内部集成二极管可承受重复雪崩电流达5A,可承受di/dt能力达350A/us,可为MOSFET提供最佳保护。


P5F50HP2F的总功率耗散最大52.5W,沟道温度最高150℃,结壳热阻最大2.38℃/W,确保该款MOSFET可以承受大功率应用的自身发热,使系统更加可靠、稳定。


P5F50HP2F的特点:

• 漏极-源极额定电压500V

• 漏极持续电流(DC)最大5A,源极持续电流(DC)最大5A

• 零栅极电压漏电流最大100uA(VDS=500V,VGS=0V)

• 栅极-源极漏电流最大±10uA(VGS=±25V,VDS=0V)

• 漏极-源极动态导通阻抗典型值1.38Ω(ID=2.5A,VGS=10V)

• 总栅极电荷典型值10.5nC(VDD=400V,VGS=10V,ID=5A)

• 集成高速源极-漏极二极管,反向恢复时间典型值70ns(IF=5A,di/dt=100A/us)

• 源极-漏极二极管可承受di/dt能力达350A/us(IS=5A,TC=25℃)

• 可承受重复雪崩电流达5A(起始Tch=25℃,Tch≤150℃)

• 导通延时时间典型值9ns,上升时间典型值11ns,关断延时典型值35ns(ID=2.5A,RL=60Ω,VDD=150V,Rg=50Ω,VGS(+)=10V,VGS(-)=0V)

• 总功率耗散最大52.5W

• 沟道温度最高150℃,结壳热阻最大2.38℃/W


P5F50HP2F的应用:

• AC-DC转换器

• 功率因数校正(PFC)

• 逆变器

• 电机驱动器


相关技术文档:

Shindengen P5F50HP2F 功率MOSFET数据手册 详情>>>


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