【产品】高并联一致性IGBT:支持4个并联,反向传输电容降低80%

2017-07-28 世强 Joshua

首先我们了解一下Renesas的IGBT技术发展历史:


 

图1:Renesas IGBT技术发展历史


由图1可知,其发展历史为G5H到G6H再到G7H(只有芯片,没有IGBT),直到现在的G8H。G8H优化了结构并改进了开关特性,稳健性得到很大的提高。下面我们来具体看看G8H与G6H、G7H的对比优势。


Renesas基于G6H技术的IGBT产品,在直接驱动的情况下,建议并联不超过3个IGBT。但是Renesas的IGBT技术由G6H升级到G8H后,并联一致性得到了进一步的提高,同样的条件下,可以做到建议并联不超过4个IGBT。Renesas最新的G8H提高并联的一致性主要还与Cres的参数有关。为了实现快速开关,与G7H相比,G8H IGBT产品的反向传输电容Cres降低了80%,改善了Vge的波形振铃。Cres的减小,抑制了栅极振动,降低了波形振铃,等效于降低了Vge关断期间振铃导致误开通的风险,IGBT关断特性得到有效的提高,从而提高了并联使用IGBT的驱动的稳定性,也就是提高了并联使用的一致性。因此,同样的驱动条件下,G8H技术的驱动特性更加稳定,一致性更高。


 

图2:G8H的反向传输电容特性


此外需注意的是,只有直接经隔离芯片提供的驱动导致IGBT并联个数有限制。但是当工程师外置驱动电阻时,并联的IGBT个数将不再受限制,此时,并联的IGBT个数只与驱动回路电路设计和走线布局有关。


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  • 耕者 Lv4 . 资深工程师 2017-11-29
    好东西学习了
  • professor Lv3 . 高级工程师 2017-11-28
    学习一下
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    厉害了
  • 我就是我 Lv7 . 资深专家 2017-10-10
    参数指标不错
  • 小叶子 Lv7 . 资深专家 2017-08-07
    并联的一致性好,IGBT的损伤率降低
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