全球首款替代功率MOSFET器件的EPC硅基增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),效率高达98%

2018-08-13 世强

EPC(宜普电源转换公司)是目前世界上最大的eGaN FET供应商,于2009年6月推出了全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。


EPC  eGaN FET产品具有小尺寸、高开关速度、高频率、高功率密度以及低损耗等突出优势,在性能上比硅材料的功率器件优越很多。EPC eGaN FET能够以更高的开关速度工作,所以转换器可以比硅MOSFET工作在更高频率之下,并且产生更低的能源消耗。EPC eGaN FET技术的整体优势是通过更高的开关速度获得更优越的性能,加上其固有的低开关损耗,可以比传统MOSFET技术更加节约能源。另外,EPC eGaN FET较低的损耗能够为其提供优越的散热性能。其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达(LiDAR)及D类音频放大器等。


EPC  eGaN FET产品包括单路eGaN FET、半桥eGaN FET和同步启动的双路eGaN FET。


EPC 小尺寸单路eGaN FET:采用小尺寸的LGA和BGA封装,尺寸最小至0.9mm x 0.9mm,这种封装可以减小电路板面积、杂散电感和寄生电阻。单是在封装方面的优势便使得EPC氮化镓器件的制造成本被降低一半。


推荐型号:EPC2001CEPC2007CEPC2016C,具备纳秒级开关速度,以及更精确、更小的脉冲。提供极小的封装尺寸,更高的功率密度和更低的电感,并集成激光二极管。此外,还具有更高的效率和脉冲重复率。这三款器件是激光雷达的理想选择,为其提供优越的解像度和快速反应时间。


EPC 超低导通电阻半桥eGaN FET:低功耗、高效率的典型代表,内含36个PN结,具备超低导通电阻(RDS(ON)),最低可达2mΩ,极大地降低了系统损耗。


推荐型号:EPC2104EPC2105,在22A电流条件下其系统效率可超过97%,具有超过10MHz的高频率操作,采用了高密度引脚和低导通电阻封装。这两款器件可用于高频率DC/DC转换器中,为其提供低传导损耗、低驱动功率,并提高输出功率及效率。


EPC高可靠性双路eGaN FET:具备高可靠性,800万器件小时应力测试无失效,可有效延长产品开发人员应用设计的生命周期。


推荐型号为EPC2107EPC2108,工作温度范围为-40℃~+150℃,可轻松应对极端温度环境;高频率、高效率以及地导通电阻等特性使其非常适用于无线充电、DC/DC转换器等领域,为其提供足够快的开关速度。


世强是EPC官方授权一级分销商,可供应EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET), 备货充足,可根据项目提供最佳价格支持。用户还可在世强元件电商平台获取EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)最新产品资讯及技术、官方资料,获得EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)选型、解决方案、技术支持等服务资源。

 
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