【产品】Ricoh新推出的RP120系列1.5A LDO线性电压稳压器,具有低导通电阻性

2021-12-30 Ricoh
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理光电子公司(Ricoh)新推出了RP120系列产品,这是一款1.5A LDO线性电压稳压器,带有BIAS引脚,该系列产品具有低导通电阻性,适用于消费品和工业应用。


近年来,随着电子产品的不断进步,在电子产品的使用中,大多使用的集成电路都是采用低压、大电流电源驱动的。 


整个系统电压的下降导致了工作电压的裕度的下降,当电源受到噪声的影响时,会导致传感设备的信噪比恶化等问题。 这意味着电源对噪声更加敏感,要求电源管理IC具有高纹波抑制(PSRR)的功能。  


此外,在上述的应用中,要考虑到由电线电阻引发的高峰值电流和电压下降。这就要求小型的电源管理集成电路只分布于负载集成电路的附近,而不是将所有的电源集中起来设计。


RP120系列是一种具有两个输入引脚的LDO线性稳压器:分为内部电路(VBIAS)的电源引脚和内部NMOS驱动器(VIN)的输入引脚。 由于这个特性,它有一个低通阻的NMOS驱动器,这个驱动器可以调节低损耗。


由于RP120系列具有低导通电阻的特性,不仅可以在低输入电压下工作,而且热损耗低。尽管PR120系列采用了超小型WLCSP封装(1.2 × 0.8 × 0.29 mm),但仍可提供1.5A电流。


由于抗VIN波纹的PSRR特性高达95 dB (f = 1 kHz),即使在对开关噪声敏感的环境中,这种新的LDO线性稳压器也可以用作开关电源的后置滤波器。  


此外,该系列产品具有内置的软启动功能,即使在使用大型输出电容来降低输出噪声的情况下,也可以减轻对浪涌电流的措施。  


输入VBIAS电压范围为2.4 V ~ 5.5 V,最大额定值为6.5 V。 在输出电压范围上,RP120系列有两种调节方式:外部可设置型和内部固定型。 前者的输出电压范围可通过外接电阻器在0.6 V至3.6 V范围内调节。 内部固定类型仍在开发中,设计的理念为设计一个内部固定输出电压,范围0.6 V到2.0 V,0.1 V的量值。


RP120系列是用于以下应用的最佳电源管理IC的产品

-便携式通信设备、电池供电设备、照相机、摄像机和音响,  

-通信设备,如射频模块和时钟发生器,如VCOs和pll, 

-FPGA和SoC的恒定电压源等。 RP120系列是在我们的Yashiro工厂(兵库县加藤市)生产的。此计划符合我们的产品寿命计划,能够使用10年之久,这一特性将有效的缓解客户对产品寿命终止的担忧。

RP120 系列 (WLCSP-6-P11)


主要特性

RP120系列通过分离电源输入引脚(VIN引脚)和驱动器输入引脚(VBIAS引脚)来实现低导通电阻和低输入电压操作。 这使得该IC尽管采用了超小的WLCSP封装,但仍能输出最大电流1.5A。 此外,即使RP120系列输出低于1V的极低电压时,它也能提供大电流,因为它是根据设定的输出电压,通过应用电压来操作,同时可以减少热损耗。


  1. 通过添加BIAS端子实现低导通电阻和低输入电压(0.6V+VDIFF)

    -小 PKG 1.5A


-具备目前许多大电流产品有大的PKGs

-RP120Z实现了1.5A的小PKG和低导通电阻

-驱动器输入引脚(VBIAS引脚)和低导通电阻

当VOUT=0.6V时,在输入电压为VIN= 0.768V或更高时,它可以提供1.5A的大电流。


2. 超小型WLCSP封装,使得使用面积更小

RP120系列采用WLCSP封装(1.2 × 0.8 × 0.29(mm)),这有助于减少组装面积。此外,0.6 × 0.3毫米大小的电容器可用于CIN和CBIAS,而1.0 × 0.5毫米大小的电容器可用于COUT。这有助于进一步减少组装面积。


3. 大电流输出、高PSRR和快速响应特性实现高度平衡

为了使CMOS图像传感器和音频设备能够具备良好的性能,必须清洁电源。RP120系列实现了1.5A的高输出电流,快速响应,且PSRR平衡良好。


4. 通过固定的软启动时间来减少冲击电流

RP120系列产品,设计中有一个内置的软启动功能,使输出电压回转率逐渐增加,抑制启动时的浪涌电流。该功能对于禁止急速启动的应用很有帮助。此外,当输出电容较大时,该IC通过电流(代表值600 mA)而不是电压来调节其输出。在电流限制操作期间,输出电压波形保持恒定的倾斜度,因为电流会被调节在同一水平,直到输出电压达到设定电压。这种设计成功的实现了浪涌电流的抑制和后续设备的安全启动。在这种情况下,RP120的启动比内置的软启动功能控制的要缓慢一些。


RP120系列NEW1.5A低输入/输出的LDO电压稳压器

RP120是一种低压差LDO,输入电压低至0.768 V(@VSET=0.6 V,VBIAS=3.3 V,IOUT=1.5 A)。LDO使用内置低导通电阻(67 mΩ@VSET=0.6 V,VBIAS=3.3 V,IOUT=1 A)NMOS晶体管作为驱动器。为了提高效率,将内部电路用电源输入端子(VBIAS)和NMOS驱动器输入端子(VIN)分开,同时搭载了低ON电阻(67mΩ)的NMOS驱动器。


具有高PSRR、高输出电流和快速响应的特性。

实现低噪音、高纹波去除率,可适用于传感器、高音质音频和射频设备等

采用尺寸为1.2mm×0.8mm×0.29mm的超小型封装。


规格和数据表


电路图


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  • zwjiang Lv8. 研究员 2022-01-03
    学习学习
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