中电国基南方SiC MOSFET填补了国内多项技术空白,WM1A系列入选十大国有企业数字技术成果

2021-05-01 中电国基南方
SiC MOSFET,WM1A,中电国基南方

4月25日,国务院国资委在第四届数字中国建设峰会上举办国有企业数字化转型论坛。论坛上,首次集中发布了十大国有企业数字技术成果。其中,国基南方SiC MOSFET电力电子器件作为核心电子元器件类代表,成功入选并正式对外发布。


SiC MOSFET是面向绿色环保、节能减排应用需求的电能转换核心器件。此次入选的中电国基南方WM1A系列SiC MOSFET产品,对标国际先进,突破高温高能离子注入、高迁移率栅氧化、激光退火等关键工艺,填补了国内多项技术空白。


作为宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室依托单位,国基南方建立了材料外延、器件设计、芯片制造、模块封装的产业链布局,在国内率先实现六英寸SiC MOSFET晶圆批产,形成了650V-6500V SiC MOSFET系列产品。


SiC MOSFET产品作为宽禁带半导体器件,具有大功率、低损耗、耐高温特点。该类产品应用于电能管理领域,系统体积、电力损耗较传统硅器件减少50%以上,可有效提升电能转换效率。


目前,国基南方SiC系列产品已批量应用于服务器电源、新能源发电、新能源汽车、电网输变电等领域,有效促进了低碳数字经济发展和能源结构升级。

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本文由犀牛先生转载自中电国基南方,原文标题为:国基南方SiC MOSFET电力电子器件入选十大国有企业数字技术成果,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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  • otsuka Lv8. 研究员 2021-06-15
    学习了!
  • 池塘邊的榕樹上 Lv6. 高级专家 2021-06-13
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