【产品】200V/40A N沟道增强型功率MOSFET RM40N200TI

2019-11-08 丽正国际

丽正国际(RECTRON)一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产,具备成套的专项技术。RM40N200TI是丽正国际推出的一款采用TO-220F封装的N沟道增强型功率MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计,可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,广适用于多种应用。


在TA=25°C时,RM40N200TI可以承受的漏源电压最大额定值为200V,栅源电压最大额定值为±20V,漏极连续电流最大额定值为40A,漏极脉冲电流最大额定值为160A,最大功率耗散为60W,单脉冲雪崩能量最大额定值为480mJ,结温和储存温度范围为-55~175℃,结至环境热阻典型值为2.5℃/W。

 

 产品特性
    

  •    VDS =200V,ID =40A 

       RDS(ON) <41mΩ @ VGS=10V

  •     高密度单元设计,可实现超低RDS(ON)

  •     完全表征雪崩电压和电流

  •     高EAS时具有良好的稳定性和一致性

  •     优良的封装,具有良好散热性

  •     特殊工艺技术可实现高ESD能力

  •     经过100%UIS测试

  •     经过100%ΔVds测试

  •     无卤素应用

  •     P/N后缀V表示通过AEC-Q101认证,例如:RM40N200TIV


应用领域

  •  功率开关应用

  •  硬开关和高频电路

  •  不间断电源

 

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  • maomao Lv7. 资深专家 2019-11-08
    不错的资料~~~
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