【应用】1250V/75A IGBT单管,65μm超薄晶圆,UPS/光伏行业最强单管

2017-09-24 世强 Joshua

Renesas的IGBT技术历史为:


图1


发展历史过程为G5H(TO-247)-G6H(TO-247)-G7H(只有芯片,没有IGBT单管)-G8H(TO-247和TO-247Plus)。


TO-247封装的IGBT单管是开关电源行业的单管使用技术常用的产品。中小功率的高频UPS和小功率段的组串式光伏产品均会采用单管搭建主功率电路拓扑架构。基于产品的功率段做得更高,产品的集成化更高,产品的体积更小的市场需求。Renesas推出了TO-247Plus封装的RBN75H125S1FP4(1250V/75A )IGBT单管。


RBN75H125S1FP4(1250V/75A )IGBT单管,主要是适应UPS和光伏的单管应用市场,它是具有高开关速度,高稳定性,低损耗的特点的G8H技术的单管。


1)高开关速度:

Renesas的RBN75H125S1FP4的IGBT为了提高开关特性,从结构和晶圆工艺上进行了优化。2015年优化了1250V/75A栅极的结构。RBN75H125S1FP4(1250V/75A )IGBT单管,开关频率可以做到20KHz甚至更高。


光伏和UPS现有常用的驱动频率是18KHz以内,这样为了更高的整机性能,增大驱动频率,RBN75H125S1FP4(1250V/75A )IGBT单管就是绝佳的选择。


 

图2


2)高稳定性

Renesas的RBN75H125S1FP4(1250V/75A )IGBT单管的稳定性的提高主要体现在两方面。

1.从结构和晶圆工艺上进行了优化提高IGBT的稳定性。

2.通过降低反向传输电容(Cres)技术实现稳定性的提高。Cres的降低,改善了驱动的Vge的波形振铃,避免了IGBT驱动关断期间振铃引起的误导通的情况,从而提高管子的使用的稳定性能。


当UPS和光伏的逆变架构采用单管方案,单路多管并联使用的情况下,IGBT单管的稳定性优势就会决定客户产品的稳定性。


图3


3)低损耗

1.RBN75H125S1FP4是TO-247Plus封装,中间是没有孔位的,只能通过压装的方式固定在散热器上。散热面积大,热损耗更低(其中θj-c=0.29℃/W,θj-cd=0.45℃/W)。


图4


2.RBN75H125S1FP4采用的是65μm的超薄晶圆,传导得到优化,降低了传导的损耗。

3.降低反向传输电容(Cres)技术,降低振铃,实现开关损耗的降低。


损耗的降低,相应的实现了UPS和光伏产品的效率的提升。


 

图5


综上,Renesas的RBN75H125S1FP4(1250V/75A) IGBT单管具有高开关速度,高稳定性,低损耗的特点。是UPS行业和光伏行业的最强的单管杀手。


相关技术文档:
Renesas RBN75H125S1FP4-A0 IGBT数据手册 详情>>>


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  • 海锋 Lv7 . 资深专家 2018-02-20
  • 159******45 Lv3 . 高级工程师 2018-01-10
    东西很好
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