【产品】搭载串行总线的64Kbit铁电存储器MR44V064B/MR45V064B,具有1.8V最低工作电压

2018-08-18 ROHM

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司(蓝碧石半导体)面向需要高频日志数据采集和紧急时的高速数据备份的智能仪表、医疗保健设备、汽车导航系统等,开发出搭载串行总线的64Kbit 铁电存储器FeRAMMR44V064B/MR45V064B


作为下一代非易失性存储器而备受期待的FeRAM,与已普及的一般非易失性存储器相比,具有“高速数据擦写”、“高擦写耐久性”、“低功耗”的特点,因此,是一种有助于实现应用的节电化和高性能化的器件。


铁电存储器MR44V064B/MR45V064B不仅实现了业界顶级的1.8V最低工作电压,而且2节镍氢充电电池也可使用FeRAM。2节AAA充电电池可实现约11年的擦写寿命(每秒擦写64Kbit时)等优势,非常有助于应用实现更长时间的驱动,还可扩大应用到便携设备和IoT领域。另外,支持的最大工作频率高达40MHz(SPI总线),仅1.64msec即可完成64Kbit的数据擦写,因此,即使系统发生异常也可进行超高速备份,从而保证数据的高可靠性。不仅如此,还具备两种不同的串行总线 (I2C总线、SPI总线),可灵活应对客户的系统规格。今后,蓝碧石半导体还会继续开发省电且高性能的产品,不断完善能够满足客户需求的、具备各种容量和接口等的产品阵容。

铁电存储器MR44V064B/MR45V064B实物图


近年来,随着节能化的发展趋势,不仅车载、工业设备,几乎在所有应用中均要求实现整个系统的低电压化。同时,随着高性能化发展,数据量日益增加,还要求更高速地将信息读取/写入到存储器。

蓝碧石半导体利用ROHM的铁电存储器制造技术和蓝碧石半导体的存储器设计技术双重优势,从2011年开始逐步扩充FeRAM系列产品。



铁电存储器MR44V064B/MR45V064B特点:

  1. 最低工作电压1.8V,可实现电池的长时间驱动

利用ROHM的低功耗铁电工艺技术优势,以及确保低电压下选择存储器数据的晶体管栅极电位,实现了业界顶级的1.8V最低工作电压。


由此,仅2节镍氢充电电池也可使用存储器。例如,用2节AAA充电电池按每秒每次64Kbit(原稿纸约10张)持续进行数据擦写,也可工作约11年,因此还可应用于需要长时间电池驱动的IoT领域。



2. 实现业界顶级的高速工作

通过减轻存储数据的铁电电容选择时的选择器负载,实现了超高速存取。I2C支持业界顶级工作频率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持业界顶级的高达40MHz的工作频率,从而增强了FeRAM的优势之一―高速数据擦写特点。


64Kbit的数据擦写时间仅需1.64msec,速度非常快,因此即使发生停电等意外电压下降故障,也可在断电前备份数据,因此数据丢失的风险非常低,无需配置用于应对停电的延长供电的部件。非常适用于要求高速性且高数据保存安全性的应用。



铁电存储器MR44V064B/MR45V064B应用领域:

工业设备、汽车配件、医疗设备、便携设备、IoT领域


铁电存储器MR44V064B/MR45V064B规格概要:

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本文由下线老捷达转载自ROHM,原文标题为:LAPIS Semiconductor开发出搭载超高速串行总线的 铁电存储器“FeRAM MR44V064B / MR4,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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  • 小乐 Lv7. 资深专家 2018-10-27
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  • 180******11 Lv4. 资深工程师 2018-10-08
  • 名扬 Lv3. 高级工程师 2018-08-18
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