活动ROHM,Littelfuse,扬杰科技,泰科天润等650V-3300V SiC器件,助力设备高频、高效率、小型化

2022-09-01 世强
碳化硅MOSFET,SiC MOS,超结MOSFET,SiC SBD 碳化硅MOSFET,SiC MOS,超结MOSFET,SiC SBD 碳化硅MOSFET,SiC MOS,超结MOSFET,SiC SBD 碳化硅MOSFET,SiC MOS,超结MOSFET,SiC SBD

世强元件电商代理数十几家国内外顶级SiC器件品牌,包括ROHM(罗姆)、Littelfuse基本半导体扬杰科技先导中心泰科天润CISSOID 等,SiC支持650V-3300V耐压等级,供货有保障,价格优惠。


品牌介绍      


专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商——ROHM

SiC MOS: 电压650-1700V, 导通阻抗17mOhm-1150mOhm,覆盖度广,封装齐全。

SiC SBD: 电压650V/1200V, 电流2A-40A型号,有车规AEC-Q101,封装齐全。

SiC Module: 全碳化硅模块,电压1200V, 导通阻抗3mOhm- 34mOhm。

【选型】ROHM(罗姆)SiC功率器件选型指南(中文)


 全球排名第一的电路保护供应商——Littelfuse(力特)

碳化硅肖特基分立二极管:正温度系数可确保安全运行,并轻松并联;最高运行结温为175 °C;卓越的浪涌性能;极为迅速、不受温度影响的切换行为;相比硅双极二极管,切换损耗显著减少。
碳化硅MOSFET:专为高频、高效应用优化;极低栅极电荷和输出电容;低栅极电阻,适用于高频开关;在各种温度条件下保持常闭状态;超低导通电阻;符合RoHS标准、无铅、不含卤素。

【选型】Littelfuse(力特)LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET数据手册

【选型】Littelfuse(力特)LSIC1MO120E0160 碳化硅MOSFET官方数据手册


国内功率半导体龙头进军第三代半导体——扬杰科技

SIC肖特基二极管:耐高温特性,工作温度(175°C);0反向恢复时间,有650V/1200V  2A-40A多个规格

【选型】扬杰科技(YANGJIE)碳化硅产品选型指南


全球高温半导体解决方案的领导者——CISSOID

智能功率模块IPM:三相全桥IPM,体积4.67L,功率密度可达58kW/L;半桥IPM,工作电压1700V,可兼容XM3、ME4封装,板级工作温度125°C。

分立器件:耐压范围-30V至1200V MOSFET,及SiC材料双二极管等,板级工作温度可达225°C。

【选型】CISSOID 晶体管/功率开关/二极管/线性稳压器/电压参考/DC-DC转换器/栅极驱动和马达驱动器/模数转换器/比较器/放大器/逻辑门/定时器/时钟发生器选型指南


致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI)

SiC JBS:反向恢复速度提高了几十到上百倍,硬开关损耗低。提高了系统的开关效率,可以做出更高频开关系统。SiC二极管覆盖650V~1200V电压需求。

SiC MOSFET:具备优秀的动静态特性,电压范围1200V以下,能够提供更高效率,适合更极端环境的第三代半导体器件。

【选型】瑶芯微(ALKAIDSEMI)功率器件产品选型指南


全球领先的电力电子模块解决方案的供应商——Vincotech(威科)

Sixpack模块:提供flow0/1,flowE1封装,900V/1200V电压,20-100A电流,常用于充电桩。

Booster模块:提供flow0/1/2封装,1200V电压,20A/35A电流,常用于电能质量。

H-bridge模块:提供flow0/1,flowE1/E2封装,900V/1200V电压,20-80A电流,常用于高速电机驱动。

【选型】新型基于碳化硅的功率模块选型指南


 国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商——泰科天润(GPT)

碳化硅肖特基二极管650V-3300V的工作电压,正温度系数可确保安全运行,最高运行结温为175℃,10倍的浪涌电流能力,极短的反向恢复时间(基本为零);反向恢复电荷量(Qrr)小,可降低开关损耗。

【选型】泰科天润碳化硅肖特基二极管选型指南


国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商——华太(Watech)

SIC SBD:175℃的工作温度,接近0的开关和反向恢复损耗,进一步提高电力电子装置的工作频率,减少设备体积

采用混合PN结肖特基结构,在保持低损耗条件下,又提高了鲁棒性。有650V/1200V 10A-75A 多个规格

SIC MOS:175℃的工作温度,低开关损耗。有1200V 160mΩ/80mΩ/40mΩ, 1700V 1Ω多个规格

【选型】华太(Watech)功率器件产品选型指南


 中国第三代半导体行业领军企业,碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体(BASiC)

碳化硅MOSFET:电压规格1200V;短路耐受时间可达6μs;导通电阻Rds(on):18~160mΩ;栅极开启电压Vth≥2.9V。

碳化硅肖特基二极管(SiC JBS):电压规格650V-1700V;电流2A~40A;反向漏电低至μA,比传统碳化硅二极管低三个数量级;抗浪涌电流能力超过8倍额定电流。

【选型】基本半导体(BASiC) SiC碳化硅功率器件 选型指南


碳化硅专利储备数量国内排名第一供应商——先导中心(SASTC)

碳化硅肖特基二极管:电压规格650V-5000V; 正向电流1-50A; 抗浪涌电流6倍于额定电流,反向漏电低至μA; 多种封装形式;

碳化硅MOSFET:电压规格1200V-3300V;导通电阻Rds(on):20~1000mΩ;驱动电压20V。

【选型】先导中心(SASTC)碳化硅(SiC)功率元器件选型指南


全球碳化硅MOSFET顶尖制造商之一:美浦森(Maplesemi)

高压MOSFET(VDMOS):电压200-900V;TO-220/TO-247/TO-251/TO-252/TO-262等封装;融合仙童制程和工艺;同种规格产品在EMI表现高6DB左右,抗冲击表现高10%。

碳化硅二极管(SiC DIODE):电压650-1200 V,电流2-40A ;TO-252/TO220/TO247等封装;符合车规AEC-Q101标准;VF值低至1.35 V,650V系列反向耐压达到850V以上,1200V系列反向耐压达到1600 V以上。

超结MOSFET(SJMOS):电压500V/600V/650V/800V,电流5A-76A;TO-220/TO-247/TO-251/TO-252/TO-262等封装;使用多层外延工艺,同等型号和条件下,EAS、EMI和稳定性更好;导通电阻低至42mΩ。

【选型】美浦森(Maplesemi)VD MOSFET/Super-JMOS/SIC Diode选型指南

【选型】美浦森(Maplesemi)高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南


 中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一:中电国基南方(CETC)

SiC肖特基二极管650V~3300V的工作电压,2A~50A的工作电流。

SiC MOSFET产品:650V~1700V的工作电压,17mΩ~1000mΩ的导通电阻。

【选型】中电国基南方SiC电力电子器件选型指南


国内碳化硅(SiC)功率器件先进供应商:森国科(SGKS)

SiC功率器件:SIC SBD系列产品主要分为650V和1200V系列,电流值主要为2A,4A,6A,8A,10A,20A,使用6寸晶元生产,车规级的生产工艺,具有高耐温,高频,高效,高压特性,在广大大功率电源产品广泛应用。

【选型】森国科(SGKS)碳化硅产品选型指南


中国第一批国产6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圆生产商:瞻芯电子(InventChip)

碳化硅肖特基二极管:1200V的工作电压,正温度系数可确保安全运行,最高运行结温为175℃;开关特性不受温度影响; 零反向恢复电流,零正向恢复电压;可在高频率下工作,有助于设备小型化和降低整体成本;高浪涌电流容量;含1200V系列5A/10A/15A/20A/30A/40A多种规格。

碳化硅MOSFET:电压650V /1200V,导通电阻 RDS(on): 50mohm、80mohm、160mohm,高速,寄生电容小;高工作结温;快速恢复体二极管。

【选型】瞻芯电子(InventChip)SiC MOSFET/SiC 二极管/SiC MOSFET栅极驱动芯片选型指南


国内领先的第三代半导体功率器件设计公司:派恩杰(PN Junction)

碳化硅SBD:核心参数正向压降小VF可达1.29V,达国外最新产品标准; 650V 6A 8A 10A 封装,TO220-2;650V 20A 封装,TO220-F。

碳化硅MOS:1200V/ 25mΩ 80 mΩ 120 mΩ,1700V/3Ω,650V40 mΩ;原胞(pitch)尺寸在3.2~6μm,比导通可达2.8mΩ; HDFM品质因数可达1.29,整体损耗更小,效率更高。

派恩杰SiC SBD & SiC MOS替代对照表


专业碳化硅功率器件供应商——即思创意(Fast SiC)

碳化硅MOS管:拥有超低输出电容电荷(Qoss最低达3.7nC,Co(tr)最低达9pF),数值与氮化镓(GaN)相当,且仅有硅超结MOSFET的1/10;耐受雪崩能量 达硅超结MOSFET的5倍以上;短路电流耐受能力达氮化镓的1000倍以上;具有低导通电阻及备优异的电磁干扰、电磁兼容特性 (EMI/EMC) ,最低可以比 Super-Junction 低 20dB。

Expedite the transformation of power electronics from Si to SiC


活动规则      


活动奖品:从上文下载任意一本选型指南或数据手册的VIP用户中,抽取10位送U型枕,点击了解活动规则详情>

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活动时间:2022年9月1日-2022年10月11日

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SIC MOS

P3M173K0K3系列

1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS

TO247-3

最小包装量:600

世强先进(深圳)科技股份有限公司

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发货地广东 东莞

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1. 预计交期为预估时间,不含国家法定节假日,不作为订单或合同约定内容。
2. 受限于发货时间和商品物流运输时间。
3. 商品运输过程中如遇不可抗拒力因素,如地震、水灾、旱灾、疫情等,交期可能有所延长。

预计交期?

约3个工作日

SIC MOS

P3M173K0K3系列

1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS

TO247-3

最小包装量:600

派恩杰半导体(杭州)有限公司

价格¥  11.7000

现货100

发货地浙江 杭州

预计交期
1. 预计交期为预估时间,不含国家法定节假日,不作为订单或合同约定内容。
2. 受限于发货时间和商品物流运输时间。
3. 商品运输过程中如遇不可抗拒力因素,如地震、水灾、旱灾、疫情等,交期可能有所延长。

预计交期?

约25工作日

SIC MOS

P3M173K0T3系列

1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS

TO220-3

最小包装量:2,000

世强先进(深圳)科技股份有限公司

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世强自营

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一支起订

价格¥  10.9200

现货5

发货地广东 东莞

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预计交期?

约3个工作日

SIC MOS

P3M173K0T3系列

1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS

TO220-3

最小包装量:2,000

派恩杰半导体(杭州)有限公司

价格¥  10.9200

现货200

发货地浙江 杭州

预计交期
1. 预计交期为预估时间,不含国家法定节假日,不作为订单或合同约定内容。
2. 受限于发货时间和商品物流运输时间。
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预计交期?

约25工作日

SIC MOS

P3M06300T3系列

650V,15A,RDS(on)=300mΩ,SIC MOS

TO220-2

最小包装量:2,000

世强先进(深圳)科技股份有限公司

原厂认证

世强自营

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发货地广东 东莞

SIC MOS

P3M06300T3系列

650V,15A,RDS(on)=300mΩ,SIC MOS

TO220-2

最小包装量:2,000

派恩杰半导体(杭州)有限公司

现货100

发货地浙江 杭州

预计交期
1. 预计交期为预估时间,不含国家法定节假日,不作为订单或合同约定内容。
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预计交期?

约25工作日

SIC MOS

P3M06040K4系列

650V,61A,RDS(on)=40mΩ,SIC MOS

TO247-4

最小包装量:600

世强先进(深圳)科技股份有限公司

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一支起订

价格¥  87.4200

现货2

发货地广东 东莞

预计交期
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预计交期?

约3个工作日

SIC MOS

P3M06040K4系列

650V,61A,RDS(on)=40mΩ,SIC MOS

TO247-4

最小包装量:600

派恩杰半导体(杭州)有限公司

价格¥  87.4200

现货97

发货地浙江 杭州

预计交期
1. 预计交期为预估时间,不含国家法定节假日,不作为订单或合同约定内容。
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约25工作日

SIC MOS

P3M171K0T3系列

1700V,6A,RDS(on)=1Ω,SIC MOS

TO220-3

最小包装量:2,000

世强先进(深圳)科技股份有限公司

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一支起订

价格¥  14.2800

发货地广东 东莞

SIC MOS

P3M171K0T3系列

1700V,6A,RDS(on)=1Ω,SIC MOS

TO220-3

最小包装量:2,000

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价格¥  14.2800

现货95

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SIC MOS

P3M06300D5系列

650V,9A,RDS(on)=300mΩ,SIC MOS

DFN 5*6

最小包装量:10,000

世强先进(深圳)科技股份有限公司

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价格¥  9.2200

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约3个工作日

SIC MOS

P3M06300D5系列

650V,9A,RDS(on)=300mΩ,SIC MOS

DFN 5*6

最小包装量:10,000

派恩杰半导体(杭州)有限公司

价格¥  87.4200

现货90

发货地浙江 杭州

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SIC MOS

P3M171K0K3系列

1700V,6A,RDS(on)=1Ω,SIC MOS

TO247-3

最小包装量:600

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一支起订

价格¥  14.3600

现货75

发货地广东 东莞

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SIC MOS

P3M06060K4系列

650V,48A,RDS(on)=60mΩ,SIC MOS

TO247-4

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P3M06060K4系列

650V,48A,RDS(on)=60mΩ,SIC MOS

TO247-4

最小包装量:600

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价格¥  58.2400

现货30

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约25工作日

SIC MOS

P3M12160K4系列

1200V,19A,RDS(on)=160mΩ,SIC MOS

TO247-4

最小包装量:600

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价格¥  35.8600

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SIC MOS

P3M06025K4系列

650V,97A,RDS(on)=25mΩ,SIC MOS

TO247-4

最小包装量:600

世强先进(深圳)科技股份有限公司

原厂认证

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价格¥  144.1600

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型号 描述 供应商/品质保证 价格(含增值税)

TVS Diodes

TPSMB Series系列

TVS SURF MT DO214AA AEQ101 ,Tape&Reel

DO-214AA

最小包装量:3,000

天津广瑞达汽车电子有限公司

价格¥  0.8000

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  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 10:53:56
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  • 用户55312177 Lv5. 技术专家 10:41:37
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  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 09:43:00
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