活动UnitedSiC全球首发第四代SiC FET,电压750V,RDS(on) 低至18/60mOhm,驱动电压0-12V

2021-01-05 世强
SiC FET,UJ4C,UnitedSiC

UnitedSiC(联合碳化硅)成立于1999年,是美国一家专业的碳化硅(SiC)功率半导体制造商,也是全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商。UnitedSiC开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管(FET)、碳化硅结型场效应晶体管(JFET)和碳化硅肖特基二极管(Schottky Diode)等功率半导体器件,且可定制为电动汽车充电器,DC-DC转换器,牵引变流器以及服务器电源、变速电机驱动器和太阳能逆变等应用提供业界最佳的系统效率和性能。


新产品介绍   


UnitedSiC全新的第4UJ4C系列SiC FET具备突破性的性能水平,旨在加速汽车和工业充电、电信整流器、数据中心PFC直流转换器以及可再生能源和能源存储应用中的功率性能提升。


SiC FET系列的亮点如下:

·750V VDS额定电压

·18毫欧至60毫欧的低RDS(on)

·降低了Coss(er)/Eoss和Coss(tr)

·同类最佳性能表征,降低了导通损耗,提高了效率、速度,同时将成本效益提升到了新高度

· 以标准0V12V15V栅极驱动电压安全驱动

·以真正的5V阈值电压维持的卓越阈值噪声容限

· 能在所有Si IGBTSi MOSFETSiC MOSFET驱动电压下运行

·内置ESD栅极保护钳

· 所有器件都符合AEC-Q101标准

· 使用行业标准的TO247-3LTO247-4L(开尔文)封装

· 静电保护,HBM 2

· 出色的反向恢复

·  出色的体二极管性能(Vf<2V         


UnitedSiC的新型750V第4代SiC FET在RDS(on)x Area,RDS(on)x Coss,tr和RDS(on)x Eoss等方面具有新的基准,从而为功率开关FoM达到了业界领先的性能。 下面显示的数据表结果说明了与竞争对手的SiC FET器件相比,新型高性能Gen 4系列器件如何在硬开关和软开关电路中实现更低的传导损耗,简单的栅极驱动以及更低的开关损耗。

RDS(on)x面积:对于给定的封装或封装类型,在有用温度范围内的导通损耗最低:25°C时传导损耗降低65-75%,125°C时传导损耗降低45-70%

硬开关:基于低Eoss / Qoss x RDS(on)的最低总损失:比竞争对手高出近2倍。

软开关:维持低RDS(on)x Coss,tr,可在软开关应用中实现更高的功率密度:Qg x VDrive将栅极驱动器损耗降低5-10倍;出色的体二极管可实现可靠的工作而不会产生共振。



UnitedSiC其它SiC系列介绍   


UF3C/SC系列:具有全球最低的RDS(on)的SIC FET,650V最低7毫欧,1200V最低9毫欧,有多种标准封装,可应用于OBC/车载DCDC等对效率要求极高的领域,能够大幅降低损耗,同时满足车规级要求。

UJ3D系列:覆盖650V-1700V的 SIC SBD,拥有优异的抗浪涌能力,高达额定电流的12倍。多用于电动汽车,太阳能逆变等。


活动资料            


【数据手册】UJ4C075060K4S 750V-58mΩ SiC FET

【数据手册】UJ4C075060K3S 750V-58mΩ SiC FET

【数据手册】UJ4C075018K4S 750V-18mΩ SiC FET 

【数据手册】UJ4C075018K3S 750V-18mΩ SiC FET


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活动规则  


活动对象:仅限VIP   免费升级VIP>> 您须是电子行业研发工程师、制造工程师、采购或企业高管等专业人士,准确填写工作及个人信息,并验证工作邮箱,通过审核即可免费成为VIP会员       

活动时间:2021年1月7日-2月4日

活动奖品:下载【活动资料】有机会赢取¥188 无线手机充电器,点击了解活动规则详情>>

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