【产品】反向重复峰值电压可达1200V的碳化硅肖特基二极管裸片,零正向/反向恢复时间

2018-11-09 Wolfspeed

WOLFSPEED是SiC市场的领头羊,能够提供业界一流的功率产品和专用的SiC材料供应,提供了绝大部分正在使用的SiC晶圆,在业内地位超绝。Wolfspeed推出的CPW4-1200-S008B是碳化硅肖特基二极管裸片,适用于所有类型的商业,工业,娱乐和计算机应用。它的轮廓及尺寸图如图1所示,具有超高耐压、超大电流、零正向/反向恢复时间以及低正向压降等优点。支持高频操作和超快转换,非常适用于手机、数码相机、平板电脑和笔记本电脑等领域。

图1 CPW4-1200-S008B的轮廓及尺寸图

 

在工作温度为25℃的条件下,CPW4-1200-S008B的反向重复峰值电压、反向峰值浪涌电压以及直流峰值阻断电压最大额定值分别为1200/1300/1200V。它的正向持续工作电流最大额定值在175℃的条件下,为8A。CPW4-1200-S008B具有较强的抗浪涌冲击能力,它的正向峰值重复浪涌电流最大额定值在TC=25˚C, tP=10ms,半正弦脉冲的条件下可达37.5A。它的正向峰值非重复浪涌电流最大额定值在TC=25˚C, tP=10ms,半正弦脉冲的条件下可达64A。CPW4-1200-S008B的正向非重复峰值电流最大额定值在TC=25˚C, tP=10us,单个正弦脉冲的条件下为600A,它的操作和结温范围为-55到+175℃,操作结温最高额定值为175℃,较宽的工作温度范围可以保证其能够适应较为恶劣的工业温度环境,满足大部分应用对于环境温度的苛刻需求,保证器件稳定性。



CPW4-1200-S008B的正向压降在正向电流为8A,测试温度为25℃的条件下,典型值为1.5V,最大值均为1.8V;在测试温度为175℃的条件下,典型值为2.2V,最大值为3V。它的漏电流在正向电压VR为1200V,测试温度为25°C的条件下,典型值为35μA,最大值为250μA;测试温度为175°C的条件下,典型值为100μA,最大值为350μA。泄露电流所造成的危害较小,能量损失低。在VR=800V, IF=8 A,di/dt = 200A/μs,TJ=25°C的条件下,其总充电电荷为37nC。在VR=0V,TJ=25°C,f=1MHz的条件下,CPW4-1200-S008B的总电容典型值为560pF。在VR=800V,TJ=25°C, f=1MHz的条件下,CPW4-1200-S008B的总电容典型值为27pF。


 


图2 CPW4-1200-S008B的典型电气特征图

CPW4-1200-S008B的机械参数

·裸片尺寸典型值2.00x2.00mm

·裸片厚度典型值377±10%μm

·阳极焊盘尺寸典型值1.72X1.72mm

·晶圆尺寸典型值100mm

CPW4-1200-S008B的突出特点与优势

·反向重复峰值电压、反向峰值浪涌电压以及直流峰值阻断电压最大额定值分别为1200/1300/1200V

·正向持续工作电流最大额定值为8A (TJ=175˚C)

·工作温度和结温范围为-55至+175°C

·正向峰值重复浪涌电流最大额定值为37.5A(TC=25˚C, tP=10ms,半正弦脉冲)

·正向非重复峰值电流最大额定值为600A(TC=25˚C, tP=10us,单个正弦脉冲)

·正向压降典型值为1.5V,最大值均为1.8V(IF=8A,TJ=25°C);典型值为2.2V,最大值为3V(IF=8A,TJ=175°C)

·总充电电荷为37nC(VR=800V, IF=8 A,di/dt = 200A/μs,TJ=25°C)

•零正向/反向恢复时间

•高频操作

•极快速切换

·VF为正温度系数

CPW4-1200-S008B的主要运用领域

·整流

·电池驱动的手持应用,包括手机、数码相机、平板电脑和笔记本电脑

 


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