【产品】适用于电动汽车动力系统新型SiC MOSFET E系列,首次满足AEC-Q101标准要求

2018-10-14 WOLFSPEED

2018年8月1日,通过推出E系列SiC MOSFET,WOLFSPEED扩展了其在碳化硅MOSFET领域的领导地位。这是工业界首款符合汽车标准,达到PPAP(Production part approval process,生产件批准程序)要求,以及耐潮湿的MOSFET。它采用了Wolfspeed的第三代技术,具有业界最低的开关损耗和最高的品质因数。E系列MOSFET针对EV电池充电器和高压DC/DC转换器进行了优化,可用于Wolfspeed的6.6kW双向功能板载充电器参考设计且适用于电动汽车动力系统。


E3M0280090D E系列汽车碳化硅MOSFET第三代技术

图1 Wolfspeed E系列SiC MOSFET产品外观


这里要介绍的E系列SiC MOSFET型号包括:E3M0280090DE3M0065090D以及E3M0120090D。它们同时满足AEC-Q101汽车标准以及PPAP要求。而且还在整个工作温度范围内达到了至少900V的Vbr(阻断电压),使得其在工作温度升高后保持较高的稳定性;这三款E系列SiC MOSFET都具有低输出电容,开关损耗较低,具有较高的开关速度。并且具有低漏源通态电阻RDS(on)的特点,导通状态下损耗极低,能量利用率较高。而且,这些MOSFET都有具有低反向恢复(Qrr)的快速二极管,节省了外部电路元器件的使用,具有易于驱动的优势。



图2 三款E系列SiC MOSFET的主要性能参数对比


首先,三款E系列SiC MOSFET的工作结温均高达150℃,可用于较高的温度环境,满足汽车环境的高温度要求;同时,由图2可以看出,E3M0065090D具有更高的额定电流,表明其支持更高的漏源极电流,具有更强的带负载能力。同时,E3M0280090D具有更低的门电荷,反向恢复电荷,输出电容以及反向恢复时间,表明其支持更高的开关速度,有利于提高有利于提高整个系统的工作频率;除此之外,E3M0065090D具有更低的漏源通态电阻,小的RDS(ON)值有利于减小导通期间器件产生的损耗。


E系列SiC MOSFET主要电气参数:

1、漏极-源极电压VDS MAX :900V

2、漏源通态电阻RDSE3M0280090D:280mΩ

                                   E3M0065090D:65mΩ

                                   E3M0120090D:120mΩ

3、工作温度:-55℃ - 150

4、漏极连续电流ID:E3M0280090D:11.5A(25℃),7.5A(100℃)

                                E3M0065090D:35A(25℃),23A(100℃)

                                E3M0120090D:23A(25℃),15A(100℃)

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    E3M0065090D具有更高的额定电流,表明其支持更高的漏源极电流,具有更强的带负载能力
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