活动 SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%
随着新能源市场的爆发，电动汽车、光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，SMC，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。
限时免费样品申请活动：可在对应厂牌下方直接申请样品，每个产品样品数量限量20PCS，先到先得！
品牌及产品介绍
致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）
瑶芯微推出的SIC MOS AKCK2M040WMH，耐压1200V，导通内阻低至40mΩ，持续电流59A，T0247-3封装，结温-55~+150℃，可以有效降低热损耗，提高工作效率，同时也可以减小变压器等器件的体积，节省空间。可应用于光伏逆变BOOST升压电路。
【数据手册】AKCK2M040WMH 1200V 40mohm Silicon Carbide Power MOSFET DATASHEET
爱仕特推出的N沟道SIC MOSFET-ASCXXN1200MT4系列产品，漏源电压1200V，结温和存储温度范围为-55℃至+150℃，低电容高速开关；高阻断电压，低RDS(on)；使用标准栅极驱动，驱动简单；符合ROHS标准，并经过100%雪崩测试；可用于EV充电、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动领域。
【数据手册】ASC60N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET
【数据手册】ASC30N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET
国内领先的第三代半导体功率器件设计公司——派恩杰（PN Junction）
派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，最大漏极电流为2.7A，符合RoHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3；高阻断电压，低导通电阻；工作结温范围为-55℃至+200℃，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC/DC转换器等领域。
【数据手册】P3M173K0K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode
【选型】派恩杰（PN Junction）碳化硅MOSFET选型指南
中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）
瞻芯电子推出的车规级SiC MOSFET“IV1Q12XXX”系列产品，漏源电压1200V，耐高压且低导通电阻；可高速开关，且寄生电容小；耐受工作结温高达175℃，鲁棒性好。可用于车载充电器，车载压缩机逆变器、车载DC/DC、光伏逆变器、开关电源等领域。
【数据手册】IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 车规级SiC MOSFET
【数据手册】IV1Q12160D7Z– 1200V 160mΩ 车规级 SiC MOSFET
【选型】瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/栅极驱动芯片/模拟控制芯片选型指南
中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一：中电国基南方（CETC）
中电国基南方（CETC）推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A040120L，高阻断电压，低通态电阻，低寄生电容，可用于高速开关；器件的漏-源电压（VDS）：1200V，漏源通态电阻（RDS(on)）：40mΩ，连续漏极电流（ID）：68A@Tc=25℃。广泛应用于再生能源、电动车蓄电池充电桩、高压DC/DC转换器、开关模式电源等场景。
【数据手册】WM2A040120L N-Channel SiC Power MOSFET
【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（中文）
SMC推出的SIC MOS S2M00XX120K系列产品，导通内阻涵盖16 mΩ、25 mΩ、40mΩ、80 mΩ， 目前有T0247-3、T0247-4两种封装，结温-55~+175℃，高阻断电压，低导通电阻，可以有效降低热损耗，提高工作效率；同时也可以减小设计体积，节省空间。可应用于光伏储能逆变器，高压DC/DC转换电路，汽车电驱以及汽车OBC。
【数据手册】S2M0025120K 1200V SIC POWER MOSFET
【数据手册】S2M0040120K 1200V SIC POWER MOSFET
【数据手册】S2M0080120K 1200V SIC POWER MOSFET
【选型】SiC MOSFETs & SiC Schottky Diodes & Bare Die SiC MOSFETs & Bare Die SiC Schottky Diodes
活动规则
申请样品：每个厂牌申请样品需要审核，请认真填写公司名称及项目需求等信息，否则样品申请无法履行。
活动对象：仅限VIP参与，如果您目前还不是VIP，可点击免费升级VIP>> 您须是电子行业研发工程师、制造工程师、采购或企业高管等专业人士，准确填写工作及个人信息，并验证工作邮箱，通过审核即可免费成为VIP会员
活动时间：2023年4月14日-2023年6月14日
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相关研发服务和供应服务
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| 型号 | 描述 | 供应商/品质保证 | 价格（含增值税） |
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SIC MOS P3M173K0K3系列 1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS TO247-3 最小包装量：600 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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SIC MOS P3M173K0K3系列 1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS TO247-3 最小包装量：600 |
派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
价格¥ 11.7000 现货8,000 发货地浙江 杭州 预计交期 预计交期? |
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SiC MOSFET IV1Q12160D7Z系列 漏源电压:1200V,导通电阻(典型):160mΩ,关断时的漏极漏电流(典型):5uA,栅极漏电流:±100nA TO263-7 最小包装量：800 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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Power MOSFET AKCK2M040WMH系列 Power MOSFET,High blocking voltage with low RDS(ON)、High-speed switching with low capacitances、Fast intrinsic diode with low reverse recovery (QRR)、Halogen-free,RoHS compliant TO-247-3L 最小包装量：600 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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SIC POWER MOSFET S2M0080120K系列 A single SiC Power MOSFET packaged in TO-247-4 case. The device is a high voltage n-channel enhancement mode MOSFET that has very low total conduction losses and very stable switching characteristics over temperature extremes TO-247-4 最小包装量：25 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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N-Channel SiC Power MOSFET WM2A040120L系列 Drain-Source Breakdown Voltage:1200V,Drain-Source On-State Resistance:40mΩ,Gate Threshold Voltage(Typ.):2.6V,Zero Gate Voltage Drain Current(Typ):1uA,Diode Forward Voltage(Typ):4.5V,Peak Reverse Recovery Current:5A,Continuous Drain Current@25℃:68A TO-247-4 最小包装量：360 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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SiC MOSFET IV1Q12080T4Z系列 1200V 80mΩ 车规级 SiC MOSFET TO247 最小包装量：1 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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晶闸管;SILICON MOSFET S2M0025120K系列 MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V TO-247-4 最小包装量：1 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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晶闸管;SILICON MOSFET S2M0040120K系列 MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V TO-247-4 最小包装量：1 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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SiC MOS芯片;N-Channel MOSFET ASC30N系列 1200V N-Channel MOSFET TO-247-4L 最小包装量：30 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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SiC MOS芯片;N-Channel MOSFET ASC30N系列 1200V N-Channel MOSFET TO-247-4L 最小包装量：30 |
深圳爱仕特科技有限公司 |
现货100 |
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SiC MOS芯片;N-Channel MOSFET ASC60N系列 1200V N-Channel MOSFET TO-247-4L 最小包装量：30 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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SiC MOS芯片;N-Channel MOSFET ASC60N系列 1200V N-Channel MOSFET TO-247-4L 最小包装量：30 |
深圳爱仕特科技有限公司 |
现货100 |
原厂认证
世强自营
世强代理
供货保障
研发推荐
一支起订| 型号 | 描述 | 供应商/品质保证 | 价格（含增值税） |
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Silicon Carbide Power MOSFET C3M0120100系列 1000V, 120 mOhm, G3 SiC MOSFET TO 247-4 最小包装量：600 |
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格¥ 44.4062 现货289 发货地广东 东莞 预计交期 预计交期? |
库存处理
超低价格- 【数据手册】AKCK2M040WMH 1200V 40mohm Silicon Carbide Power MOSFET
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- 世强你好，请推荐一款国产N沟道增强型场效应晶体管，要求VDss30V，ID5.0A，VGS±10V，SOT-23封装。
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本文由周娟提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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小蛮大人 Lv9. 科学家 2023-05-22学习 -
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Vera Lv5. 技术专家 2023-05-18学习 -
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用户58939479 Lv2 2023-05-17宴 -
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用户90047096El Lv6. 高级专家 2023-05-11学习了 -
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aceaddi Lv6 2023-05-05哦嗨哟 -
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真大虫无双 Lv8. 研究员 2023-05-04I see. -
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用户49610233 Lv3. 高级工程师 2023-05-03学习 -
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丝雨 Lv8. 研究员 2023-04-27学习 -
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