【产品】80A/100V的SGT工艺MOSFET CJAC80SN10,采用贴片5*6封装

2021-04-26 长晶科技
SGT工艺MOSFET,CJAC80SN10,长晶科技

长晶科技的SGT工艺 MOSFET CJAC80SN10,漏源级击穿电压为100V,连续漏极电流为80A,不含卤素,符合RoHS标准。该产品为PDFNWB5x6-8L封装,相较于TO-252-2L,封装更小,且厚度仅为1mm。SGT工艺MOSFET,具有较低的RDS(on),同时具有优秀的动态特性参数,可用于PD充电器,电源模块开关以及同步整流等应用。


CJAC80SN10的脉冲漏极峰值电流为320A,过流能力出色。器件的最高结温为150℃,存储温度范围-55~150℃。器件的结壳热阻的典型值为1.25℃/W。Tj=25℃下,MOSFET的RDS(on)典型值为6.2mΩ@VGS=10V;阈值电压典型值为1.9V;Rg典型值为3Ω;Ciss结电容典型值为2100PF;Qg典型值为50nC。


特点

●低RDS(on)

●低Ciss

●低热阻

●出色的动态特性

●高浪涌过流能力


优势

●优秀的散热能力

●超低栅极电荷

●低反向传输电容

●快速开关切换能力

●更强的耐雪崩能量冲击能力

 

应用

●开关电源(SMPS)

●PD充电器

●电源模块

●LED照明电源

●基站电源


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  • 牛xiansheng Lv4. 资深工程师 2021-04-28
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