【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A，具有较低的栅极电荷，可用于自动驾驶激光雷达
EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管（GaN FETs），为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案，可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。
作为全球增强型氮化镓（eGaN®）FETs和IC领域的领导者，EPC推出了两款新产品：一款是80V、6mΩ的EPC2204A，占用面积2.5mmx1.5mm，可提供125A脉冲电流；另外一款是80V、3.2mΩ的EPC2218A，可提供231A脉冲电流，占用面积3.5mmx1.95mm；这两款新品扩大了现有汽车用途的氮化镓晶体管的选择。为设计者提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。
EPC2204A和EPC2218A是高功率密度应用的理想选择，包括用于轻度混合动力汽车的48V~12V双向转换器，用于汽车和卡车的24V~48V DC-DC转换器，以及用于信息娱乐、照明和ADAS应用。
较低的栅极电荷（QGD）和零反向恢复损失允许1MHz及以上的高频操作。这些因素与极小面积内的高效率相结合，实现了最先进的功率密度。
例如，对于2kW~4kW的48V~12V转换器，GaN器件允许的频率是硅MOSFET方案的5倍。此外，GaN器件的电感是硅MOSFET的四分之一，GaN器件的电感尺寸更小，损耗也更小，GaN器件允许每相电流增加40%，最多可减少相对于硅MOSFET方案一半的相位，以降低系统成本和一半的尺寸。尽管GaN器件的尺寸较小，但效率提高至98%，比MOSFET解决方案高出2%以上。
对于低功率DC-DC转换器，例如车载信息娱乐应用，GaN允许在2MHz及以上的频率工作，科避免干扰并实现最小的解决方案尺寸。
GaN的快速开关速度具有亚纳秒跃迁，能够在不到3纳秒的时间内产生大电流脉冲，为自动驾驶、停车和防撞提供了更远的探测范围和更高的分辨率。
EPC联合创始人兼首席执行官Alex Lidow表示：“EPC2204A和EPC2218A是汽车激光雷达和48V DC-DC的理想开关，这些80V器件提高了高效汽车电气化和先进自动驾驶应用的性能和成本。EPC致力于为汽车市场提供从15V到100V的器件，并计划发布更多产品。”
- 【数据手册】EPC2204A – Automotive 80 V (D-S) Enhancement Mode Power Transistor eGaN® FET DATASHEET
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本文由LassieL翻译自EPC官网，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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