【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A,具有较低的栅极电荷,可用于自动驾驶激光雷达

2022-12-29 EPC官网
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EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管GaN FETs),为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案,可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。

作为全球增强型氮化镓(eGaN®)FETs和IC领域的领导者,EPC推出了两款新产品:一款是80V、6mΩ的EPC2204A,占用面积2.5mmx1.5mm,可提供125A脉冲电流;另外一款是80V、3.2mΩ的EPC2218A,可提供231A脉冲电流,占用面积3.5mmx1.95mm;这两款新品扩大了现有汽车用途的氮化镓晶体管的选择。为设计者提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。


EPC2204A和EPC2218A是高功率密度应用的理想选择,包括用于轻度混合动力汽车的48V~12V双向转换器,用于汽车和卡车的24V~48V DC-DC转换器,以及用于信息娱乐、照明和ADAS应用。


较低的栅极电荷(QGD)和零反向恢复损失允许1MHz及以上的高频操作。这些因素与极小面积内的高效率相结合,实现了最先进的功率密度。


例如,对于2kW~4kW的48V~12V转换器,GaN器件允许的频率是硅MOSFET方案的5倍。此外,GaN器件的电感是硅MOSFET的四分之一,GaN器件的电感尺寸更小,损耗也更小,GaN器件允许每相电流增加40%,最多可减少相对于硅MOSFET方案一半的相位,以降低系统成本和一半的尺寸。尽管GaN器件的尺寸较小,但效率提高至98%,比MOSFET解决方案高出2%以上。


对于低功率DC-DC转换器,例如车载信息娱乐应用,GaN允许在2MHz及以上的频率工作,科避免干扰并实现最小的解决方案尺寸。


GaN的快速开关速度具有亚纳秒跃迁,能够在不到3纳秒的时间内产生大电流脉冲,为自动驾驶、停车和防撞提供了更远的探测范围和更高的分辨率。


EPC联合创始人兼首席执行官Alex Lidow表示:“EPC2204A和EPC2218A是汽车激光雷达和48V DC-DC的理想开关,这些80V器件提高了高效汽车电气化和先进自动驾驶应用的性能和成本。EPC致力于为汽车市场提供从15V到100V的器件,并计划发布更多产品。”


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  • titan Lv8. 研究员 08:30:46
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  • 是蒲公英啊 Lv5. 技术专家 14:03:41
    好产品
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