【产品】兆易创新推出业界首款超小USON8封装的宽电压、低功耗SPI NOR Flash GD25WDxxCK系列

2019-02-27 兆易创新

GD25WDxxCK宽电压、低功耗SPI NOR Flash产品系列采用了业界最小的USON8封装,尺寸仅为1.5mm x 1.5mm, 为IoT设备、可穿戴应用和其他紧凑型电池应用带来优异的设计灵活性。


2019年1月25日,业界领先的半导体供应商兆易创新GigaDevice(股票代码603986)宣布全新的SPI NOR Flash GD25WDxxCK产品系列正式量产,它是业界首款采用1.5mm x 1.5mm USON8最小封装,并支持1.65V至3.6V的低功耗宽工作电压的产品。


作为GigaDevice久经市场验证的1.8V、2.5V、3.0V SPI NOR Flash产品系列的有效补充,这款全新的宽电压、超小尺寸产品系列进一步丰富了GigaDevice的Flash Memory产品线,为物联网、可穿戴、消费类及健康监测等对电池寿命和紧凑型尺寸要求严苛的应用提供了优异的选择。


“随着新兴应用的发展,尤其是电池供电的应用领域,愈来愈多的客户对产品的功耗、尺寸要求显著提高。”

 GigaDevice存储器事业部资深产品市场总监陈晖(Mike Chen)说道,全新推出的GD25WDxxCK系列产品应运而生,相比于目前市场现有的3mm 2mm USON8封装,这款新产品达到了前所未有的1.5mm x 1.5mm,缩小了高达60%的占板面积,同时支持1.65V至3.6V的宽压工作范围,待机电流仅为0.1µA,显著延长了约20%至30%的电池使用寿命,是客户进行小封装、低功耗产品设计的理想选择。


低功耗SPI NOR Flash GD25WDxxCK系列特性:

•支持1.65V至3.6V宽电压工作

•提供单通道、双通道串行SPI接口

•具备512Kb至8Mb不同容量的产品选项

•采用业界最小尺寸的1.5mm x 1.5mm USON8封装 (厚度0.5mm)

•最高可支持100MHz时钟频率

•低功耗特性:

  -待机电流仅为0.1µA 

  -以40MHz时钟工作时,读取电流低于3mA 

•高级安全特性:出厂设置的128-bit独特ID

•全温度工作范围:包括-40°C至85°C,-40°C至105°C,-40°C至125°C



供货信息:

GD25WDxxCK产品系列现已全面量产。

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