【产品】最最小输出功率高达80W,效率高达70%的大功率氮化镓晶体管CHK080A-SRA

2017-11-07 UMS(世强编辑整理)

全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商UMS于近期推出了一款大功率氮化镓晶体管--CHK080A-SRA,该产品最小输出功率高达80W,效率高达70%。其特殊的大功率封装形式为各种射频功率应用提供通用的和宽带的解决方案,深圳世强为其代理商之一。


CHK080A-SRA是一款具有大功率封装的氮化镓高电子迁移率晶体管,采用陶瓷-金属法兰的封装形式,这种封装具有低寄生、低热阻的优点,从而将大功率引起的热量有效地散发掉,通过良好的散热间接提升了功率容量和效率。CHK080A-SRA采用UMS先进的HEMT工艺进行制造,栅极长度0.5μm,正常工作时需要一个外部匹配电路。


CHK080A-SRA带宽3.5GHz,能够满足一般大功率通信系统的带宽需求。工作频点在3GHz时:小信号增益17dB,最大功率增加效率PAE为65%,最大PAE相关增益13dB,能够有效放大微弱信号,同时保证信号传输质量。


图1:CHK080A-SRA实物图


这款PA芯片的输入和输出匹配都不是标准的50Ω,在设计的时候需要预先考虑匹配结构。如果有技术条件的话,可以运用微带线预先仿真作为匹配电路。


图2:输入和输出阻抗值


CHK080A-SRA的产品特性:

· 贮存温度:-55℃~150℃

· 饱和输出功率:80W(最小值),100W(典型值)

· 带宽:3.5GHz

· 效率:高达70%

· 具有脉冲和CW两种操作模式

脉冲模式(工作频率在3GHz时):

——小信号增益典型值17dB

——饱和输出功率典型值100W

——PAE 典型值65%

——GPAE-MAX 典型值13dB

CW模式(工作频率在3GHz时):

——小信号增益典型值16dB

——饱和输出功率典型值80W

——PAE 典型值50%

——GPAE-MAX 典型值12dB

· 直流偏置:VDS = 50V @ ID_Q = 600mA

· MTTF> 106小时@ Tj=200℃

· RoHS陶瓷法兰封装

· ESD-HBM:Class 1B(1KV)

· ESD-MM:ClassB(400V)


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  • 北冥之鲲 Lv7 2019-03-13
    UMS 80W氮化镓功放,可用于S波段大功率雷达应用。
  • Smith Lv6. 高级专家 2019-07-20
    学习
  • 学习 Lv4. 资深工程师 2019-07-20
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  • maomao Lv7. 资深专家 2019-07-13
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  • 134******99 Lv7. 资深专家 2019-06-30
    学习一下!!!
  • EEric Lv4. 资深工程师 2019-06-28
    棒棒的
  • MR.XU Lv7. 资深专家 2019-06-20
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  • 乔峰 Lv7. 资深专家 2019-06-19
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  • 小仙女7102 Lv4. 资深工程师 2019-06-06
  • 梦里呼噜 Lv3. 高级工程师 2019-04-28
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