氮化镓快充完整解决方案:原理图、BOM、设计参考、免费样品

基于氮化镓技术、采用Type-C协议的PD快充,是目前充电器的优选;其中,60W的PD快充是目前主流的功率段之一。本方案采用GaN FET作为主开关器件,并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件,实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。在230VAC输入,20V/3A输出的条件下,其效率可高达94%,相对于Si MOSFET方案,带来了2%左右的性能提升。整个产品尺寸非常小,长宽高是31mm*31mm*60mm,功率密度高达18W/in3。
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型号:INN650D02,规格:650V/11A
其导通电阻最大仅200mΩ,Qg低至1.5nC,超小封装DFN 8x8,可实现100KHZ以上的超高开关频率,减小变压器体积。另外其导通损耗极低,且反向恢复损耗Qrr为零,可实现PD高效率设计。
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紧凑型二次侧同步整流驱动器:AP402
其支持DCM,QR和CCM模式,而且无需辅助绕组供电,具有16ns快速关断延迟,且静态电流小于220uA,自适应的栅极驱动可实现最大效率。
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贴片式整流桥:YBSM4010,规格:1000V/4A
其Vf低至1V,体积是10mm*10mm。导通电压低,体积小,在60W快充应用上,采用2PCS贴片方式降低器件温升且依旧可保持产品的小体积设计。
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TE5延时型保险丝:39213150000
250VAC/3.15A插件式方型保险丝,体积小,适合小型化设计,低内阻,防震外壳,无卤素,无铅,符合RoHS要求,可随意折弯安装,应用可靠性高。
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CS32G020系列控制芯片
可以支持PD3.0、PPS、QC4+、FCP、SCP、AFC、VOOC多种快充协议,目前是国内唯一通过了USB IF协会PD3.0双向认证的芯片,充电和放电均通过验证测试,是60W PD快充的首选控制芯片。
BD93W21F
是一款适用于AC适配器的USB Type-C PD控制器。符合USB Type-C标准和PD标 准。
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R9J02G012
支持最新USB PD3.0和USB Type-C标准。可以作为设备间的认证芯片,具有BGA 封装。
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F1M:快恢复整流二极管,1000V/1A,Ifsm是30A,trr是500ns,SOD-123FL封装。►点击了解F1M详情
SL14:肖特基二极管,40V/1A,Ifsm是28A,SOD-123FL封装。►点击了解SL14详情
BAS516Q:肖特基二极管,100V/250mA,Ifsm是2A,Trr是4ns,SOD523封装。体积小,反向恢复时间极其短,反向恢复损耗低。► 点击了解BAS516Q详情
MMBTA42:NPN三极管,300V/500mA,功耗350mW,封装SOT-23。► 点击了解MMBTA42详情
US1K:超快恢复的二极管,800V/1A,Ifsm是30A,trr是100ns,SMA /DO -214AC封装。► 点击了解US1K详情
1N4148WS:贴片开关二极管,100V/200mA/250mW,SOD323封装。► 点击了解1N4148WS详情
ES1J:超快恢复二极管,600V/1A,Ifsm是30A,trr是35ns,SMA /DO -214AC封装。► 点击了解ES1J详情
BZT52-B12S:齐纳二极管,12V稳压值,200mW功耗,封装SOD323。► 点击了解BZT52-B12S详情
MMBZ5234BV:齐纳二极管,6.2V稳压值,200mW功耗,封装SOD-523。► 点击了解MMBZ5234BV详情
RQ3E075ATTB:P沟道的MOSFET,-30V/23mΩ,导通电流18A,封装HSMT8。► 点击了解RQ3E075ATTB详情
RS1P600BETB1:N沟通功率MOSFET,100V/9.7mΩ,导通电流60A,能承受功耗35W,封装HSOP8。导通电阻低,体积小,适合高效小型化设计。► 点击了解RS1P600BETB1详情
铝电解电容,KYB系列:长寿命,低ESR,小体积
MLCC电容,MC系列:封装齐全,最小可到0201,高耐压,高精度。► 点击了解MC系列详情
CR系列:多种封装,最小可至0201,高精度,低温漂,高度可靠的多层电极结构与所有焊接工艺兼容,阻值范围1Ω到1MΩ均能满足。► 点击了解CR系列详情
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