【产品】20kV/μs高共模抑制比的高性能IPM驱动光耦HPL6L480,隔离电压高达5kV

2021-12-31 华联电子
IPM驱动光耦,IPM接口隔离,IGBT/MOSFET驱动,工业逆变器 IPM驱动光耦,IPM接口隔离,IGBT/MOSFET驱动,工业逆变器 IPM驱动光耦,IPM接口隔离,IGBT/MOSFET驱动,工业逆变器 IPM驱动光耦,IPM接口隔离,IGBT/MOSFET驱动,工业逆变器

华联电子推出的高性能IPM驱动光耦HPL6L480,具有20kV/μs高共模抑制比,隔离电压高达5kV,图腾柱输出。产品已通过VDE及UL安规认证。可广泛应用于IPM接口隔离、IGBT/MOSFET驱动、工业逆变器及数字隔离等场景。

产品特点:

1、高共模抑制比20kV/μs

2、图腾柱输出

3、隔离电压 5kV

4、安规认证:VDE UL


应用电路推荐


产品应用场景

             

IPM接口隔离                        IGBT/MOSFET驱动      

            

工业逆变器                           数字隔离


产品技术参数




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本文由犀牛先生转载自华联电子,原文标题为:震撼来袭|高性能IPM驱动光耦HPL6L480,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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