1200V、80/160毫欧 SiC MOSFET,现货替代CREE C2M008/160120D

2020-09-02 世强

相比于Si器件,SiC 器件具有宽禁带,高电场和高热导率特性。基于车载的DC/DC、OBC、充电桩和光伏MPPT等应用对高功率密度、高开关频率、低损耗的要求日益提高,Littelfuse(力特)推出规格为1200V/80mΩ和160mΩSiC Mosfet

● 它们拥有比竞争对手cree同规格产品更大的优势:开关损耗更低36%、导通电流能力最多高22%!

● 在封装上,也是市场主流的兼容封装TO-247-3,可以pin2pin替换选用,设计方便!

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 产品应用经验参考 

● N通道1200 V碳化硅MOSFET,专为高频、高效应用

● 最新超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET,可超越硅MOSFET和IGBT在电源转换系统中实现超快切换

● 两款全新1200V碳化硅MOSFET助力光伏逆变器设计,具有超低导通电阻80/160毫欧姆

LSIC1MO120E0160在感应加热应用中的逆变器电路设计和参数计算

● 高阻断电压碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080,LSIC1MO120E0160在高频感应加热的应用

● 力特SIC MOS帮助高频逆变电焊机效率提升至80%、体积减小15%

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LSIC1MO120E0160 1200 V N-channel, Enhancement-mode SiC MOSFET 数据手册

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  • otsuka Lv7. 资深专家 08:27:56
    学习了!
  • Jonylee Lv5. 技术专家 07:37:40
    学习了
  • 真大虫无双 Lv7. 资深专家 2020-09-19
    Mark~
  • cool Lv5. 技术专家 2020-09-19
    学习
  • 135******86 Lv7. 资深专家 2020-09-19
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  • 135******17 Lv4. 资深工程师 2020-09-19
    学习了
  • HailHydra Lv3. 高级工程师 2020-09-18
    可以,看着不错。可以试试。
  • 大橙子 Lv6. 高级专家 2020-09-17
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  • 用户74317992 Lv5. 技术专家 2020-09-17
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