【产品】高集成的恒流LED功率开关KP1075XWP,集成500V MOSFET、600V二极管、800V整流桥等

2021-11-18 必易微
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必易微KP1075XWP系列是高度集成的恒流LED功率开关,芯片采用了准谐振的工作模式,无需辅助绕组检测消磁。同时内部集成有高压500V功率MOSFET、600V超快恢复二极管、800V整流桥和高压自供电电路,简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度的电感电流采样技术,可以获得高精度的恒流输出,且输出的线电压和负载调整率表现优异。


KP1075XWP集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行,如:VDD 欠压保护功能 (UVLO)、逐周期电流限制 (OCP)、过热保护(OTP)、LED短路保护等。


主要特点

1、集成高压500V MOSFET

2、集成600V超快恢复二极管

3、集成800V整流桥

4、集成高压自供电电路

5、无VDD电容设计

6、±5%恒流精度

7、准谐振模式高效率工作

8、超低工作电流

9、优质的线电压和负载调整率

10、内部保护功能:

       逐周期电流限制(OCP)

       前沿消隐(LEB)

       LED短路保护

       过热保护(OTP)

11、封装类型ASOP-7


典型应用

    LED照明


典型应用电路

管脚封装

产品标记

典型功率表

备注: 最大输出功率受限于芯片最高结温,且与环境温度和PCB有关,实际系统最大输出功率请以测试为准。

管脚功能描述

订货信息

极限参数(备注1)

推荐工作条件

电气参数(环境温度为25℃,除非另有说明)

备注1:超出列表中"极限参数"可能会对器件造成永久性损坏。极限参数为应力额定值。在超出推荐的工作条件和应力的情况下,器件可能无法正常工作,所以不推荐让器件工作在这些条件下。过度暴露在高于推荐的最大工作条件下,可能会影响器件的可靠性。

备注2:最大耗散功率 PDmax=(TJmax-TA)/ƟJA,环境温度升高时最大耗散功率会随之降低。

备注3:参数取决于实际设计,在批量生产时进行功能性测试。


参数特性曲线

功能描述

KP1075XWP系列是一款高度集成的恒流LED功率开关,芯片采用了准谐振的工作模式,无需辅助绕组检测消磁,芯片同时集成500V功率开关、600V超快恢复二极管、800V整流桥和高压自供电电路,只需极少的外围器件即可达到优异的恒流特性,系统成本极低。    

    1、HVDD供电

KP1075XWP集成650V 高压供电电路, 功率MOSFET的栅极驱动直接通过高压供电电路供电,无需外置VDD电容。

    2、恒流控制

KP1075XWP系列会逐周期采样电感电流,当电感电流达到电流比较器阈值电压 (VCS_max=600mV) 时,立即关断功率MOSFET,电感进入消磁状态,当电感电流消磁完成时,再开启下一个周期。系统工作在电感电流临界模式,因此,输出恒流值由以下公式决定:

其中:Rcs---连接于CS管脚和GND管脚之间的采样电阻。

    3、电流采样和前沿消隐

在功率MOSFET导通时,会采样CS电阻两端电压,然后与内部过流比较器进行比较控制输出电流。但在MOSFET导通瞬间也会产生由MOSFET寄生电容和续流二极管反向恢复电流造成的电压尖峰。为了避免驱动信号错误关断,芯片内部设计有前沿消隐时间。在此时间内部 (典型值 500ns),内部PWM比较器停止工作以保证驱动信号稳定导通。

    4、消磁检测

KP1075XWP利用内部集成消磁检测电路,无需辅助绕组,极大减小了系统成本。

    5、最长和最短关断时间

当功率MOSFET关断后,在KP1075XWP内部设计有典型值1μs的最短关断时间限制以避免干扰。同时,芯片内部典型的最长关断时间设计为 270μs。

    6、过热保护(OTP)

KP1075XWP内部集成有过热保护功能。当芯片检测到结温超过 145℃ 时,内部的输出电流基准则开始逐渐降低直至达到温度平衡,如图 1 所示。通过过热保护功能,限制了系统的最高温度并提高了系 统的可靠性。

    7、软驱动

KP1075XWP设计有软驱动电路有效地降低了EMI噪声。

封装尺寸

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  • winthony Lv5. 技术专家 2021-11-25
    学习了
  • 丝雨 Lv8. 研究员 2021-11-24
    666
  • Paulwang Lv8. 研究员 2021-11-22
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  • 专业退堂鼓演奏家 Lv4. 资深工程师 2021-11-19
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  • zwjiang Lv8. 研究员 2021-11-19
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