【产品】-45V/±16A的P沟道功率MOSFET RD3H160SP,用于开关类应用

2019-11-08 ROHM

RD3H160SPROHM推出的P沟道功率MOSFET,采用TO-252封装形式,导通电阻最大值为50mΩ。产品易于并联使用,具有低导通电阻和快速开关的特点,适用于开关类应用。

图1 RD3H160SP功率MOSFET产品图及内部电路图


RD3H160SP功率MOSFET漏源电压最大额定值为-45V,栅源电压为±20V,连续漏极电流最大额定值为±16A,脉冲漏极电流最大额定值为±32A,具有较好的抗浪涌性。且其导通延迟时间td(on)典型值为13ns,上升时间tr典型值为22ns,关断延迟时间td(off)典型值为90ns,下降时间tf典型值为50ns,可满足高频开关电路设计需求。该器件最大结壳热阻可达6.25℃/W,最高结温为150℃,工作结温和存储温度范围均为-55~150℃,能够适应较为恶劣的工业环境。


RD3H160SP功率MOSFET产品特性:

低导通电阻

开关速度快

驱动电路简单

易于并联使用

无铅电镀;符合RoHS标准


RD3H160SP功率MOSFET应用领域:

开关类应用


RD3H160SP功率MOSFET订购信息:

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