【产品】低导通电阻的N沟道功率MOSFET RD3H200SN,导通电阻最大仅28mΩ

2019-11-08 ROHM

RD3H200SNROHM公司推出的一款具有低导通电阻的N沟道功率MOSFET。这款产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,适用于开关类应用。

图1 RD3H200SN功率MOSFET产品图及内部电路图


RD3H200SN功率MOSFET产品特性:

低导通电阻

开关速度快

驱动电路很简单

并联使用容易

无铅电镀;符合RoHS标准


RD3H200SN功率MOSFET应用领域:

开关类应用


RD3H200SN功率MOSFET采用TO-252封装形式,其漏源电压VDSS额定值为45V,连续漏极电流额定值为±20A。栅源短路时漏极电流IDSS最大为1uA(Tj=25℃),有效确保器件在运行过程中具有低损耗。且具有较低的导通电阻,当VGS=10V,ID=20A时,其典型值为20mΩ,最大值为28mΩ。


同时,该器件总栅极电荷Qg典型值仅为12nC,有着较好的开关性能。RD3H200SN功率MOSFET的td(on),tr,td(off),tf分别为10ns,20ns,50ns,20ns,导通和关断时间较低,可实现开关的快速切换。该器件最高结温为150℃,工作结温和存储温度范围均为-55~150℃,能够适应较为恶劣的工业环境。


RD3H200SN功率MOSFET订购信息:

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  • 小胖纸 Lv4. 资深工程师 2019-11-09
    学习了!
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