【产品】短路耐受时间8μs的650V/50A的IGBT,助力通用变频器及汽车应用领域

2019-11-08 ROHM

绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器(逆变器)、照相机的频闪观测器、感应加热(InductionHeating)电饭锅等领域。


罗姆(ROHMMG7102WZ为一款650V,50A的IGBT器件,其具有较低的集电极-发射极饱和电压,广泛应用于通用变频器、汽车和工业用途、汽车加热器等领域。


图1 产品原理图


图2 极限电气参数


图3 电气参数表


MG7102WZ IGBT特征

低集电极-发射极饱和电压

短路耐受时间8μs


MG7102WZ IGBT应用

通用变频器

汽车和工业用途

汽车加热器

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