【IC】英诺赛科新推高集成半桥驱动功率芯片ISG3201，耐压100V，导通电阻为3.2mΩ

时间： 2023-01-13 来源：英诺赛科公众号

为进一步提升数据中心模块电源、电机驱动、D类功率放大器、光伏逆变器及轻混电动汽车等48V电源系统的整体性能，英诺赛科推出高集成半桥驱动功率芯片：Solid GaN系列之100V半桥氮化镓功率芯片新品—ISG3201。

1、ISG3201产品概述

ISG3201是一颗耐压100V的半桥氮化镓芯片，其内部集成了2颗100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，凭借内部集成驱动省器去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数；同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制。

英诺赛科产品设计高级总监田水林博士表示：“ISG320x系列产品是英诺赛科主推的100V高功率密度GaN系列模块产品，该产品系列将半桥驱动和两颗GaN HEMT以及外围元器件高度集成，大大简化了电路设计。首发模块产品ISG3201面积（5x6.5）仅略大于单颗标准5x6 Si器件，有效减小了PCB板面积。优化的模块引脚设计显著减小了主功率寄生参数以及由此引起的电压尖峰，进一步提高了系统性能和可靠性。该系列产品是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。”

2、ISG3201产品特性

·高集成半桥驱动：2颗100V增强型氮化镓及1颗100V半桥驱动

·耐压100V，导通电阻3.2mΩ

·60A持续电流能力

·零反向恢复

·5*6.5*1.08mm封装

3、ISG3201产品优势

·支持100V高边电压

·集成驱动简化外围电路

·大幅降低栅极和功率回路寄生电感

·减小占板面积73%（VS Si）

·提升系统效率及功率密度

·更大散热面积，有效降低温升

4、ISG3201应用领域

ISG3201简化了低压氮化镓芯片在48V以及更低电压系统中的应用，可便捷搭配多种控制器，满足多场景应用需求，有效提升系统效率、降低系统能耗。

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