【元件】EPC新推200V、10mΩ的GaN晶体管EPC2307，采用QFN封装，实现高效灵活电机驱动设计

相关服务推荐：时间： 2023-02-06 来源：EPC

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宜普电源转换公司（EPC）推出200V、10mΩ的EPC2307，完善了额定电压为100V、150V和200V的6个GaN晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC-DC转换、AC /DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。

全球增强型氮化镓FET和IC领导者EPC推出200V、10mΩ的EPC2307，采用耐热增强型QFN封装，占位面积仅为3mmx5mm。

EPC2307与之前发布的100V、1.8mΩ EPC2302、100V、3.8mΩ EPC2306、150V、3mΩ EPC2305、150V、6mΩ EPC2308和200V、5mΩ EPC2304兼容，使设计人员能够权衡导通电阻与价格，在相同PCB占位面积上，放入不同的产品型号以实现更高效率或更低成本的解决方案。

这些器件采用顶部裸露的耐热增强型QFN封装。极小的热阻改善了通过散热器来散热，从而实现出色的热性能，而可润湿侧面简化了组装，而且封装兼容，为不同规格提供了设计灵活性，从而加快了产品的上市时间。

该系列器件为电机驱动设计带来各种优势，包括其极短死区时间可实现电机+逆变器系统的高效率、可降低磁损耗的较低电流纹波、可提高精度的较低转矩纹波，以及可降低成本的低滤波。

对于DC/DC转换应用，这些器件在硬开关和软开关设计中提供高达五倍的功率密度、出色的散热性能和更低的系统成本。此外，振铃和过冲都显着减少以改善EMI。

EPC的联合创始人兼首席执行官Alex Lidow 说：“该系列产品的封装尺寸兼容、易于组装的器件不断推陈而出，以支持工程师的设计实现高度灵活性、快速优化和上市。该系列器件用于体积更小、更轻的电机驱动器、更高效和更小的DC/DC转换器，以及更高效的太阳能优化器和微型逆变器。”

EPC90150 开发板采用半桥拓扑的EPC2307，旨在简化评估过程并加快产品上市时间。尺寸為2”x 2”（50.8mmx50.8mm）的电路板专为实现最佳开关性能而设计，包含所有关键组件以便于评估。

有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据您所需的特定工作条件，EPC会推荐合适的替代方案。

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司（EPC）是基于增强型氮化镓（eGaN^®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓场效应晶体管（eGaN场效应晶体管）及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。

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