聚能创芯携多款GaN材料、器件产品及应用方案亮相SEMICON CHINA 2021,性能处于国际业界领先水平

2021-11-16 聚能创芯
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2021年3月17日,以“跨界全球,心‘芯’相联”为主题的SEMICON CHINA 2021在上海新国际博览中心隆重开幕。作为第三代半导体材料及功率器件供应商,青岛聚能创芯微电子有限公司(简称“聚能创芯”)及其全资子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(简称“聚能晶源”),携多款高性能GaN材料、器件产品及应用方案于N2馆2207展位精彩亮相。

图 1

借本次展会契机,聚能创芯与聚能晶源展出了650V系列GaN外延晶圆材料GaN功率器件及相应的GaN快充应用方案。


此次展出的硅基GaN外延晶圆由聚能晶源成功研发,具有耐高压、耐高温、低漏电、低导通电阻等优点,根据标准TDDB测试方法,其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了109(10的九次方)小时,处于国际业界领先水平。

图 2

聚能创芯开发的650VGaN功率器件,采用增强型器件技术,具有低寄生效应、高开关速度、高效率的特点。该系列产品导通电阻覆盖55-300mΩ、稳定输出电流9-24A、RdsonxQg为350mΩ/nC,可满足0-10kW的消费类快充、无线充电、智能家电、5G通讯、云计算等应用场景的需求。在封装方面,产品采用业界先进的PQFN封装,兼顾方便易用、紧凑性、低寄生与良好散热的需求。

图 3

在此基础上,聚能创芯还开发了65-120W系列PD快充应用方案,以演示自有GaN功率器件在下一代快充应用中的技术优势。得益于聚能创芯GaN功率器件的低漏电、高效率、高开关速度的性能优势,聚能创芯GaNPD快充达到了输出效率大于94%,功率密度大于30W/inch³的水平,有效解决了当下大功率快充发热大、尺寸不便携的痛点,成为各类便携式电子产品的优秀电源解决方案。

图 4

面向新一代功率与微波系统应用,聚能晶源致力于为业界提供标准化的GaN外延晶圆产品和定制化服务,聚能创芯致力于为目前需求旺盛的GaN快充领域提供高性能、高性价比的纯国产GaN器件与应用技术解决方案,为5G通讯、云计算、新型消费类电源、智能驾驶等提供核心元器件支持。

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  • 慧慧1985 Lv7. 资深专家 2021-11-22
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