【产品】650V超结功率MOSFET TPB65R070D和TPP65R070D,漏极-源极导通电阻为0.07Ω

2019-10-08 无锡紫光微电子

TPB65R070DTPP65R070D无锡紫光微电子推出的650V超结功率MOSFET,超结功率 MOSFET是根据SJ(超结)原理设计的一种革命性的高压功率MOSFET技术,SJ MOSFET具有优化的性价比,适合消费和照明市场中对成本敏感的应用。


TPB65R070D和TPP65R070D超结功率 MOSFET的特点:

· 极低的优值系数(FOM):RDS(on)×Qg

· 100%雪崩测试

· 符合RoHS标准

 

TPB65R070D和TPP65R070D超结功率 MOSFET的应用:

· 开关模式电源(SMPS)

· 不间断电源(UPS)

· 功率因数校正(PFC)

 

器件丝印代码和封装信息:


关键性能参数:


绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明)


热阻:


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  • Arvin.Wang Lv7. 资深专家 2019-10-09
    学习
  • 好运常伴吾 Lv7. 资深专家 2019-10-08
    学习了
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