【产品】Alliance宣布新的8Gb高速CMOS DDR4 SDRAM:AS4C1G8D4和AS4C512M16D4

2020-09-21 Alliance

2020年9月—为了满足对更高密度CMOS DDR4 SDRAM不断增长的需求,Alliance Memory宣布通过两款新的8Gb高速CMOS DDR4 SDRAM,从而进一步扩展了其产品组合。与上一代DDR3 SDRAM相比,AS4C1G8D4AS4C512M16D4提供了更高的性能,分别采用78-ball和96-ball FBGA封装,具有更低的功耗和更快的数据传输速率。

图1 产品外观

主要规格和优点:

    低功耗+ 1.2V(±0.06V)

    提供78-ball和96-ball FBGA封装

    内部配置为1G x 8位(AS4C1G8D4)和512M x 16位(AS4C512M16D4),具有多达16个存储Bank

    快速时钟速度,可达1333MHz

    高达2666Mbps / pin的极高传输速率

    可在商业(0°C至+ 95°C)和工业(-40°C至+ 95°C)温度范围内使用

    支持连续和交错突发类型,即时读取或写入突发长度为BL8 / BC4 / BC4或8

    自动预充电功能,能够在突发序列结束时启动自定时行预充电

    易于使用的刷新功能,包括自动或自刷新

    符合RoHS

    无铅(Pb)和无卤素


应用:

    适用于工业,网络,物联网,汽车,游戏和消费市场应用的便携式电子产品,5G设计,台式计算机和服务器


型号列表:

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2. 受限于发货时间和商品物流运输时间。
3. 商品运输过程中如遇不可抗拒力因素,如地震、水灾、旱灾、疫情等,交期可能有所延长。

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  • 珍珍 Lv7. 资深专家 2020-10-21
    学习,下载
  • zwjiang Lv7. 资深专家 2020-10-06
    学习学习
  • 国丰 Lv7. 资深专家 2020-09-29
    学习了!
  • otsuka Lv7. 资深专家 2020-09-26
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