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技术问答
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【应用】英诺赛科氮化镓开关管助力双向AC-DC变换器设计，转换效率达95%
2023-03-04 - 应用方案 芯仙能源技术推出的这款双向AC-DC变换器具备2000W输出功率，支持整流输出模式和逆变模式，适合用于48V电池系统的储能应用等场合。逆变模块内部采用英诺赛科的氮化镓器件、继电器来自Churod中汇瑞德，线圈电压12V，触点容量50A；通过纳芯微驱动器驱动氮化镓开关管，交流输入和输出保险丝来自华德电子，为WM50系列电力熔断器。
【元件】英诺赛科发布100V VGaN INV100FQ030A，双向高压阻断，支持48V BMS应用
2023-10-16 - 产品 英诺赛科宣布推出100V双向导通器件INV100FQ030A，可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。为便于客户验证和导入，英诺赛科同步提供BMS系统解决方案，设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。
Innoscience Shipments of InnoGaN Chips Exceed 300 Million Pieces
2023-12-22 - 原厂动态 Innoscience Technology, the company founded to create a global energy ecosystem based on high-performance, low-cost, gallium-nitride-on-silicon (GaN-on-Si) power solutions, has shipped more than 300 million pieces of its InnoGan gallium nitride chips as of August 2023, helping customers achieve small size, high energy efficiency, and low loss product design.
【元件】采用FCQFN小体积封装的两款100V新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本
2023-08-17 - 新产品 英诺赛科已相继发布了INN100W032A、INN100W027A、INN100W070A等采用WLCSP封装的100V产品，并获得市场良好反馈。基于终端应用多样化，英诺赛科再次推出INN100FQ016A和INN100FQ025A，采用FCQFN小体积封装，延续了低导阻、低栅极电荷、低开关损耗和极低的反向恢复电荷等特性，具有良好的效率表现。
出货量已超过1.2亿颗，英诺赛科推出VGaN双向导通系列、SolidGaN合封系列等多款氮化镓芯片
2023-03-30 - 原厂动态 英诺赛科是全球领先的8英寸硅基氮化镓 IDM 企业，拥有世界上最大的氮化镓生产基地，先进的研发与制造能力，配套全自动生产线与全流程质量管控体系。2022年，英诺赛科全面增加研发投入，打造了40V、100V及150V工艺平台，推出了多系列创新型产品，并成功量产，在终端应用中表现出色。当前英诺赛科出货量已经超过1.2亿颗。
英诺赛科连续两年荣获全球最具潜力第三代半导体技术奖，LLC-DCXIBC模块助力数据中心系统效率全面提升
2023-11-14 - 原厂动态 英诺赛科受邀参与IIC高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛，并被评选为2023年全球电子成就奖-最具潜力第三代半导体技术企业，其InnoGaN助力高频高效高功率密度电源发展，提升数据中心效率。
英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表
2022/11/15 - 选型指南 英诺赛科 - HV GAN FET,低压氮化镓场效应晶体管,高压氮化镓场效应晶体管,LV GAN FET,晶圆,WAFER,INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
【产品】英诺赛科多款InnoGaN新品亮相，低导通电阻，封装寄生参数小，助力电源系统实现更高效率
2022-07-06 - 新产品 英诺赛科InnoGaN家族迎来了三名新成员，均为E-mode器件，耐压值分别为40V、100V、650V；具有低导通电阻、封装寄生参数小、超快开关速度、无反向恢复等诸多优点，为实现系统的高效率而生。
INN100W032A PCBLIB&SCHLIB&INTLIB
2023/10/23英诺赛科 - CAD模型库
英诺赛科 - ENHANCEMENT-MODE GAN POWER TRANSISTOR,增强型氮化镓功率晶体管,INN100W032A
【应用】国产GaN FET INN100W032A助力音圈电机，可承受最大峰值电流230A
2023-03-24 - 应用方案 本文推荐英诺赛科推出的INN100W032A氮化镓晶体管，耐压100V，导通电阻低至2.4mΩ，最高可承受260A尖峰电压，超低导通电阻Rds(on)2.5mΩ，正向连续电流60A，，可以很好地应用在高开关频率的音圈电机场景中。
英诺赛科持续推出高压和低压GaN功率器件，氮化镓场效应管等产品高频高效助力绿色能源革命
2022-12-24 - 原厂动态 2022年，在全球“双碳”战略的推动下，第三代半导体GaN也在应用市场中展露锋芒，基于其高频、高效、低能耗的优势，终端应用厂商对GaN的需求也迎来了持续攀升。英诺赛科作为全球领先的第三代半导体GaN IDM企业，一直致力于GaN功率器件性能及应用领域的突破，于2022年陆续推出了高压、低压等全电压领域产品。
出货量突破3亿颗，英诺赛科GaN技术成就新里程碑
2023-09-09 - 原厂动态 英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，在氮化镓芯片领域取得了令人瞩目的成就，截至2023年8月，已交付超过3亿颗芯片，产品广泛应用于消费电子、汽车激光雷达、数据中心等领域，涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类，为客户提供高能效、小体积、低损耗的氮化镓芯片。
用氮化镓打造绿色高效新世界——英诺赛科携氮化镓新品及创新方案亮相Electronica 2022
2022-12-10 - 原厂动态 英诺赛科拥有领先于全球的8英寸硅基氮化镓产能，始终致力于用氮化镓打造绿色高效新世界。在本次Electronica 2022展会现场，英诺赛科也从器件、应用方案及终端产品三个方面全面展示了氮化镓的最新技术及其在市场上的进展，吸引大量关注。
【应用】国产GaN FET芯片INN100W032A应用于PFC电源，导通电阻RDS(on)低至3.2mΩ
2023-03-03 - 应用方案 GaN属于第三代半导体材料，带来的效果是耐压以及热稳定性更好、开关频率更高、芯片尺寸可以做得更小。将GaN FET应用在PFC电源上，本文主要介绍国产厂牌英诺赛科的GaN FET芯片INN100W032A应用在PFC电源上的优势。
英诺赛科氮化镓出货量突破3亿颗，产品在消费类、汽车激光雷达，数据中心，新能源与储能领域的多个应用中大批量交付
2023-08-21 - 原厂动态 据TrendForce集邦咨询《2023 GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。得益于市场应用范围的扩大和八英寸硅基氮化镓技术的成熟，英诺赛科2023年上半年销售额比去年同期增长500%，累计出货量成功突破3亿颗！
