- 低剖面封装
- 内置应力缓解
- 玻璃钝化结点
- 低感抗
- 优秀的钳位能力
- 400W峰值脉冲功率能力
- 高重复率：0.01%（10/1000μs波形）
- 快速响应时间
- 典型漏电流小于1μA（超过10V）
- 高温焊接：260°C/10秒在端子处
- 塑料封装符合UL94V-0阻燃标准
- I/O接口
- AC/DC电源
- 低频信号传输线（如RS232、RS485等）
产品目录
| 订货型号 | 型号系列 | 品类 | 描述 | 封装/外壳/尺寸 | 生命周期 | 停产时间 | VRWM(V) | VC(V) | IPP(A) |
|
SMAJ28CA
|
瞬态抑制二极管
|
反向截止电压(Vrwm):28V;最大钳位电压:45.4V;Ipp=8.8A;双向
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SMA(DO-214AC)
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有效(ACTIVE)
|
-
|
28V
|
45.4V
|
8.8A
|
资料下载
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|
产品型号
|
品类
|
Package
|
AEC-Q101 Qualified
|
UNI/BI
|
Pppm (W)
|
VRWM (V)
|
VBR@IT_Min (V)
|
VBR@IT_Max (V)
|
IT (mA)
|
IR@VRWM_Max (µA)
|
VC@IPP_Max (V)
|
IPP_Max (A)
|
|
SMF5.0A
|
TVS管
|
SOD-123
|
N
|
UNI
|
200
|
5
|
6.4
|
7.25
|
10
|
800
|
9.2
|
21.7
|
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产品型号
|
品类
|
Uni/Bi
|
封装
|
PPk(W)
|
VBR Min.(V)
|
VBR Max.(V)
|
IT(mA)
|
IR(uA)
|
VRWM(V)
|
IPP(A)
|
VC(V)
|
IFSM(A)
|
工作温度(℃)
|
|
SMF5.0A
|
TVS
|
Uni
|
SOD-123FL
|
200W
|
6.4V
|
7V
|
10mA
|
200uA
|
5V
|
21.7A
|
9.2V
|
30A
|
-55℃~150℃
|
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产品型号
|
品类
|
封装
|
Type
|
Breakdown Voltage VBR @IT Min (V)
|
Breakdown Voltage VBR @IT Max (V)
|
IT (mA)
|
Vwm(V)
|
IR（µA）
|
IPPM(A)
|
VC(V)
|
PPPM(W)
|
|
SMF3.3A
|
TVS Diodes
|
SOD-123FL
|
Unidirectional
|
5.2
|
6
|
10
|
3.3
|
400
|
23.5
|
8.5
|
200
|
华轩阳电子二极管选型表
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|
产品型号
|
品类
|
封装
|
应用等级
|
VRWM(V)
|
VC(V)
|
CJ(pF)
|
IPP(A)
|
通道类型
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二极管方向
|
|
HESDUC5VB1AF-A
|
静电放电保护二极管
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DFN1006-2L
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民用级
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5V
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22V
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0.35pF
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4A
|
1通道
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双向二极管
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完美收官 | 华轩阳电子闪耀electronica China 2026：用心聆听，步履不停
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产品型号
|
品类
|
Package
|
Type
|
PPk/PPPM（W）
|
VBR _Min(V)
|
VBR _Max(V)
|
IT(mA)
|
IR@VRWM(μA)
|
VRWM(V)
|
IPP(A)
|
VC@IPP(V)
|
Tj（℃）
|
IFSM(A)
|
应用等级
|
|
1.5SMC100AQ
|
瞬态抑制二极管
|
SMC
|
Uni
|
1500
|
95
|
105
|
1
|
1
|
85.5
|
10.95
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137
|
-55～+175
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200
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车规
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长晶科技TVS二极管&ESD二极管选型表
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|
产品型号
|
品类
|
Status
|
Ppp(W)
|
VRWM(V)
|
VBRMin(V)
|
VBRMax(V)
|
IR(uA)
|
VC(V)
|
IPP(A)
|
it(mA)
|
Package
|
|
SMDJ440CA_SMCG
|
TVS二极管
|
Active
|
3000
|
440
|
492
|
543
|
1
|
713
|
4.21
|
1
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SMCG
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晶新TVS二极管芯片选型表
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产品型号
|
品类
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Vʀ(V)
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Iʀ(µA)
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Vʀᴡᴍ(V)
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Vᴄ(V)
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Iᴘᴘ(A)
|
Directional
|
Die Size(mm×mm)
|
Wafer Size
|
|
5T035N05V0
|
瞬态电压抑制二极管芯片
|
6 min;8 max
|
1
|
5
|
20
|
20
|
Uni
|
0.35×0.35
|
5"
|
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|
产品型号
|
品类
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类型
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VDSS耐压(V)
|
ID电流(A)
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VGS电压（V）
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RDON(mR)
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封装
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应用等级
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HC3M0030065K
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碳化硅场效应管
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N沟道
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650V
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97A
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-5~+20V
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6.5mR
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TO-247-4L
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工业级
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