- 表面贴装应用，优化板空间
- 低剖面封装
- 内置应力缓解
- 玻璃钝化结点
- 低感抗
- 优异的夹紧能力
- 600W峰值脉冲功率能力，10/1000μs波形，重复率（占空比）：0.01%
- 快速响应时间
- 典型IR在10V以上小于1μA
- 高温焊接：260℃/10秒在端子上
- 塑料封装具有UL94V-0阻燃性
- AC/DC电源
产品目录
| 订货型号 | 型号系列 | 品类 | 描述 | 封装/外壳/尺寸 | 生命周期 | 停产时间 | VRWM(V) | VC(V) | IPP(A) |
|
SMBJ58CA
|
瞬态抑制二极管
|
反向截止电压(Vrwm):58V;最大钳位电压:71.20V;Ipp=6.5A;双向
|
SMB
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有效(ACTIVE)
|
-
|
58V
|
71.20V
|
6.5A
|
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技术问答
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SMBJ5.0A - SMBJ5.0CA / SMBJ6.0A - SMBJ6.0CA / SMBJ6.5A - SMBJ6.5CA / SMBJ7.0A - SMBJ7.0CA / SMBJ7.5A - SMBJ7.5CA / SMBJ8.0A - SMBJ8.0CA / SMBJ8.5A - SMBJ8.5CA / SMBJ9.0A - SMBJ9.0CA / SMBJ10A - SMBJ10CA / SMBJ11A - SMBJ11CA / SMBJ12A - SMBJ12CA / SMBJ13A - SMBJ13CA / SMBJ14A - SMBJ14CA / SMBJ15A - SMBJ15CA / SMBJ16A - SMBJ16CA / SMBJ17A - SMBJ17CA / SMBJ18A - SMBJ18CA / SMBJ20A - SMBJ20CA / SMBJ22A - SMBJ22CA / SMBJ24A - SMBJ24CA / SMBJ26A - SMBJ26CA / SMBJ28A - SMBJ28CA / SMBJ30A - SMBJ30CA / SMBJ33A - SMB
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SMBJxxx(C)A瞬态电压抑制器
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HSMBJ58(C)AE352 瞬态电压抑制器
技术文档
华轩阳电子 - TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR,瞬态电压抑制器,HSMBJ58CAE352,HSMBJ58AE352,I/O INTERFACE,低频传输线信号,输入/输出接口,AC/DC电源,AC/DC POWER SUPPLY,LOW FREQUENCY SIGNAL TRANSMISSION LINE
华轩阳电子二极管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供全面的二极管（包含TVS/ESD保护二极管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、超快恢复二极管、整流桥等）选型。产品线覆盖静电放电（ESD）保护二极管，细分单/双向、1-5通道，工作电压涵盖3.3V至60V，电容低至0.25pF，峰值电流高达200A，封装包括SOD系列、SOT系列、DFN系列等。还提供各类肖特基二极管、开关/稳压/超快恢复二极管及整流桥，耐压/整流电压从20V至1700V，电流从毫安级至10A级别。广泛用于端口保护、电源管理、整流、信号调理、防反接、浪涌抑制等消费及工业电子应用。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
应用等级
|
VRWM(V)
|
VC(V)
|
CJ(pF)
|
IPP(A)
|
通道类型
|
二极管方向
|
|
HESDUC5VB1AF-A
|
静电放电保护二极管
|
DFN1006-2L
|
民用级
|
5V
|
22V
|
0.35pF
|
4A
|
1通道
|
双向二极管
|
长晶科技TVS二极管&ESD二极管选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供如下TVS二极管&ESD二极管的技术选型:Ppp(W)范围：+19~+15000；VRWM(V)范围：+1.5~+45633；IR(uA)范围：+0.01~+5000；VC(V)范围：+3.88~+828.....长晶科技的TVS二极管&ESD二极管有SOD-723、SOP8、SOT-143、DFNWB2×2-3L、DO-15等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
|
产品型号
|
品类
|
Status
|
Ppp(W)
|
VRWM(V)
|
VBRMin(V)
|
VBRMax(V)
|
IR(uA)
|
VC(V)
|
IPP(A)
|
it(mA)
|
Package
|
|
SMDJ440CA_SMCG
|
TVS二极管
|
Active
|
3000
|
440
|
492
|
543
|
1
|
713
|
4.21
|
1
|
SMCG
|
KINCARRY(晶凯瑞)大功率TVS选型表
选型表 - KINCARRY KINCARRY提供如下大功率TVS二极管选型，封装覆盖SOD-123FL、SMAG、SMBG、SMCG、DO-41/DO-15/DO-27、R-6。反向工作电压VRWM 5V-440V，峰值脉冲功率PD 200W-5000W，峰值脉冲电流IPP 0.5A-543A，含单向(A)与双向(CA)两种极性，工作结温-55℃~+175℃，适用于电源端口、通信接口、工业控制及汽车电子等浪涌保护场景。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
PD(W)
|
VRWM(V)Max
|
IR(µA)
|
IR@VR(V)
|
VBR(V)Min
|
IT（mA）
|
VC@IPP(V)
|
IPP(A)
|
Tj(℃)
|
|
SMF5.0A
|
大功率TVS
|
SOD-123FL
|
200
|
5
|
800
|
6.4
|
6.4
|
10
|
9.2
|
21.7
|
-55~+150
|
扬杰科技瞬态抑制二极管选型表
选型表 - 扬杰科技 扬杰科技提供以下技术参数的瞬态抑制二极管选型，最大功耗：200W~5000W，最大反向漏电流：1μA~5000μA;
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产品型号
|
品类
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Package
|
Type
|
PPk/PPPM（W）
|
VBR _Min(V)
|
VBR _Max(V)
|
IT(mA)
|
IR@VRWM(μA)
|
VRWM(V)
|
IPP(A)
|
VC@IPP(V)
|
Tj（℃）
|
IFSM(A)
|
应用等级
|
|
1.5SMC100AQ
|
瞬态抑制二极管
|
SMC
|
Uni
|
1500
|
95
|
105
|
1
|
1
|
85.5
|
10.95
|
137
|
-55～+175
|
200
|
车规
|
灿阳科技瞬态电压抑制二极管&低电容TVS选型表
选型表 - 灿阳科技 该选型表提供灿阳科技瞬态电压抑制二极管&低电容TVS产品选型，涵盖SMA、SMB、SMC以及DO形态多种封装，PPK (W)范围：400~100000。EIC 提供极其广泛的分立产品选择，拥有 10,000 多个部件号和 40 多种封装类型。所有产品的制造都严格注重高质量和可靠性。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
PPK(W)
|
VBR(V)Min.
|
VBR(V)Max.
|
IT(mA)
|
VRWM(V)
|
IR(µA)
|
IRSM(A)
|
VRSM(V)
|
Maximum Junction Capacitance@ 0 Volt(pF)
|
|
SMAJLCE28A
|
LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
|
SMA
|
1000
|
31.1
|
35.1
|
1
|
28
|
5
|
21.05
|
47.5
|
100
|
华轩阳电子US2A-US2M
数据手册 本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司的一款SMA封装的元器件，包括其电气特性、典型特性、封装尺寸、注意事项等。资料中提供了该元器件的最大重复峰值反向电压、最大均方根电压、平均正向电流等关键参数，并附有测试电路图和典型特性曲线。
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鲁光电子(LGE)TVS二极管选型表
选型表 - 鲁光电子 鲁光电子提供TVS二极管选型，封装含SOD-123FL、SMA、DO-41、DO-15。单向特性、Vwm：3.3-600V 、VBR：5.2-630V全范围可选，PPPM：200-500W，IPPM：0.46-54A，低IR：1-1000µA，极快响应，适用于电源、通信、汽车等过压保护。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
Type
|
Breakdown Voltage VBR @IT Min (V)
|
Breakdown Voltage VBR @IT Max (V)
|
IT (mA)
|
Vwm(V)
|
IR（µA）
|
IPPM(A)
|
VC(V)
|
PPPM(W)
|
|
SMF3.3A
|
TVS Diodes
|
SOD-123FL
|
Unidirectional
|
5.2
|
6
|
10
|
3.3
|
400
|
23.5
|
8.5
|
200
|
华轩阳电子MOSFET选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供全面的MOSFET场效应晶体管选型，覆盖N沟道、P沟道、N+N双N沟道、P+P双P沟道、N+P复合沟道以及碳化硅场效应管等全品类。耐压范围涵盖20V至1700V，电流从0.1A至400A，导通电阻（RDS）最低至0.6mΩ，提供SOT-23、SOP-8、TO-252、DFN等多种封装。产品线既包含通用的消费级应用，也覆盖高性能、低内阻的工业级和汽车级（SiC）解决方案，可广泛满足电源管理、电机驱动、负载开关、逆变器等多样化电路设计需求。
|
产品型号
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品类
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类型
|
VDSS耐压(V)
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ID电流(A)
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RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
|
RDON(mR)
|
封装
|
应用等级
|
|
HXY2301AI
|
P型场效应晶体管
|
P沟道
|
20V
|
3A
|
87mΩ
|
25mR
|
SOT-23
|
民用级
|
