- 高效的RDS(ON):小于30mΩ @ VGS=10V
- 低栅极电荷
- 支持最低2.5V的栅极电压
- 绝对最大额定值:VDS = 30V, ID = 5.8A
- 工作结温和存储温度范围:-55°C至150°C
- 热阻:RθJA = 89°C/W
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源(UPS)
产品目录
| 订货型号 | 型号系列 | 品类 | 描述 | 封装/外壳/尺寸 | 生命周期 | 停产时间 | 类型 | VDSS | ID |
|
SI2306A
|
场效应管
|
N沟道,VDSS耐压30V,ID电流5.8A,RDON导通电阻30mR@VGS10V(MAX),VGS(th)开启电压0.7-1.4V,
|
SOT-23
|
有效(ACTIVE)
|
-
|
N沟道
|
30V
|
5.8A
|
资料下载
相关推荐
华轩阳电子N型场效应晶体管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供N沟道MOSFET的选型。本表涵盖N沟道场效应管,耐压范围20V至650V,电流范围0.1A至400A,导通电阻涵盖2.4mΩ至6000mΩ。封装形式多样,包括SOT-23、SOP-8、TO252-2L、TO252-3L及DFN1006-3L等。所有产品均为民用级,适用于消费电子、电源管理及开关电路等应用场景。
|
产品型号
|
品类
|
类型
|
VDSS耐压(V)
|
ID电流(A)
|
RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
|
RDON(mR)
|
封装
|
应用等级
|
|
HXY2302AI
|
N型场效应晶体管
|
N沟道
|
20V
|
3A
|
45mΩ
|
33mR
|
SOT-23
|
民用级
|
电子有限公司 N沟道增强型MOSFET SI2306A
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了SI2306A是一款采用先进沟槽技术的MOSFET,具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作能力。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
华轩阳电子 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,SI2306A,BATTERY PROTECTION,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关
Si2306A N沟道增强型MOSFET
2023/7/24 - 数据手册 SI2306A是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型MOSFET,具有优异的RDS(ON)、低栅极电荷和2.5V的低栅极电压操作能力。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
华轩阳电子 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SI2306A,电池,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,BATTERY,LOAD SWITCH,负载开关
华轩阳电子二极管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供全面的二极管(包含TVS/ESD保护二极管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、超快恢复二极管、整流桥等)选型。产品线覆盖静电放电(ESD)保护二极管,细分单/双向、1-5通道,工作电压涵盖3.3V至60V,电容低至0.25pF,峰值电流高达200A,封装包括SOD系列、SOT系列、DFN系列等。还提供各类肖特基二极管、开关/稳压/超快恢复二极管及整流桥,耐压/整流电压从20V至1700V,电流从毫安级至10A级别。广泛用于端口保护、电源管理、整流、信号调理、防反接、浪涌抑制等消费及工业电子应用。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
应用等级
|
VRWM(V)
|
VC(V)
|
CJ(pF)
|
IPP(A)
|
通道类型
|
二极管方向
|
|
HESDUC5VB1AF-A
|
静电放电保护二极管
|
DFN1006-2L
|
民用级
|
5V
|
22V
|
0.35pF
|
4A
|
1通道
|
双向二极管
|
华轩阳电子场效应管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供MOSFET的选型。本表涵盖N沟道、P沟道及N+P沟道器件,耐压范围12V-700V,电流范围0.1A-400A,导通电阻1.2mR-8000mR,栅极驱动电压8V-30V。封装形式多样,包括SOT-23、TO-252-2L、DFN5X6-8L及TSON-8等。产品均属消费级,适用于消费电子领域的电源管理及信号处理等应用。
|
产品型号
|
品类
|
类型
|
VDSS耐压(V)
|
ID电流(A)
|
VGS电压(V)
|
RDON(mR)
|
封装
|
应用等级
|
|
HN6384
|
场效应管
|
N沟道
|
30V
|
70A
|
20V
|
1.4mR
|
DFN5X6-8L
|
消费级
|
完美收官 | 华轩阳电子闪耀electronica China 2026:用心聆听,步履不停
2026-07-06 - 原厂动态 华轩阳电子在electronica China 2026展示核心产品,包括高压大电流IGBT、超低内阻MOSFET、GaN与SiC碳化硅方案、超低电容ESD保护方案及高精度非接触式电流传感器,致力于提供功率器件解决方案。
华轩阳电子LDO选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子LDO选型表包括以下品类:100mA线性稳压器,1A线性稳压器,250mA线性稳压器,300mA低压差线性稳压器,500mA低压差线性稳压器,500mA线性稳压器,50mA线性稳压器;并包含以下几种封装:SOT-223,SOT-23,SOT-89,SOT89-3L,TO252-2L;应用等级 分为民用级和消费级,输出类型分为固定或可调,输出极性分为正或负。
|
产品型号
|
品类
|
输入电压
|
输出电压
|
输出电流
|
封装
|
应用等级
|
输出类型
|
输出极性
|
|
HXY6206I-2.5
|
低压差线性稳压器
|
8V
|
2.5V
|
300mA
|
SOT-23
|
民用级
|
固定
|
正
|
华轩阳电子三极管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供全面的三极管选型,涵盖NPN、PNP、达林顿管、NPN+NPN、PNP+PNP、NPN+PNP对管等多种细分类型。产品电流覆盖0.1A至10A,耐压范围从12V至480V,直流电流增益(hFE)范围宽泛,高频型号特征频率可达6.5GHz。提供SOT-23、SOT-89、SOT-323、SOT-223、TO-92、TO-252、TO-220、SOT-363等多种主流封装。该系列产品适用于通用放大、开关、驱动、功率控制、射频放大、音频功放等广泛电路设计,满足从消费电子到工业功率控制的各种应用场景需求。
|
产品型号
|
品类
|
集电极电流
|
集射极击穿电压
|
类型
|
封装
|
|
MJD127T4G
|
三极管
|
8A
|
100V
|
PNP
|
TO-252-2L
|
华轩阳电子碳化硅场效应管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供碳化硅MOSFET的选型。本表涵盖SiC N沟道MOSFET,包含650V、900V、1200V及1700V电压等级。导通电阻范围3.4mΩ至2800mΩ,漏极电流5A至125A。封装形式包括TO-247-3、TO-247-4L、TO-247-AC-3、TO-263-7L及TO-3PF等。产品适用于工业级高功率应用,满足不同散热与安装需求。
|
产品型号
|
品类
|
类型
|
VDSS耐压(V)
|
ID电流(A)
|
VGS电压(V)
|
RDON(mR)
|
封装
|
应用等级
|
|
HC3M0030065K
|
碳化硅场效应管
|
N沟道
|
650V
|
97A
|
-5~+20V
|
6.5mR
|
TO-247-4L
|
工业级
|
华轩阳电子US1G-E3/61T
1970/01/01 - 数据手册 本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司的一款SMA封装的US1G-E3/61T型号二极管。资料中包含了该二极管的电气特性、典型特性、封装尺寸、注意事项以及相关参数。
华轩阳电子 - 二极管,US1G-E3/61T,适用于需要高可靠性的应用,如生命支持系统、飞机控制系统等
查看更多版本华轩阳电子ESD/TVS静电浪涌保护元器件 —— 您值得信赖的选择
2024-09-06 - 产品 在当今高速发展的电子设备市场中,静电放电和瞬态电压尖峰已成为影响产品可靠性和使用寿命的重要因素。为了应对这些挑战,华轩阳电子作为一家半导体元器件供应商,致力于提供高质量、高性能的ESD/TVS保护解决方案。
华轩阳电子监控和复位芯片选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供监控和复位芯片的选型。本表涵盖电压监控器及复位芯片,支持推挽输出类型,受监控电压数为1路。阈值电压范围覆盖2.63V至4.75V,提供多种电压规格选择。封装形式主要包括SOT-23、SOT-143及SOP-8,适用于微处理器系统及电源管理的电压监测与复位应用。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
输出类型
|
阈值电压
|
受监控电压数
|
|
MAX811TEUS+T
|
监控和复位芯片
|
SOT-143
|
推挽
|
3.08V
|
1
|
华轩阳电子(HUA XUAN YANG ELECTRON)ESD选型表
2023/8/31 - 选型指南 华轩阳电子 - ESD8LM5.0C,PESDNC2FD5VB,ESD8L5.0C,ESD8D5.0C-V2,HESDLC5VB1AF-A,LESD8D3.3CAT5G,ESD8D24C,PESD5V0U1UA,HESDNC24VB1AF-A,ESD8D3.3C,ESD8D7.0C,ESD8LL5.0C,ESD8D5.0C,LESD8D7.0CAT5G,HESDNC3V3B1AF-A,ESD8D12C,HESDNC5VB1AF-A,HESDNC7VB1AF-A,HESDNC12VB1AF-A,HESDNC5VB1AF-B,HESDUC5VB1AF-A,HESDUC5VB1AF-B,ESD5451N
华轩阳电子US2A-US2M
1970/01/01 - 数据手册 本资料详细介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司的一款SMA封装的元器件,包括其电气特性、典型特性、封装尺寸、注意事项等。资料中提供了该元器件的最大重复峰值反向电压、最大均方根电压、平均正向电流等关键参数,并附有测试电路图和典型特性曲线。
华轩阳电子 - 二极管,US2A-US2M,适用于需要较高正向电流的应用
查看更多版本华轩阳电子TVS二极管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供TVS二极管的选型。本表涵盖瞬态电压抑制二极管,支持单向及双向保护类型。产品反向工作电压范围3V至250V,峰值脉冲电流范围1A至326.1A,结电容涵盖0.13pF至1700pF。封装形式多样,包括SMA、SMC、SOT-363、SOD-323、DFN1006-2L及DFN2X2-3L等,提供1至5通道配置,适用于电源线路及高速信号接口的浪涌防护。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
IPP
|
VRWM
|
LINE
|
VGS
|
|
P4SMA12A-E3/61
|
TVS二极管
|
SMA
|
24.6A
|
10.2V
|
1通道
|
Uni单向
|