产品目录
| 订货型号 | 型号系列 | 品类 | 描述 | 封装/外壳/尺寸 | 生命周期 | 停产时间 | VDRM_Min(V) | IDRM_Max(uA) | VS_Max(V) | IS_Max(mA) | IH_Min(mA) | VT_Max(V) | IT_Max(A) | Co_Typ(pF) | Ipp@10/1000us(A) | @VDRM_Min(V) | CO_Typ(pF) | Tj(℃) | Marking |
|
P2600TA
|
半导体放电管(TSS)
|
VDRM_Min(V):220,IDRM_Max(uA):5,VS_Max(V):300,IS_Max(mA):800
|
SMA
|
有效(ACTIVE)
|
-
|
220
|
5
|
300
|
800
|
120
|
4
|
2.2
|
50
|
45
|
-
|
-
|
-
|
-
|
|
|
P2600TAL
|
半导体放电管
|
IDRM_Max(uA):5,@VDRM_Min(V):220,VS_Max(V):300
|
SMA
|
有效(ACTIVE)
|
-
|
-
|
5
|
300
|
800
|
120
|
4
|
2.2
|
-
|
45
|
220
|
50
|
-55℃-125℃
|
P26A
|
资料下载
暂无相关资料
相关推荐
晶导微电子放电管选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供放电管(Thyristor Surge Suppressor)选型。产品涵盖P系列,VDRM 6V~320V,VS 13V~400V,IS 800mA,IH 50mA~120mA,结电容30pF~120pF,通态电压3V~4V,浪涌电流Ipp 35A~100A(10/1000μs),工作温度-55℃~125℃/150℃。可选封装SOD-123FL、SMA、SMB、SMB-C。优势在于低漏电流(1μA~5μA)、高浪涌能力、多种触发电压选择,适用于通信设备、安防、工业控制等过压保护场景。
|
产品型号
|
品类
|
IDRM_Max(uA)
|
@VDRM_Min(V)
|
VS_Max(V)
|
IS_Max(mA)
|
IH_Min(mA)
|
CO_Typ(pF)
|
VT_Max(V)
|
IT_Max(A)
|
Ipp@10/1000us(A)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
|
P0300UMCL
|
放电管
|
1
|
25
|
40
|
800
|
50
|
60
|
4
|
2.2
|
35
|
-55℃-125℃
|
P03M
|
SOD-123FL
|
【产品】晶导微电子推出的玻璃钝化桥式整流器GBJ50005G~GBJ5010G,最大重复峰值反向电压50V~1000V
2023-04-02 - 产品 晶导微电子推出的玻璃钝化桥式整流器GBJ50005G~GBJ5010G,环境温度25℃下,最大重复峰值反向电压50V~1000V,最大平均正向整流电流(带散热器Note2)高达50A,适用于桥式整流应用电路。
PxxxxTA系列表贴式过电压保护晶闸管
2020-08 - 数据手册
ZHIDE - OVER-VOLTAGE PROTECTION THYRISTOR,晶闸管过电压保护,P0300TA,P1100TA,P3500TA,P1300TA,P0080TA,P0060TA,P1500TA,P0900TA,P0640TA,P2300TA,P2600TA,P3100TA,P0720TA,P4200TA,P1800TA,高速传输设备,HIGH-SPEED TRANSMISSION EQUIPMENT
应能微TVS&二极管选型表
选型表 - 应能微 应能微提供以下技术参数的TVS选型,VRWM:1V~80V,Cj Typ:0.15pF~3700pF,IR Max:0.02μA-600μA,PPP:10W-8000W;二极管选型,VRWM(V):45V,Cj Typ(pF):90pF、25pF。
|
产品型号
|
品类
|
UNI/BI
|
Line Config
|
VRWM(V)
|
VBR Min(V)
|
Cj Typ(pF)
|
IR Max(μA)
|
PPP(W)
|
Package
|
|
ASK45V1RD3
|
Schottky Barrier Diode
|
Bi
|
1-Line
|
45
|
40
|
90
|
100
|
0.32
|
SOD-323
|
晶导微电子快恢复二极管选型
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供快恢复二极管的选型。涵盖RS、US、ES、MUR、SF等系列,细分品类包括标准快恢复与超快恢复二极管。核心可选参数:额定电流Io(0.5~80A)、反向电压VRRM(50~2000V)、浪涌电流IFSM(15~800A)、正向压降VF(低至0.92V)。优势特性:低VF、高IFSM、宽工作结温-55°C~150°C/175°C。封装形式多样:SOD-123FL、SMA、SMB、SMC、TO-220、TO-252、TO-263等。适用于开关电源、逆变器、续流二极管等高频整流及保护应用。
|
产品型号
|
品类
|
Io(A)
|
VRRM(V)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
@IF(A)
|
IR(uA)
|
@VR(V)
|
trr(ns)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
|
SGP1RW
|
快恢复二极管
|
1
|
50
|
15
|
1.3
|
1
|
5
|
50
|
150
|
-55℃-150℃
|
1R
|
SOD-123
|
晶导微电子肖特基整流桥(Schottky桥堆/肖特基整流桥堆)选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供肖特基整流桥(Schottky桥堆/肖特基整流桥堆)选型,涵盖TB、MB、UMB、ULBF、MSB等系列。输出电流Io范围1A-5A,反向电压VRRM范围40V-200V,浪涌电流IFSM最高150A,正向压降VF低至0.55V。可选封装包括ABS、ABF、MBS、MBF、UMB、ULBF、UMSB。适用于电源适配器、充电器、LED驱动等AC-DC整流应用,具有低功耗、高效率特性。
|
产品型号
|
品类
|
Io(A)
|
VRRM(V)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
@IF(A)
|
IR(uA)
|
@VR(V)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
|
TB14SS
|
肖特基整流桥
|
1
|
40
|
30
|
0.55
|
1
|
300
|
40
|
-55℃-125℃
|
TB14S
|
ABS
|
晶导微肖特基二极管选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供丰富多样的肖特基二极管选型,涵盖1A至10A的额定电流范围,以及20V至200V的反向电压范围,满足不同应用场景需求。产品具备低正向压降(0.45V至1.0V)、低反向漏电流(低至2uA)等优势特性,确保高效能与高可靠性。封装形式多样,包括SOD-123、SOD-323、SMA、SMB、TO-251W、TO-252W等,适应多种电路设计需求。适用于电源管理、逆变器、开关电源等应用,助力用户实现高效电路设计与性能优化。
|
产品型号
|
品类
|
Io(A)
|
VRRM(V)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
@IF(A)
|
IR(uA)
|
@VR(V)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
|
BAT46W
|
肖特基二极管
|
0.15
|
100
|
25
|
1
|
0.25
|
2
|
75
|
-55℃-125℃
|
S9
|
SOD-123
|
下载链接
|
终版
|
安世器件替代方案:晶导微电子稳压器件篇
2025-11-11 - 器件选型 晶导微电子推出安世稳压管替代方案,产品通过AEC-Q101认证,覆盖车规、工业及消费电子应用,具备高兼容性、性价比和稳定供货优势,支持直接替换安世及Nexperia型号。
晶导微电子肖特基二极管(Schottky二极管/肖特基势垒二极管)选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供肖特基二极管(Schottky二极管/肖特基势垒二极管)选型,涵盖标准型(SS/DS系列)、低压降型(DSL/SSL系列)、超低压降型(RB751V等)及大电流MBR系列。输出电流Io范围0.03A-100A,反向电压VRRM范围10V-300V,浪涌电流IFSM最高500A,正向压降VF低至0.35V。可选封装包括SMA、SMB、SMC、SMAF、SMBF、SOD-123FL、SOD-323W、SOD-323HE、SOD-523、SOT-23、SOT-143WD-4L、TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F、TO-247、DFN等。适用于电源适配器、充电器、DC-DC转换器、极性保护及续流等高频整流应用。
|
产品型号
|
品类
|
Io(A)
|
VRRM(V)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
@IF(A)
|
IR(uA)
|
@VR(V)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
|
DS12W
|
肖特基二极管
|
1
|
20
|
25
|
0.55
|
1
|
300
|
20
|
-55℃-125℃
|
S12
|
SOD-123FL
|
晶导微电子安世器件替代方案-MOSFET篇
2025-12-19 - 器件选型 本文介绍晶导半导体提供的安世MOSFET器件替代方案,涵盖通过AEC-Q101认证、采用Trench与SGT工艺的产品,具备低导通电阻、高开关效率等优势,支持直接替换且性价比更高。
晶导微电子聚焦2026慕尼黑“新能源汽车、智能汽车、智能感知”呈现功率器件和车规级芯片最新成果
2026-07-06 - 原厂动态 晶导微电子在2026慕尼黑上海电子展上展示了DFN系列、SiC二极管/MOSFET及车规级解决方案,涵盖功率器件与芯片,获汽车、工业等领域关注。
晶导微电子桥式整流器(整流桥/桥堆)选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供桥式整流器(整流桥/桥堆)选型,涵盖ABS、ABF、MBL、MBS、MBF、UMB、UMSB、ULBF、JDBF、KBP、GBU、GBJ、KBJ、DBSL、JB等多种封装。输出电流Io范围0.15A-50A,反向电压VRRM范围40V-2000V,浪涌电流IFSM最高450A,正向压降VF低至0.79V。部分型号具备快速恢复特性(trr 35ns-500ns),适用于电源适配器、充电器、家用电器、工业电源等AC-DC整流应用。
|
产品型号
|
品类
|
Io(A)
|
VRRM(V)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
@IF(A)
|
IR(uA)
|
@VR(V)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
|
ABS1
|
桥式整流器
|
0.8
|
100
|
30
|
1.1
|
0.8
|
5
|
100
|
-55℃-150℃
|
ABS1
|
ABS
|
晶导微电子MOSFET选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供MOSFET选型。产品涵盖N/P沟道,采用平面、沟槽、SJ-EPI、SJ-Trench、SGT等工艺,VDSS 20V~900V,ID 0.13A~260A,RDS(on)低至1.1mΩ。可选封装包括TO-251W、TO-252W、TO-263-2L、TO-220-3L、TO-220F-3L、TO-247-3L、SOT-23、SOT-323、SOT-363、PDFN5060-8L、TOLL等。优势在于宽电压电流覆盖、多种低导通电阻选择、丰富封装形式,适用于电源管理、电机驱动、电池保护、DC-DC转换等应用。
|
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)
|
VGSS(V)
|
ID(A)
|
VGSth_Min(V)
|
VGSth_Max(V)
|
Rdson_Typ(mΩ)
|
Rdson_Max(mΩ)
|
@VGS/IDS (V)/(A)
|
Ciss(pF)
|
Coss(pF)
|
Crss(pF)
|
polarity
|
Tech
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package
Outline
|
|
V2N50
|
MOSFET
|
500
|
±30
|
2
|
2
|
4
|
5000
|
7000
|
10/1
|
156
|
24
|
2.2
|
N
|
Planar
|
-55℃-150℃
|
V2N50
|
TO-251W
|
晶导微电子静电防护管选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供以下静电防护管的参数选型,polarity:Bi,Uni,Bi(回扫),Cj(pF):0.25~1500。
|
产品型号
|
品类
|
polarity
|
VRWM(V)
|
VBR_Min(V)
|
Cj(pF)
|
PPP(W)
|
IR(uA)
|
VC_Max(V)
|
@IPP tp=8/20us(A)
|
VED Air(KV)
|
VED Contact(KV)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
|
ESDB24V0T2P
|
静电防护管
|
Bi
|
24
|
26.7
|
30
|
350
|
1
|
52
|
6
|
±25
|
±15
|
-55℃-150℃
|
24P
|
SOT-23
|
下载链接
|
终版
|