产品目录
| 订货型号 | 型号系列 | 品类 | 描述 | 封装/外壳/尺寸 | 生命周期 | 停产时间 | polarity | PC(W) | IC(A) | VCBO(V) | VCEO(V) | VEBO(V) | hFE_Min | hFE_Max | @VCE(V) | @IC(A) | VCE(sat)_Max(V) | fT(MHz) | Tj（℃） | Marking |
|
2SC4081WGQ
|
三极管
|
polarity：NPN，PC(W)：0.15，IC(A)：0.15
|
SOT-323
|
有效(ACTIVE)
|
-
|
NPN
|
0.15
|
0.15
|
60
|
50
|
7
|
120
|
270
|
6
|
0.001
|
0.4
|
180
|
-55℃-150℃
|
BQ
|
资料下载
技术问答
暂无相关问答
相关推荐
晶导微电子三极管选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供以下三极管选型，涵盖PNP和NPN类型，功率范围0.1-15W，集电极电流0.1-6A。电压参数丰富，集射截止电压VCBO达-120V至300V，集电极-发射极电压VCEO达-150V至300V。具有多种封装形式，如SOT-23、SOT-223、TO-220-3L、TO-252W等，满足不同应用场景需求。产品工作温度范围-55℃至150℃，部分型号工作温度可达150℃，频率特性fT从30MHz至800MHz不等，可广泛应用于消费电子、工业控制等领域。
|
产品型号
|
品类
|
polarity
|
PC(W)
|
IC(A)
|
VCBO(V)
|
VCEO(V)
|
VEBO(V)
|
hFE_Min
|
hFE_Max
|
@VCE(V)
|
@IC(A)
|
VCE(sat)_Max(V)
|
@IC(A)
|
fT(MHz)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
|
2SA1037S
|
三极管
|
PNP
|
0.2
|
-0.15
|
-60
|
-50
|
-6
|
270
|
560
|
-6
|
-0.001
|
-0.5
|
-0.05
|
140
|
-55℃-150℃
|
FS
|
SOT-23
|
下载链接
|
终版
|
2SC4081WGQ/R/S
2026/03/11 - 数据手册 本资料详细介绍了2SC4081WGQ/R/S系列NPN晶体管的产品特性、电气参数、应用领域和封装信息。资料涵盖了最大额定值、电气特性、典型特性和封装尺寸等关键信息。
晶导微电子 - NPN晶体管,2SC4081WGQ/R/S
2SC4081WGQ/R/S NPN晶体管
2026-02-12 - 技术文档
晶导微电子 - NPN TRANSISTOR,NPN三极管,2SC4081WGQ,2SC4081WGR,2SC4081WGS
晶导微电子安世器件替代方案-MOSFET篇
2025-12-19 - 器件选型 本文介绍晶导半导体提供的安世MOSFET器件替代方案，涵盖通过AEC-Q101认证、采用Trench与SGT工艺的产品，具备低导通电阻、高开关效率等优势，支持直接替换且性价比更高。
安世器件替代方案：晶导微电子稳压器件篇
2025-11-11 - 器件选型 晶导微电子推出安世稳压管替代方案，产品通过AEC-Q101认证，覆盖车规、工业及消费电子应用，具备高兼容性、性价比和稳定供货优势，支持直接替换安世及Nexperia型号。
晶导微电子ESD/TVS国产化替代分析
2025-11-21 - 应用方案 安世（Nexperia）的ESD/TVS器件晶导微电子产品替代方案，覆盖车规级、单向、双向及回扫等全系列型号。晶导微电子提供性能和可靠性俱佳的替代方案，具备性价比高、供货稳定、技术支持及时等优势。
-60A -40V P沟道增强型MOSFET
2026/03/20 - 数据手册 本资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的-60A -40V P-channel增强型MOSFET。该产品具有优异的开关特性、极低的导通阻抗、低栅极电荷等特点，适用于多种电子应用。
晶导微电子 - P沟道增强型MOS功率场效应晶体管,D6R1P40XR,适用于需要低导通阻抗和高开关性能的电路
晶导微电子安世器件替代方案-肖特基篇
2025-11-07 - 器件选型 晶导微电子推出可全面替代安世半导体（Nexperia）的肖特基整流二极管方案，涵盖车规级、低VF、低漏电及高结温产品，具备参数兼容、性价比高、供货稳定等优势，适用于汽车电子等高可靠性场景。
晶导微电子快恢复二极管选型
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供以下快恢复二极管的参数选型，Io(A)：0.2~80，VRRM(V)：50~8000。
|
产品型号
|
品类
|
Io(A)
|
VRRM(V)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
@IF(A)
|
IR(uA)
|
@VR(V)
|
trr(ns)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
|
SGP1RW
|
快恢复二极管
|
1
|
50
|
15
|
1.3
|
1
|
5
|
50
|
150
|
-55℃-150℃
|
1R
|
SOD-123
|
下载链接
|
终版
|
山 东 晶 导 微 电 子 股 份 有 限 公 司 - RoHS compliant - Case Material: "Green" molding compound, UL - flammability classification 94V-0,"Halogen-free"
2026/03/20 - 数据手册 这份资料详细介绍了山东晶导微电子股份有限公司的一款产品，包括其绝对最大额定值、热特性、电气特性、测试电路和波形、典型特性、封装轮廓、机械数据以及标记信息。产品符合RoHS标准，采用环保材料，具有高可靠性和良好的电气性能。
晶导微电子 - 电子元器件
晶导微电子（JingDao Microelectronics）场效应管选型表
2023/12/6 - 选型指南 晶导微电子 - 场效应管,C18N20,F20N50L,D5R6N68H,D3N50L,F7N65L,F15N60L,C5R8N68H,W16N65,G12N65,C9R4N80H,C5N50,NM2302C,NM2302B,C8N60S,C5N65,C2R4NS60R,D6R7N68H,D5N20LR,C5N60,C7R6N68H,D15RN100HW,TS-L6R3N40S,V2N80S,F15N50L,C4N65,TS-L1R7NS40S,F8N80L,D2N80S,C6R8N68H,G7R6N68H,C5R6NS85HS,V5N65,NM2302A,TS-D60R580E,F12N60L,C18N50,C4N60,NM2300A,NM2312B,NM2312A,F16N65L,D9R2N68H,G5R8N68H,G18N20,D7N65R,F20N65L,F5N60L,D6R2R68H,TS-L4R5NS60S,C12N65,C5R9N80H,F4N65L,C12N60,D2R8N30J,C4N70,C5N60S,C4R6NS100HS,C7R2N80H,C4R6NS100HR,G4R1NS85HR,F7N65LJ,D5N50,TS-F7N60L,TS-F60R360E,F2N65,TS-L11RNS85W,PM2301E,W28N50J,TS-L3R8NS100R,TS-D60R360E,V4N70,F10N70,D5N60,F7N70,D6R2N30J,AT-L2R0NS40S,TS-L11RNS85S,C9R2N68H,D5N65,F2N60,TS-L11RN60S,TS-V7N70,F10N70L,F12N65L,F10N65,C13N50,W30N60J,PM3401A,PM3401B,F8N65L,F10N60,V5N50,F7N60,D8R4N80H,F7N65,AT-L1R7NS40S,D4N65,C25N50,D4N60,TS-F60R580E,D4R6N68H,C8N65,G10N65,W28N60J,C3R0NS100HS,C8N60,C4R5N80H,D4N70,TS-L1R6NS40R,D2R9N30P,F18N20L,C4R2NS90HN,G15N65,F7N65LR,W30N50J,V4N65,V4N60,W25N50,C20N65,TS-L4R6N60HP,F4N60L,F5N65L,D9N50,NM3400,2N7002AKB,D18N20,D9R4N80H,C7N70,F8N50L,D3R7N30,G8N65,W25N60,C20N50,F7N70L,C4R1NS85HR,V4N80S,G15N50,F10N50L,TS-L5R5NS85HS,D5R9N80H,W20N50,W25N65,DNM2N10A,D4R0N30J,D2R6N30P,D6R5N30P,F4N70L,W13N50,C20N60S,AT-2N7002AK,TS-L10RNS100HR,BSS84,G20N65,TS-L2R2N40R,PM2305,D7R6N68H,V9N20,G6R7N80H,C20N70,F7N60L,C6R7N80H,NM3N06,F13N50L,C7N65,F10N60L,TS-L8R8NS60R,F12N65,F12N60,C7N60,C3R5NS100H,D2N65,D2N60,D7N70,F9N50L,F5N65,D7R2N80H,D4R4N30L,V7N60,NPM3400,C2R1N30,NM3400A,V7N65,F12N70L,W7R6N68H,V2N50,TS-L2R0NS40S,F10N65L,V2N65,G9R2N68H,TS-L4R3NS100R,BSS138,C2R8NS60HR,PM2301,NM2N10A,F5N50,TS-L4R0NS85HW,C5R3NS100HS,C12N60S,D8N50,D9N20,F5N50L,D3R6N30,C10N65,C10N60,F18N50L,AT-L4R2N100S,V2N60,C5R2N68H,C8R4N80H,C16N65,G4R5N80H,F20N60L,NM8205,C4R6N68H,G13N50,W20N65,D90N03,2N7002AK,F25N50L,F8N60L,C10N70,V11N20,W20N60,D7N65,D4R3N30P,F4N60,F7N80L,F15N65L,TS-L5R8NS100W,D2R1N30,F4N65,D7N60,D2N50,NM8205E,D2R7N30J,NM8205A,TS-L6R0NS100W,TS-L2R2NS60P,D11N20,F10N40L
2SC5200 15A，230V NPN晶体管
2022.03 - 数据手册 本资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的2SC5200型NPN晶体管，包括其技术规格、电气特性、热数据、封装信息和标记图等详细信息。
晶导微电子 - NPN TRANSISTOR,NPN三极管,W2SC5200,F2SC5200,2SC5200,C2SC5200
山东晶导微电子股份有限公司
2026/03/11 - 数据手册 该资料主要介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的MBF-T系列桥式整流器和TVS瞬态电压抑制器。资料详细描述了产品的特性、机械数据、最大额定值和热特性，以及封装类型和标记信息。
晶导微电子 - 桥式整流器,TB120FB,TB110FB,表面贴装应用
