AS4C32M16D2A-25BCN

  • 512M - A DIE 32M x 16 1.8V 400MHz 800Mbps/pin 84ball FBGA SRAM

    AS4C32M16D2A-25BCN是一种高速CMOS双数据速率2(DDR2),同步动态随机存取存储器(SDRAM),在16位宽的数据I/O中包含512兆比特。
    它在内部配置为四组DRAM,4组x 8MB地址x 16 I/O。该设备设计为符合DDR2 DRAM的关键功能,如具有附加延迟的已发布CA、写入延迟=读取延迟-1、片外驱动程序(OCD)阻抗调整和模内终止(ODT)。
    所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入锁存在差分时钟的交叉点(CK上升和CK下降),所有I/O以源同步方式与一对双向选通(DQ和DQ)同步。地址总线用于以ras,cas复用方式传输行、列和Banks地址信息。访问从注册Banks激活命令开始,然后是读或写命令。对DDR2 SDRAM的读写访问是面向4位或8位突发的;访问从选定的位置开始,并按编程顺序继续对编程数量的位置进行访问。以交错方式操作四个内存组允许以比标准DRAM更高的速率进行随机访问操作。可以启用自动预充电功能,以提供在脉冲序列结束时启动的自动定时行预充电。根据设备的突发长度、CAS延迟和速度等级,可以实现连续和无间隙的数据速率。

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厂牌 Alliance
品类 SRAM
系列 AS4C ;AS4C32M16D2A
最小包装量 209
封装 84ball FBGA
安规/环境规范 LEED FREE;ROHS;HALOGEN FREE;PB FREE
应用等级 商业级/Commercial(C级)
等级认证标准
工作温度 0°C to +85°C
湿气敏感性等级(MSL) MSL3
存储环境/要求 Storage temperature:–55 +100°C
保质期
Density 512M - A DIE
Organization 32M x 16
VCC 1.8V
Clock Frequency 400MHz
Data Rate 800Mbps/pin
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型号 描述 品质保证 价格(含增值税)

SRAM

AS4C;AS4C32M16D2A系列

512M - A DIE 32M x 16 1.8V 400MHz 800Mbps/pin 84ball FBGA SRAM

84ball FBGA

最小包装量:209

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SRAM

AS4C;AS4C32M16D2A系列

512M - A DIE 32M x 16 1.8V 400MHz 800Mbps/pin 84ball FBGA SRAM

84ball FBGA

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AS4C;AS4C32M16D2A系列

512M - A DIE 32M x 16 1.8V 400MHz 800Mbps/pin 84ball FBGA SRAM

84ball FBGA

最小包装量:209

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AS4C;AS4C32M16D2A;AS4C32M16D2A-25BCN系列

512M - A DIE 32M x 16 1.8V 400MHz 800Mbps/pin 84ball FBGA SRAM

84ball FBGA

最小包装量:2,500

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AS4C;AS4C32M16D2A;AS4C32M16D2A-25BIN系列

512M - A DIE 32M x 16 1.8V 400MHz 800Mbps/pin 84ball FBGA SRAM

84ball FBGA

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AS4C;AS4C32M16D2A;AS4C32M16D2A-25BAN系列

512M - A DIE 32M x 16 1.8V 400MHz 800Mbps/pin 84ball FBGA SRAM

84ball FBGA

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AS4C;AS4C64M8D1系列

512M 64M x 8 2.5V 200MHz 60ball TFBGA SRAM

60ball TFBGA

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AS4C;AS4C64M8D1系列

512M 64M x 8 2.5V 200MHz 66pin TSOP II SRAM

66pin TSOP II

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SRAM

AS4C;AS4C8M32S系列

8M x 32 3.3V 166Mhz 86pin TSOP II SRAM

86pin TSOP II

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AS4C;AS4C8M32S系列

8M x 32 3.3V 143Mhz 86pin TSOP II SRAM

86pin TSOP II

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