AS4C512M16D3L-12BIN

  • 8G - monolithic single die (Micron design) 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHzDDR3-1600bps/pin 96-ball FBGA SRAM

    DDR3 SDRAM采用双数据速率架构来实现高速操作。双数据速率架构是一种8N预取架构,具有一个去签名的接口,用于在I/O管脚处每个时钟周期传输两个数据字。DDR3 SDRAM的单读或写操作有效地由一个8N位宽、内部DRAM核心处的四个时钟周期数据传输和I/O引脚处的八个相应的N位宽、半时钟周期数据传输组成。
    差分数据选通(Dqs,Dqs)与数据一起对外传输,用于在DDR3 SDRAM输入接收器上进行数据捕获。DQ与数据中心对齐,用于写入。读数据由DDR3 SDRAM传输,边缘与数据选通器对齐。
    DDR3 SDRAM通过差分时钟(CK和CK)工作。CK向上和CK向下的交叉被称为CK的正边缘。控制、命令和地址信号在CK的每一个正边缘都被注册。输入数据在写前导码后被注册到dqs的第一上升沿,输出数据在读前导码后被引用到dqs的第一上升沿。
    对DDR3SDRAM的读写访问是面向突发的。访问从选定的位置开始,并按编程顺序继续进行编程数量的位置。访问从注册激活命令开始,然后注册读或写命令。与activate命令同时注册的地址位用于选择要访问的Banks和行。与读或写命令同时注册的广告地址位用于选择突发访问的Banks和起始列位置。
    该设备使用读写BL8和BC4。可以启用自动预充电功能,以提供在突发访问结束时启动的自动定时行预充电。
    与标准DDR SDRAM一样,DDR3 SDRAM的流水线、多Banks结构允许并发操作,从而通过隐藏行预充电和激活时间来提供高带宽。
    提供了自刷新模式以及节能、断电模式。

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厂牌 Alliance
品类 SRAM
系列 AS4C ;AS4C512M16D3L
最小包装量 170
封装 96-ball FBGA
安规/环境规范 PB FREE;LEED FREE
应用等级 工业级/Industrial(I级)
等级认证标准
工作温度 -40°C to +95°C
湿气敏感性等级(MSL) MSL3
存储环境/要求 Storage temperature:–55 +150°C
保质期
Density 8G - monolithic single die (Micron design)
Organization 512M x 16
VCC 1.35V(1.283-1.45V)
Clock Frequency 800MHz
Data Rate DDR3-1600bps/pin
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型号 描述 品质保证 价格(含增值税)

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3L系列

8G - monolithic single die (Micron design) 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHzDDR3-1600bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:170

世强先进(深圳)科技股份有限公司

供货保障

原厂认证

世强代理

世强自营

一支起订

价格¥  162.2983

现货1,023

发货地广东

预计交期
1. 预计交期为预估时间,不含国家法定节假日,不作为订单或合同约定内容。
2. 受限于发货时间和商品物流运输时间。
3. 商品运输过程中如遇不可抗拒力因素,如地震、水灾、旱灾、疫情等,交期可能有所延长。

预计交期?

约3个工作日

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3L系列

8G - monolithic single die (Micron design) 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHzDDR3-1600bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:170

世强先进(深圳)科技股份有限公司

供货保障

原厂认证

世强代理

世强自营

一支起订

价格¥  142.1995

现货181

发货地广东

预计交期
1. 预计交期为预估时间,不含国家法定节假日,不作为订单或合同约定内容。
2. 受限于发货时间和商品物流运输时间。
3. 商品运输过程中如遇不可抗拒力因素,如地震、水灾、旱灾、疫情等,交期可能有所延长。

预计交期?

约3个工作日

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3L;AS4C512M16D3L-12BIN系列

8G - monolithic single die (Micron design) 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHzDDR3-1600bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:2,000

世强先进(深圳)科技股份有限公司

发货地广东

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3L;AS4C512M16D3L-12BCN系列

8G - monolithic single die (Micron design) 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHzDDR3-1600bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:2,000

世强先进(深圳)科技股份有限公司

发货地广东

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3LB系列

8G - Dual Die Package (DDP)NEW 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHzDDR3-1600bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:180

世强先进(深圳)科技股份有限公司

发货地广东

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3LB系列

8G - Dual Die Package (DDP)NEW 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHzDDR3-1600bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:180

世强先进(深圳)科技股份有限公司

发货地广东

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3LA系列

8G - Dual Die Package (DDP)NEW 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHzDDR3-1866bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:180

世强先进(深圳)科技股份有限公司

发货地广东

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3LA系列

8G - Dual Die Package (DDP)NEW 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHzDDR3-1866bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:180

世强先进(深圳)科技股份有限公司

发货地广东

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3LA系列

8G - Dual Die Package (DDP)NEW 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHzDDR3-1866bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:180

世强先进(深圳)科技股份有限公司

发货地广东

SRAM

AS4C;AS4C512M16D3LB;AS4C512M16D3LB-12BAN系列

8G - Dual Die Package (DDP)NEW 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHzDDR3-1600bps/pin 96-ball FBGA SRAM

96-ball FBGA

最小包装量:2,000

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