KEEN5102AL

  • 850nm IrEDAlGaAs infrared emitting diode that is designed for high power, low forward voltage

    Keen5102al是Algaas红外发射二极管,设计用于高功率、低正向电压。
    该器件优化了850nm发射波长下的速度和效率,在很大的正向电流范围内具有很高的辐射效率。

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厂牌 KODENSHI
品类 AlGaAs infrared emitting diode
系列 KEEN ;KEEN5102A
最小包装量 1
封装
安规/环境规范
应用等级
等级认证标准
工作温度 -30°C to +80°C
湿气敏感性等级(MSL)
存储环境/要求 Storage Temperature:-30°C~85°C
保质期

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型号 描述 品质保证 价格(含增值税)

AlGaAs infrared emitting diode

KEEN;KEEN5102A系列

850nm IrEDAlGaAs infrared emitting diode that is designed for high power, low forward voltage

最小包装量:1

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